公开(公告)号：CN118230790A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311143437.6

申请日：2023-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金承范 ,  崔容赫 ,  徐贤 ,  崔胜涌

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/24 ,  G11C16/08

Abstract: 一种存储器件包括：包括多个单元块的存储单元阵列，多个单元块包括存储除用户数据以外的信息的第一单元块和存储用户数据的第二单元块，其中，多个单元块中的每一个单元块包括多个单元串；以及控制电路，被配置为控制存储单元阵列的写入操作和读取操作。第一单元块中包括的第一接地选择线(GSL)区域包括沿垂直方向堆叠的多条GSL。多个接地选择晶体管中的连接到多条GSL之一的一个或更多个接地选择晶体管被编程到第一阈值电压，多个接地选择晶体管中的未连接到该GSL的其他接地选择晶体管被编程到高于第一阈值电压的第二阈值电压。所述第一单元块中的第一GSL区域中包括的第一线与第二单元块中的连接到在存储用户数据的存储单元的字线被布置在相同高度。

公开(公告)号：CN115602233A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210713815.9

申请日：2022-06-22

Applicant: 三星电子株式会社(KR)

Inventor： 朴周龙 ,  朴相元 ,  申东珍 ,  全秀昶 ,  崔胜涌

IPC: G11C16/26

Abstract: 提供了一种非易失性存储器件及包括其的存储设备的操作方法。所述非易失性存储器件包括：元区域，所述元区域具有存储第一初始数据的第一区域以及存储彼此不同的第二初始数据的多个第二区域；用户区域，所述用户区域被配置为存储用户数据；初始化寄存器，所述初始化寄存器被配置为存储所述第一初始数据或者全部或部分地存储所述第二初始数据；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为使用存储在所述初始化寄存器中的初始数据来执行读取操作、编程操作或擦除操作。