公开(公告)号：CN115707257A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210876277.5

申请日：2022-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权世甲 ,  安孝信 ,  金大新 ,  张印国

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20

Abstract: 提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括位于基底上并且在第一方向上延伸的多条第一导线、位于多条第一导线上并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸的多条第二导线以及分别位于多条第一导线与多条第二导线之间的多个存储器单元。多个存储器单元中的每个包括开关元件和可变电阻材料层。开关元件包括具有[GeXPYSeZ](1‑W)[O]W的组成的材料，其中0.15≤X≤0.50，0.15≤Y≤0.50，0.35≤Z≤0.70，并且0.01≤W≤0.10。

公开(公告)号：CN107104075A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710099074.9

申请日：2017-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李盛三 ,  金俊秀 ,  安孝信 ,  山田悟 ,  全柱炫 ,  郑文泳 ,  郑天炯 ,  赵珉熙 ,  蔡教锡 ,  崔恩爱

IPC: H01L21/762 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L28/00 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4236 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/13 ,  H01L29/772

Abstract: 一种半导体器件包括：包含沟槽的半导体基板，该半导体基板具有晶体结构；以及覆盖沟槽的内侧壁的绝缘层，其中沟槽的内侧壁具有在晶体结构的{320}晶面族中包含的至少一个面或者关于{320}晶面族具有2度以内的角度的至少一个面。

公开(公告)号：CN115935896A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211140798.0

申请日：2022-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 廉京美 ,  亚历山大.施密特 ,  安东尼.皮埃尔.杰拉德.帕耶特 ,  安孝信 ,  张印国

IPC: G06F30/394 ,  G06F30/398 ,  G06F115/12

Abstract: 一种布局检查方法包括：通过预处理全芯片布局来生成布局外壳结构；通过预处理至少一个工艺条件来生成工艺条件模型；通过基于布局外壳结构和工艺条件模型执行应力模拟来提取布局外壳结构的应力模拟值；以及基于布局外壳结构的应力模拟值来提取统计数据，其中布局外壳结构和工艺条件模型被配置为具有大于二维并且小于三维的维度。

公开(公告)号：CN113571582A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110441724.X

申请日：2021-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹相俊 ,  权义熙 ,  金星男 ,  安孝信

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 提供具有金属栅极结构的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件及其制造方法，其中在MOSFET器件中，该金属栅极结构的功函数沿着沟道的长度方向是均匀的。该MOSFET器件包括：半导体基板；有源区，在半导体基板上并在第一方向上延伸；以及在半导体基板上的栅极结构。栅极结构在与第一方向相交的第二方向上跨过有源区延伸，并包括依次堆叠在有源区上的高k层、第一金属层、功函数控制(WFC)层和第二金属层。WFC层的下表面可以在第一方向上比在第一金属层的下表面和高k层的上表面之间的第一界面长。