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    Combinatorial processing including stirring
    3.
    发明授权
    Combinatorial processing including stirring 有权
    组合加工包括搅拌

    公开(公告)号：US07960313B2

    公开(公告)日：2011-06-14

    申请号：US11763180

    申请日：2007-06-14

    申请人： Zachary Fresco ,  Nitin Kumar

    发明人： Zachary Fresco ,  Nitin Kumar

    IPC分类号： C40B60/14 ,  C40B60/00 ,  B01L3/00 ,  B01L99/00

    CPC分类号： B01J19/0046 ,  B01J2219/00333 ,  B01J2219/00364 ,  B01J2219/00389 ,  B01J2219/00481 ,  B01J2219/00527 ,  B01J2219/00596 ,  B01J2219/00756

    摘要： Combinatorial processing including stirring is described, including defining multiple regions of a substrate, processing the multiple regions of the substrate in a combinatorial manner, introducing a fluid into a first aperture at a first end of a body to dispense the fluid out of a second aperture at a second end of the body and into one of the multiple regions, and agitating the fluid using an impeller at a second end of the body to facilitate interaction of the fluid with a surface of the substrate.

    摘要翻译： 描述了包括搅拌在内的组合处理，包括限定衬底的多个区域，以组合的方式处理衬底的多个区域，将流体引入到身体的第一端的第一孔中，以将流体从第二孔 在所述主体的第二端并且进入所述多个区域之一，并且在所述主体的第二端处使用叶轮来搅动所述流体，以促进所述流体与所述基板的表面的相互作用。

    Methods For Improving Selectivity of Electroless Deposition Processes
    4.
    发明申请
    Methods For Improving Selectivity of Electroless Deposition Processes 有权
    提高无电沉积工艺选择性的方法

    公开(公告)号：US20090291275A1

    公开(公告)日：2009-11-26

    申请号：US12471310

    申请日：2009-05-22

    申请人： Jinhong Tong ,  Zhi-Wen Sun ,  Chi-I Lang ,  Nitin Kumar ,  Bob Kong ,  Zachary Fresco

    发明人： Jinhong Tong ,  Zhi-Wen Sun ,  Chi-I Lang ,  Nitin Kumar ,  Bob Kong ,  Zachary Fresco

    IPC分类号： B32B3/00 ,  B05D5/12 ,  B05D3/04

    CPC分类号： H01L21/288 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/168 ,  C23C18/50 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76849

    摘要： Methods for improving selective deposition of a capping layer on a patterned substrate are presented, the method including: receiving the patterned substrate, the patterned substrate including a conductive region and a dielectric region; forming a molecular masking layer (MML) on the dielectric region; preparing an electroless (ELESS) plating bath, where the ELESS plating bath includes: a cobalt (Co) ion source: a complexing agent: a buffer: a tungsten (W) ion source: and a reducing agent; and reacting the patterned substrate with the ELESS plating bath for an ELESS period at an ELESS temperature and an ELESS pH so that the capping layer is selectively formed on the conductive region. In some embodiments, methods further include a pH adjuster for adjusting the ELESS pH to a range of approximately 9.0 pH to 9.2 pH. In some embodiments, the pH adjuster is tetramethylammonium hydroxide (TMAH). In some embodiments, the MML is hydrophilic.

    摘要翻译： 提出了用于改善在图案化衬底上的覆盖层的选择性沉积的方法，所述方法包括：接收图案化衬底，所述图案化衬底包括导电区域和电介质区域; 在介电区上形成分子屏蔽层（MML）; 制备无电镀（ELESS）电镀浴，其中ELESS电镀浴包括：钴（Co）离子源：络合剂：缓冲剂：钨（W）离子源和还原剂; 并在ELESS温度和ELESS pH下使图案化衬底与ELESS电镀浴反应ELESS周期，从而在导电区域上选择性地形成覆盖层。 在一些实施方案中，方法还包括用于将ELESS pH调节至约9.0 pH至9.2 pH范围的pH调节剂。 在一些实施方案中，pH调节剂是氢氧化四甲基铵（TMAH）。 在一些实施方案中，MML是亲水的。

    Methods for improving selectivity of electroless deposition processes
    7.
    发明授权
    Methods for improving selectivity of electroless deposition processes 有权
    提高无电沉积工艺选择性的方法

    公开(公告)号：US08551560B2

    公开(公告)日：2013-10-08

    申请号：US12471310

    申请日：2009-05-22

    申请人： Jinhong Tong ,  Zhi-Wen Sun ,  Chi-I Lang ,  Nitin Kumar ,  Bob Kong ,  Zachary Fresco

    发明人： Jinhong Tong ,  Zhi-Wen Sun ,  Chi-I Lang ,  Nitin Kumar ,  Bob Kong ,  Zachary Fresco

    IPC分类号： C23C18/18 ,  C23C18/34 ,  C23C18/36 ,  C23C18/50

    CPC分类号： H01L21/288 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/168 ,  C23C18/50 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76849

    摘要： Methods for improving selective deposition of a capping layer on a patterned substrate are presented, the method including: receiving the patterned substrate, the patterned substrate including a conductive region and a dielectric region; forming a molecular masking layer (MML) on the dielectric region; preparing an electroless (ELESS) plating bath, where the ELESS plating bath includes: a cobalt (Co) ion source: a complexing agent: a buffer: a tungsten (W) ion source: and a reducing agent; and reacting the patterned substrate with the ELESS plating bath for an ELESS period at an ELESS temperature and an ELESS pH so that the capping layer is selectively formed on the conductive region. In some embodiments, methods further include a pH adjuster for adjusting the ELESS pH to a range of approximately 9.0 pH to 9.2 pH. In some embodiments, the pH adjuster is tetramethylammonium hydroxide (TMAH). In some embodiments, the MML is hydrophilic.

    摘要翻译： 提出了用于改善在图案化衬底上的覆盖层的选择性沉积的方法，所述方法包括：接收图案化衬底，所述图案化衬底包括导电区域和电介质区域; 在介电区上形成分子屏蔽层（MML）; 制备无电镀（ELESS）电镀浴，其中ELESS电镀浴包括：钴（Co）离子源：络合剂：缓冲剂：钨（W）离子源和还原剂; 并在ELESS温度和ELESS pH下使图案化衬底与ELESS电镀浴反应ELESS周期，从而在导电区域上选择性地形成覆盖层。 在一些实施方案中，方法还包括用于将ELESS pH调节至约9.0 pH至9.2 pH范围的pH调节剂。 在一些实施方案中，pH调节剂是氢氧化四甲基铵（TMAH）。 在一些实施方案中，MML是亲水的。

    Combinatorial Processing Including Stirring
    8.
    发明申请
    Combinatorial Processing Including Stirring 审中-公开
    组合加工包括搅拌

    公开(公告)号：US20110199853A1

    公开(公告)日：2011-08-18

    申请号：US13096675

    申请日：2011-04-28

    申请人： Zachary Fresco ,  Nitin Kumar

    发明人： Zachary Fresco ,  Nitin Kumar

    IPC分类号： B01F15/00 ,  B05D3/00 ,  B08B3/00

    CPC分类号： B01J19/0046 ,  B01J2219/00333 ,  B01J2219/00364 ,  B01J2219/00389 ,  B01J2219/00481 ,  B01J2219/00527 ,  B01J2219/00596 ,  B01J2219/00756

    摘要： Combinatorial processing including stirring is described, including defining multiple regions of a substrate, processing the multiple regions of the substrate in a combinatorial manner, introducing a fluid into a first aperture at a first end of a body to dispense the fluid out of a second aperture at a second end of the body and into one of the multiple regions, and agitating the fluid using an impeller at a second end of the body to facilitate interaction of the fluid with a surface of the substrate.

    摘要翻译： 描述了包括搅拌在内的组合处理，包括限定衬底的多个区域，以组合的方式处理衬底的多个区域，将流体引入到身体的第一端的第一孔中，以将流体从第二孔 在所述主体的第二端并且进入所述多个区域之一，并且在所述主体的第二端处使用叶轮来搅动所述流体，以促进所述流体与所述基板的表面的相互作用。

    Combinatorial Processing Including Stirring
    10.
    发明申请
    Combinatorial Processing Including Stirring 有权
    组合加工包括搅拌

    公开(公告)号：US20080312090A1

    公开(公告)日：2008-12-18

    申请号：US11763180

    申请日：2007-06-14

    申请人： Zachary Fresco ,  Nitin Kumar

    发明人： Zachary Fresco ,  Nitin Kumar

    IPC分类号： C40B20/02 ,  C40B60/10

    CPC分类号： B01J19/0046 ,  B01J2219/00333 ,  B01J2219/00364 ,  B01J2219/00389 ,  B01J2219/00481 ,  B01J2219/00527 ,  B01J2219/00596 ,  B01J2219/00756

    摘要： Combinatorial processing including stirring is described, including defining multiple regions of a substrate, processing the multiple regions of the substrate in a combinatorial manner, introducing a fluid into a first aperture at a first end of a body to dispense the fluid out of a second aperture at a second end of the body and into one of the multiple regions, and agitating the fluid using an impeller at a second end of the body to facilitate interaction of the fluid with a surface of the substrate.

    摘要翻译： 描述了包括搅拌在内的组合处理，包括限定衬底的多个区域，以组合的方式处理衬底的多个区域，将流体引入到身体的第一端的第一孔中，以将流体从第二孔 在所述主体的第二端并且进入所述多个区域之一，并且在所述主体的第二端处使用叶轮来搅动所述流体，以促进所述流体与所述基板的表面的相互作用。