公开(公告)号：CN115602687A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210793148.X

申请日：2022-07-05

Applicant: 三星电子株式会社(KR)

Inventor： 李义福 ,  金洛焕 ,  金完敦 ,  卢宣颖 ,  张瀚珉

IPC: H01L27/105

Abstract: 一种半导体器件，包括：下部结构，包括衬底；第一互连层，在下部结构上沿第一方向延伸并且包括第一金属；第一通路，与第一互连层的上表面的一部分接触并且包括第二金属；第二通路，与第一通路的上表面的至少一部分接触，并且具有比第一通路的最大宽度窄的最大宽度；以及第二互连层，连接到第二通路并在第二方向上延伸。第一互连层具有倾斜侧表面，在第一互连层的倾斜侧表面中第一互连层的宽度朝向第一互连层的上部区域变窄，并且第一通路具有倾斜侧表面，在第一通路的倾斜侧表面中第一通路的宽度朝向第一通路的上部区域变窄。

公开(公告)号：CN114678346A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202111375811.6

申请日：2021-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李义福 ,  金洛焕 ,  金完敦 ,  南瑞祐 ,  卢宣颖 ,  朴基澈 ,  辛宗灿 ,  李民主 ,  李贤培 ,  河承锡

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L27/092

Abstract: 公开一种半导体器件，该半导体器件包括：基板；在基板上的第一层间电介质层；在第一层间电介质层中的多个第一通路；在第一层间电介质层上的第二层间电介质层；以及在第二层间电介质层中的第一电源线和第一下部线，电连接到第一通路中的相应的第一通路。第一电源线的在第一方向上的第一宽度大于第一下部线的在第一方向上的第二宽度。第一电源线包括第一金属材料。第一下部线包括第二金属材料。第一通路包括第三金属材料。第一金属材料、第二金属材料和第三金属材料彼此不同。

公开(公告)号：CN112447848A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010699618.7

申请日：2020-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢宣颖 ,  金完敦 ,  李贤培 ,  柳东坤 ,  林东灿

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：位于衬底上的层间介电层；填充所述层间介电层的第一沟槽的第一连接线，所述第一沟槽具有第一宽度；以及填充所述层间介电层的第二沟槽的第二连接线，所述第二沟槽具有大于所述第一宽度的第二宽度，并且所述第二连接线包括：覆盖所述第二沟槽的内侧壁的第一金属层，覆盖所述第二沟槽的底表面的阻挡层，以及位于所述第一金属层和所述阻挡层上的第二金属层，所述第一连接线和所述第一金属层包括第一金属，并且所述第二金属层包括不同于所述第一金属的第二金属。