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公开(公告)号：CN110970065B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201910573771.2
申请日：2019-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括：第一存储器单元和与第一存储器单元不同的第二存储器单元，其中，第一存储器单元和第二存储器单元包括在同一个存储器块中；第一字线，连接到第一存储器单元；第二字线，与第一字线不同，连接到第二存储器单元；地址解码器，将擦除电压和与擦除电压不同的禁止电压中的一个施加到第一字线和第二字线中的每条；以及控制逻辑，使用地址解码器来控制对存储器块的擦除操作，其中，当执行对存储器块的擦除操作时，在施加擦除电压之后将禁止电压施加到第一字线，并且在施加禁止电压之后将擦除电压施加到第二字线。
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公开(公告)号：CN116110484A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211293007.8
申请日：2022-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/14 , G11C16/10 , G11C16/26 , G06F9/4401
Abstract: 公开了一种测试挂起操作的方法。所述方法包括：确定是否在存储在序列操作电路中的多个挂起操作时间点中的每个之前的时间点将挂起采样信号传送给挂起命令电路；将挂起采样信号从序列操作电路传送给挂起命令电路；基于挂起采样信号生成内部挂起操作命令；将内部挂起操作命令从挂起命令电路传送给序列操作电路；响应于内部挂起操作命令，针对所有所述多个挂起操作时间点执行挂起操作；以及确定在所有挂起操作时间点挂起操作是否被执行。
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公开(公告)号：CN101038922B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710084948.X
申请日：2007-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , G11C16/04 , G11C16/24 , G11C16/14
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/0483 , H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11546
Abstract: 在一种实施方式中，非易失存储器装置包括在基底中形成的第一传导类型的井，和串联到形成在该井中的位线的第一多个存储器单元晶体管。缓存器形成在该井外的所述基底中并且连接到所述位线。将至少一个去耦晶体管配置为将所述缓存器与所述位线去耦，而且所述去耦晶体管形成在所述井中。
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公开(公告)号：CN101038922A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710084948.X
申请日：2007-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , G11C16/04 , G11C16/24 , G11C16/14
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/0483 , H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11546
Abstract: 在一种实施方式中，非易失存储器装置包括在基底中形成的第一传导类型的井，和串联到形成在该井中的位线的第一多个存储器单元晶体管。缓存器形成在该井外的所述基底中并且连接到所述位线。将至少一个去耦晶体管配置为将所述缓存器与所述位线去耦，而且所述去耦晶体管形成在所述井中。
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公开(公告)号：CN109785887B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201811318597.9
申请日：2018-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器设备及其操作方法。用于对多个存储器块中的第一存储器块进行编程的操作方法包括：通过顺序执行第一至第N(N是自然数)编程循环对连接到第一存储器块的第一字线进行编程；在编程完成之后，将通过调节第一电荷泵的第一泵电压所生成的电压施加到第一字线作为虚拟验证电压；基于第一泵电压和第一参考电压生成第一检测计数；并且，基于将第一检测计数与第一参考计数进行比较的结果，输出用于将第一存储器块设置为坏块的坏块设置信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115775584A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202210885650.3
申请日：2022-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
Abstract: 提供了降低非易失性存储装置的可靠性劣化的方法、非易失性存储装置以及测试非易失性存储装置的方法。在降低非易失性存储装置的可靠性劣化的方法中，提供具有初始阈值电压分布的初始数据被存储在与所述多条字线连接的所述多个存储单元中的所述非易失性存储装置。在执行导致可靠性劣化的第一工艺之前，执行第一写入操作使得具有第一阈值电压分布的第一数据存储到与第一字线连接的存储单元中。所述第一字线具有小于参考值的可靠性劣化程度。在执行所述第一工艺之前，执行第二写入操作使得具有第二阈值电压分布的第二数据存储到与第二字线连接的存储单元中。所述第二字线具有大于或等于所述参考值的可靠性劣化程度。
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公开(公告)号：CN110970065A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910573771.2
申请日：2019-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括：第一存储器单元和与第一存储器单元不同的第二存储器单元，其中，第一存储器单元和第二存储器单元包括在同一个存储器块中；第一字线，连接到第一存储器单元；第二字线，与第一字线不同，连接到第二存储器单元；地址解码器，将擦除电压和与擦除电压不同的禁止电压中的一个施加到第一字线和第二字线中的每条；以及控制逻辑，使用地址解码器来控制对存储器块的擦除操作，其中，当执行对存储器块的擦除操作时，在施加擦除电压之后将禁止电压施加到第一字线，并且在施加禁止电压之后将擦除电压施加到第二字线。
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公开(公告)号：CN109785887A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811318597.9
申请日：2018-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器设备及其操作方法。用于对多个存储器块中的第一存储器块进行编程的操作方法包括：通过顺序执行第一至第N(N是自然数)编程循环对连接到第一存储器块的第一字线进行编程；在编程完成之后，将通过调节第一电荷泵的第一泵电压所生成的电压施加到第一字线作为虚拟验证电压；基于第一泵电压和第一参考电压生成第一检测计数；并且，基于将第一检测计数与第一参考计数进行比较的结果，输出用于将第一存储器块设置为坏块的坏块设置信号。
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公开(公告)号：CN116129971A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211424269.3
申请日：2022-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器设备，包括：在垂直方向上的多个单元串，多个单元串中的每一个包括分别连接到多条字线的多个存储器单元，以及擦除控制晶体管，其具有连接到多个存储器单元的两端中的至少一个的第一端和连接到多个单元串中的每一个的两端中的至少一个的第二端，以及行解码器，被配置为在其中施加到擦除控制晶体管的第二端的擦除电压增加到目标电平的第一时段中向多条字线施加第一偏置电压，并且在第一时段之后的第二时段中向多条字线中的至少一些字线施加高于第一偏置电压的第二偏置电压。
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