公开(公告)号：CN100390985C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN03154669.2

申请日：2003-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑文谟 ,  李昌宪 ,  吉田诚

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/10855 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10885

Abstract: 一种具有柱型帽盖层的位线结构的半导体器件。一种实现充分的工艺余量和减小寄生电容的制造该器件的方法。该器件可以包括形成在半导体衬底上的绝缘膜，以及具有位线接触孔和凹槽形状的位线图形，位线形成在位线接触和部分位线图形上，并由绝缘膜围绕，位线帽盖层形成在位线图形内的位线和绝缘膜上，从绝缘膜突出。位线帽盖层的突出部分比位线的宽度宽。

公开(公告)号：CN1240121C

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200310101393.7

申请日：2003-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌宪 ,  郑文谟

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L21/31116 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885

Abstract: 根据本发明的一个实施例的半导体器件的制造方法包括：制备具有第一接触焊盘和第二接触焊盘的半导体衬底；在衬底上形成第一绝缘膜；蚀刻第一绝缘膜形成接触和槽形位线图形，露出第一接触焊盘和第二接触焊盘；同时分别在接触和位线图形中形成接触栓塞和位线，接触栓塞和位线具有共平面的上表面；以及形成连接到第一接触焊盘的电容器的下电极。

公开(公告)号：CN1497701A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310101393.7

申请日：2003-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌宪 ,  郑文谟

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L21/31116 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885

Abstract: 根据本发明的一个实施例的半导体器件的制造方法包括：制备具有第一接触焊盘和第二接触焊盘的半导体衬底；在衬底上形成第一绝缘膜；蚀刻第一绝缘膜形成接触和槽形位线图形，露出第一接触焊盘和第二接触焊盘；同时分别在接触和位线图形中形成接触栓塞和位线，接触栓塞和位线具有共平面的上表面；以及形成连接到第一接触焊盘的电容器的下电极。

公开(公告)号：CN1490871A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN03154669.2

申请日：2003-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑文谟 ,  李昌宪 ,  吉田诚

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/10855 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10885

Abstract: 一种具有柱型帽盖层的位线结构的半导体器件。一种实现充分的工艺余量和减小寄生电容的制造该器件的方法。该器件可以包括形成在半导体衬底上的绝缘膜，以及具有位线接触和凹槽形状的位线图形，位线形成在位线接触和部分位线图形上，并由绝缘膜围绕，位线帽盖层形成在位线图形内的位线和绝缘膜上，从绝缘膜突出。位线帽盖层的突出部分比位线的宽度宽。