公开(公告)号：CN107017251B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201610900212.4

申请日：2016-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成洙 ,  朴起宽 ,  姜尚求 ,  柳庚玟 ,  李在训 ,  河泰元

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种能够通过将元素半导体材料注入或掺入到层间绝缘层中来调节栅电极和栅间隔物的外形的半导体器件可以被提供。所述半导体器件可以包括：衬底上的栅间隔物，栅间隔物限定沟槽；填充沟槽的栅电极；以及衬底上的层间绝缘层，层间绝缘层围绕栅间隔物，以及层间绝缘层的至少一部分包括锗。

公开(公告)号：CN106469749A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610669304.6

申请日：2016-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵宣基 ,  柳庚玟 ,  姜尚求

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/088 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L29/42316

Abstract: 提供了一种使用混合层间绝缘膜能够调整栅电极和栅极间隔件的轮廓的半导体装置。所述半导体装置包括：栅电极，位于基底上；栅极间隔件，位于栅电极的侧壁上并包括上部和下部；下层间绝缘膜，位于基底上，并与栅极间隔件的下部叠置；以及上层间绝缘膜，位于下层间绝缘膜上并与栅极间隔件的上部叠置，其中，下层间绝缘膜不置于上层间绝缘膜与栅极间隔件的上部之间。

公开(公告)号：CN117917771A

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202310952326.3

申请日：2023-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜尚求 ,  刘禹炅 ,  姜盿材 ,  柳庚玟 ,  徐训硕 ,  李禹镇 ,  李浚採

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括：衬底；一对鳍型有源区，从衬底突出，以在衬底上限定沟槽区，该鳍型有源区在第一横向方向上延伸；一对源/漏区，分别在鳍型有源区上；器件隔离膜，在沟槽区中，该器件隔离膜在竖直方向上与衬底分开；蚀刻停止结构，在衬底和器件隔离膜之间填充沟槽区的至少一部分；过孔电力轨，在该对鳍型有源区之间、以及在该对源/漏区之间，该过孔电力轨穿过蚀刻停止结构的至少一部分；以及背侧电力轨，穿过衬底，该背侧电力轨与过孔电力轨的一端接触。

公开(公告)号：CN106469749B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201610669304.6

申请日：2016-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵宣基 ,  柳庚玟 ,  姜尚求

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种使用混合层间绝缘膜能够调整栅电极和栅极间隔件的轮廓的半导体装置。所述半导体装置包括：栅电极，位于基底上；栅极间隔件，位于栅电极的侧壁上并包括上部和下部；下层间绝缘膜，位于基底上，并与栅极间隔件的下部叠置；以及上层间绝缘膜，位于下层间绝缘膜上并与栅极间隔件的上部叠置，其中，下层间绝缘膜不置于上层间绝缘膜与栅极间隔件的上部之间。

公开(公告)号：CN107039432A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610916290.3

申请日：2016-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵宣基 ,  朴起宽 ,  姜尚求 ,  金成洙 ,  金柱然 ,  柳庚玟 ,  李在训 ,  河泰元

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823864 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7854 ,  H01L27/0922

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件可以包括：形成在衬底上并且具有上表面的宽度与下表面的宽度的第一比值的第一栅电极；形成在衬底上并且具有上表面的宽度与下表面的宽度的第二比值的第二栅电极，其中第二比值小于第一比值；形成在第一栅电极的侧壁上的第一栅间隔物；形成在第二栅电极的侧壁上的第二栅间隔物；以及覆盖第一栅间隔物和第二栅间隔物的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN118335715A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410031426.7

申请日：2024-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘禹炅 ,  金永吉 ,  姜尚求 ,  姜旼材 ,  柳庚玟 ,  徐训硕 ,  李禹镇

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体装置包括：装置结构，其包括第一半导体衬底，并且具有在第一方向上延伸的有源图案；导电贯穿件，其电连接到前布线层并且穿透第一半导体衬底，其中第一半导体衬底具有非平坦化的下表面，在非平坦化的下表面中，导电贯穿件周围的外围区域向下弯曲；第一接合结构，其具有平坦化的绝缘层，平坦化的绝缘层设置在第一半导体衬底的第二表面上并且具有平坦化的上表面。

公开(公告)号：CN114122137A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111002444.5

申请日：2021-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵宣基 ,  罗采昊 ,  姜尚求 ,  金益秀 ,  卢东贤

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L23/48

Abstract: 一种半导体器件可以包括在衬底上的第一鳍状图案和第二鳍状图案，该第一鳍状图案和第二鳍状图案在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开。第一外延图案可以在第一鳍状图案上，第二外延图案可以在第二鳍状图案上。场绝缘层可以在衬底上，并且可以覆盖第一鳍状图案的侧壁、第二鳍状图案的侧壁、第一外延图案的侧壁的一部分和第二外延图案的侧壁的一部分。场绝缘层的顶表面可以高于第一外延图案的底表面和第二外延图案的底表面。

公开(公告)号：CN107017251A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610900212.4

申请日：2016-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成洙 ,  朴起宽 ,  姜尚求 ,  柳庚玟 ,  李在训 ,  河泰元

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7831 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7854 ,  H01L27/0886

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种能够通过将元素半导体材料注入或掺入到层间绝缘层中来调节栅电极和栅间隔物的外形的半导体器件可以被提供。所述半导体器件可以包括：衬底上的栅间隔物，栅间隔物限定沟槽；填充沟槽的栅电极；以及衬底上的层间绝缘层，层间绝缘层围绕栅间隔物，以及层间绝缘层的至少一部分包括锗。