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公开(公告)号：CN113571582A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110441724.X
申请日：2021-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 提供具有金属栅极结构的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件及其制造方法，其中在MOSFET器件中，该金属栅极结构的功函数沿着沟道的长度方向是均匀的。该MOSFET器件包括：半导体基板；有源区，在半导体基板上并在第一方向上延伸；以及在半导体基板上的栅极结构。栅极结构在与第一方向相交的第二方向上跨过有源区延伸，并包括依次堆叠在有源区上的高k层、第一金属层、功函数控制(WFC)层和第二金属层。WFC层的下表面可以在第一方向上比在第一金属层的下表面和高k层的上表面之间的第一界面长。
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