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公开(公告)号：CN110970065B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201910573771.2
申请日：2019-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括：第一存储器单元和与第一存储器单元不同的第二存储器单元，其中，第一存储器单元和第二存储器单元包括在同一个存储器块中；第一字线，连接到第一存储器单元；第二字线，与第一字线不同，连接到第二存储器单元；地址解码器，将擦除电压和与擦除电压不同的禁止电压中的一个施加到第一字线和第二字线中的每条；以及控制逻辑，使用地址解码器来控制对存储器块的擦除操作，其中，当执行对存储器块的擦除操作时，在施加擦除电压之后将禁止电压施加到第一字线，并且在施加禁止电压之后将擦除电压施加到第二字线。
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公开(公告)号：CN118230790A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311143437.6
申请日：2023-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件包括：包括多个单元块的存储单元阵列，多个单元块包括存储除用户数据以外的信息的第一单元块和存储用户数据的第二单元块，其中，多个单元块中的每一个单元块包括多个单元串；以及控制电路，被配置为控制存储单元阵列的写入操作和读取操作。第一单元块中包括的第一接地选择线(GSL)区域包括沿垂直方向堆叠的多条GSL。多个接地选择晶体管中的连接到多条GSL之一的一个或更多个接地选择晶体管被编程到第一阈值电压，多个接地选择晶体管中的未连接到该GSL的其他接地选择晶体管被编程到高于第一阈值电压的第二阈值电压。所述第一单元块中的第一GSL区域中包括的第一线与第二单元块中的连接到在存储用户数据的存储单元的字线被布置在相同高度。
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公开(公告)号：CN116052745A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210917162.6
申请日：2022-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括均包括存储单元和连接到串选择线的串选择晶体管的单元串；页缓冲电路，页缓冲电路包括均包括被配置为存储强制信息的强制锁存器的页缓冲器；以及控制逻辑电路，被配置为在对选定字线进行编程操作期间，将以下电压中的至少两个电压控制为彼此不同：在位线强制操作之前的第一间隔内施加到所述串选择线的第一电压、在执行所述位线强制操作的第二间隔内施加到所述串选择线的第二电压、以及在执行所述位线强制操作之后的第三间隔内施加到所述串选择线的第三电压，所述位线强制操作用于向所述选定单元串传送所述强制信息。
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公开(公告)号：CN113053432A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011213293.3
申请日：2020-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件，包括：存储器单元阵列，包括分别连接在串选择线与接地选择线之间的单元串；字线，连接到存储器单元；控制逻辑，生成提供给所述串选择线的第一电压和提供给所述接地选择线的第二电压，并且调整所述第一电压和所述第二电压的电压电平以控制所述单元串的沟道升压电平；以及行解码器，在所述控制逻辑的控制下将读电压、读通过电压、以及所述第一电压和所述第二电压提供给所述存储单元阵列。所述控制逻辑生成所述第一电压和所述第二电压中的一个作为预脉冲电压。所述行解码器将第三电压提供给所述字线中的至少一个。
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公开(公告)号：CN112908386A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202011300099.9
申请日：2020-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器装置包括第一半导体层、第二半导体层、控制电路和焊盘区域，第一半导体层包括上基板和存储器单元阵列，在上基板中设置有在第一方向上延伸的字线和在第二方向上延伸的位线。存储器单元阵列包括位于上基板上的竖直结构，并且该竖直结构包括存储器块。第二半导体层包括下基板，该下基板包括地址解码器和页缓冲器电路。竖直结构包括其中设置有一个或多个贯穿孔通孔的通孔区域，并且通孔区域在第二方向上间隔开。存储器单元阵列包括与位线中的不同位线对应的垫。至少两个垫根据在第一方向上距焊盘区域的距离包括不同数量的通孔区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112435701A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010788417.4
申请日：2020-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10 , G11C16/24 , G06F12/0882
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置、存储装置和非易失性存储器装置的操作方法。所述非易失性存储器装置的各个存储器块包括柱的第一部分的第一存储器单元和柱的第二部分的第二存储器单元。当在从存储器块选择的存储器块处基于连续地址执行编程操作时，非易失性存储器装置顺序地完成第一存储器单元和第二存储器单元当中不与第一部分和第二部分的边界相邻的非相邻存储器单元的第一编程操作，然后完成与边界相邻的相邻存储器单元的第二编程操作。
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公开(公告)号：CN112582006B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202010574057.8
申请日：2020-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/08 , G06F12/0882
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括第一半导体层、第二半导体层和控制电路。存储器单元阵列包括在第一上基底上的第一垂直结构和在第二上基底上的第二垂直结构，第一垂直结构包括第一子块，第二垂直结构包括第二子块。第二半导体层包括包含地址解码器和页缓冲器电路的下基底。第一垂直结构包括设置有一个或多个通孔的第一过孔区域，通孔穿过第一垂直结构。第一子块被布置在第一过孔区域之间，第二子块被布置在第二过孔区域之间。控制电路基于存储器块是否靠近第一过孔区域将存储器块分组为多个组，并且执行地址重映射。
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公开(公告)号：CN118553292A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410005602.X
申请日：2024-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储装置和控制非易失性存储装置的方法。该控制非易失性存储装置的方法包括：基于写入地址确定与写入地址相对应的非易失性存储装置的选定存储单元是否被包括在过擦除群组中；基于选定存储单元被包括在过擦除群组中，执行预编程操作以增大选定存储单元的过擦除状态的阈值电压；以及在预编程操作完成之后，执行数据编程操作以将写入数据存储在选定存储单元中。
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公开(公告)号：CN111244105A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201911191924.3
申请日：2019-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11556 , H01L27/11524 , H01L27/11548
Abstract: 一种三维半导体存储器装置可以包括：第一堆叠结构块，其包括在衬底上沿第一方向布置的第一堆叠结构；第二堆叠结构块，其包括在衬底上沿第一方向布置的第二堆叠结构；分离结构，其设置在衬底上，位于第一堆叠结构块和第二堆叠结构块之间，并且包括且第一模塑层和第二模塑层；和接触插塞，其穿透分离结构。接触插塞的底表面可以与衬底接触。
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公开(公告)号：CN116153366A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211413041.4
申请日：2022-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置及其操作方法。非易失性存储器装置的操作方法，非易失性存储器装置包括各自包括第一堆叠件和邻近于第一堆叠件的第二堆叠件的多个单元串，操作方法包括步骤：通过将包括第一多个电压电平的编程电压施加至连接至多个单元串中的每一个的第一堆叠件的选择字线，在其中多个编程循环被执行的时间段期间执行第一编程操作；在该时间段期间，将包括第二多个电压电平的第二电压施加至连接至多个单元串中的每一个的第一堆叠件的非选择字线；以及在该时间段期间，将第三电压保持在第一电平，第三电压施加至连接至多个单元串中的每一个的第二堆叠件的非选择字线。
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