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公开(公告)号：CN100390985C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN03154669.2
申请日：2003-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/10855 , H01L27/10814 , H01L27/10885
Abstract: 一种具有柱型帽盖层的位线结构的半导体器件。一种实现充分的工艺余量和减小寄生电容的制造该器件的方法。该器件可以包括形成在半导体衬底上的绝缘膜，以及具有位线接触孔和凹槽形状的位线图形，位线形成在位线接触和部分位线图形上，并由绝缘膜围绕，位线帽盖层形成在位线图形内的位线和绝缘膜上，从绝缘膜突出。位线帽盖层的突出部分比位线的宽度宽。
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公开(公告)号：CN1658401A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200510009531.8
申请日：2005-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66666 , H01L21/823487 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/78618 , H01L29/78642
Abstract: 公开了一种MOS晶体管，该MOS晶体管包括在垂直方向上从半导体衬底延伸的栅极结构。该栅极结构包括在垂直方向上从衬底延伸的栅电极，以及包围栅电极的绝缘层。沟道图形包围栅绝缘层，以及第一导电图形在垂直于沟道图形并平行于衬底的第一方向上从沟道图形的下部延伸。第二导电图形在垂直于沟道图形并平行于衬底的第二方向上从沟道图形的上部延伸。由此，根据第一和第二导电图形之间的距离，决定MOS晶体管的沟道长度，以及通过栅极结构的直径决定MOS晶体管的沟道宽度。
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公开(公告)号：CN101807575B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN200910265299.2
申请日：2009-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L23/522 , H01L21/8239 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/76816 , H01L23/485 , H01L27/10855 , H01L27/10888 , H01L27/11 , H01L27/11517 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了包括接触塞的半导体器件及相关方法。半导体器件包括半导体层，该半导体层包括第一区域和第二区域；第一接触塞，该第一接触塞布置在半导体层上并且电气地连接至第一区域；第二接触塞，该第二接触塞布置在半导体层上并且电气地连接至第二区域；导电层，该导电层电气地连接至第一接触塞，该导电层具有侧面和底面；以及绝缘层，该绝缘层布置在导电层和第二接触塞之间以便于绝缘导电层和第二接触塞，该绝缘层面对导电层的底面的一部分和侧面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1490871A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN03154669.2
申请日：2003-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/10855 , H01L27/10814 , H01L27/10885
Abstract: 一种具有柱型帽盖层的位线结构的半导体器件。一种实现充分的工艺余量和减小寄生电容的制造该器件的方法。该器件可以包括形成在半导体衬底上的绝缘膜，以及具有位线接触和凹槽形状的位线图形，位线形成在位线接触和部分位线图形上，并由绝缘膜围绕，位线帽盖层形成在位线图形内的位线和绝缘膜上，从绝缘膜突出。位线帽盖层的突出部分比位线的宽度宽。
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公开(公告)号：CN102122656A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201010521278.5
申请日：2010-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L27/10 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10897 , H01L27/105 , H01L27/10823 , H01L27/10876 , H01L27/10894 , H01L29/0657 , H01L29/42356 , H01L29/66666 , H01L29/7827
Abstract: 本发明提供了一种竖直型集成电路器件和存储器件。该竖直型集成电路器件包括衬底以及从该衬底竖直地突出的柱。柱包括其中的下杂质区和上杂质区以及在两者之间的竖直沟道区。柱的其中包括下杂质区的部分包括从该柱横向地延伸的台面。器件还包括第一导电线和第二导电线，第一导电线在柱的第一侧壁上延伸并电接触下杂质区，第二导电线在柱的邻近竖直沟道区的第二侧壁上延伸。第二导电线在垂直于第一导电线的方向上延伸并与台面间隔开。还论述了相关器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101807575A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200910265299.2
申请日：2009-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L23/522 , H01L21/8239 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/76816 , H01L23/485 , H01L27/10855 , H01L27/10888 , H01L27/11 , H01L27/11517 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了包括接触塞的半导体器件及相关方法。半导体器件包括半导体层，该半导体层包括第一区域和第二区域；第一接触塞，该第一接触塞布置在半导体层上并且电气地连接至第一区域；第二接触塞，该第二接触塞布置在半导体层上并且电气地连接至第二区域；导电层，该导电层电气地连接至第一接触塞，该导电层具有侧面和底面；以及绝缘层，该绝缘层布置在导电层和第二接触塞之间以便于绝缘导电层和第二接触塞，该绝缘层面对导电层的底面的一部分和侧面。
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公开(公告)号：CN102122656B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201010521278.5
申请日：2010-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L27/10 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10897 , H01L27/105 , H01L27/10823 , H01L27/10876 , H01L27/10894 , H01L29/0657 , H01L29/42356 , H01L29/66666 , H01L29/7827
Abstract: 本发明提供了一种竖直型集成电路器件和存储器件。该竖直型集成电路器件包括衬底以及从该衬底竖直地突出的柱。柱包括其中的下杂质区和上杂质区以及在两者之间的竖直沟道区。柱的其中包括下杂质区的部分包括从该柱横向地延伸的台面。器件还包括第一导电线和第二导电线，第一导电线在柱的第一侧壁上延伸并电接触下杂质区，第二导电线在柱的邻近竖直沟道区的第二侧壁上延伸。第二导电线在垂直于第一导电线的方向上延伸并与台面间隔开。还论述了相关器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101051637A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710096708.1
申请日：2007-04-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/822
CPC classification number: H01L29/7851 , H01L29/42384 , H01L29/66795
Abstract: 使用光刻胶掩模图形制造半导体器件，以及有选择地除去单元区和外围电路区中的部分里衬氮化物层。形成改进的FinFET，以减小由单元区中的相邻栅极线传送的信号的影响。与改进的FinFET的形成同时，在核心区和外围区中分别形成双FinFET和基本上平坦的MOSFET。
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