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    Apparatus for drying substrate and method thereof
    1.
    发明申请
    Apparatus for drying substrate and method thereof 失效
    干燥基材的设备及其方法

    公开(公告)号：US20060042722A1

    公开(公告)日：2006-03-02

    申请号：US11158912

    申请日：2005-06-22

    申请人： Sang-Yong Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Woo-Gwan Shim

    发明人： Sang-Yong Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Woo-Gwan Shim

    IPC分类号： B65B1/04

    CPC分类号： H01L21/67051 ,  H01L21/67034

    摘要： An apparatus for drying a substrate using the Marangoni effect is disclosed. The apparatus includes a rotatable supporting portion on which a substrate is placed. A first nozzle for supplying de-ionized water and a second nozzle for supplying isopropyl alcohol vapor are provided on the supporting portion. When the isopropyl alcohol vapor is supplied to the center of the substrate at the initial stage, the amount of alcohol that reaches the substrate is controlled by a controlling portion such that the amount of the second liquid gradually increases.

    摘要翻译： 公开了一种使用Marangoni效应对基板进行干燥的装置。 该装置包括可旋转的支撑部分，放置基板。 用于提供去离子水的第一喷嘴和用于提供异丙醇蒸气的第二喷嘴设置在支撑部分上。 当在初始阶段将异丙醇蒸汽供应到基材的中心时，通过控制部分控制到达基板的醇的量，使得第二液体的量逐渐增加。

    Method of manufacturing capacitor of semiconductor device
    2.
    发明授权
    Method of manufacturing capacitor of semiconductor device 有权
    制造半导体器件电容器的方法

    公开(公告)号：US07435644B2

    公开(公告)日：2008-10-14

    申请号：US11329577

    申请日：2006-01-11

    申请人： Woo-Gwan Shim ,  Jung-Min Oh ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Sang-Yong Kim

    发明人： Woo-Gwan Shim ,  Jung-Min Oh ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Sang-Yong Kim

    IPC分类号： H01L21/8242

    CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852

    摘要： Provided is a method of manufacturing a capacitor of a semiconductor device, which can prevent tilting or an electrical short of a lower electrode. In the method, a mesh-type bridge insulating layer is formed above the contact plug on a mold oxide layer. The mold oxide layer and the bridge insulating layer are etched to define an electrode region. The mold oxide layer is removed using an etching gas having an etch selectivity of 500 or greater for the mold oxide layer with respect to the bridge insulating layer.

    摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的电容器的方法，其可以防止下电极的倾斜或电短路。 在该方法中，在模具氧化物层上的接触插塞上方形成网状桥接绝缘层。 蚀刻模具氧化物层和桥接绝缘层以限定电极区域。 使用相对于桥接绝缘层的模具氧化物层的蚀刻选择性为500以上的蚀刻气体去除模具氧化物层。

    Transistor having a metal nitride layer pattern, etchant and methods of forming the same
    3.
    发明申请
    Transistor having a metal nitride layer pattern, etchant and methods of forming the same 有权
    具有金属氮化物层图案的晶体管，蚀刻剂及其形成方法

    公开(公告)号：US20060189148A1

    公开(公告)日：2006-08-24

    申请号：US11358082

    申请日：2006-02-22

    申请人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

    发明人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

    IPC分类号： H01L21/302 ,  C09K13/00 ,  H01L29/94

    CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/02 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

    摘要： A transistor having a metal nitride layer pattern, etchant and methods of forming the same is provided. A gate insulating layer and/or a metal nitride layer may be formed on a semiconductor substrate. A mask layer may be formed on the metal nitride layer. Using the mask layer as an etching mask, an etching process may be performed on the metal nitride layer, forming the metal nitride layer pattern. An etchant, which may have an oxidizing agent, a chelate agent and/or a pH adjusting mixture, may perform the etching. The methods may reduce etching damage to a gate insulating layer under the metal nitride layer pattern during the formation of a transistor.

    摘要翻译： 提供具有金属氮化物层图案的晶体管，蚀刻剂及其形成方法。 可以在半导体衬底上形成栅极绝缘层和/或金属氮化物层。 掩模层可以形成在金属氮化物层上。 使用掩模层作为蚀刻掩模，可以对金属氮化物层进行蚀刻处理，形成金属氮化物层图案。 可以具有氧化剂，螯合剂和/或pH调节混合物的蚀刻剂可以进行蚀刻。 在形成晶体管期间，这些方法可以减少金属氮化物层图案下的栅极绝缘层的蚀刻损伤。

    Apparatus for drying substrate and method thereof
    4.
    发明授权
    Apparatus for drying substrate and method thereof 失效
    干燥基材的设备及其方法

    公开(公告)号：US07322385B2

    公开(公告)日：2008-01-29

    申请号：US11158912

    申请日：2005-06-22

    申请人： Sang-Yong Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Woo-Gwan Shim

    发明人： Sang-Yong Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Woo-Gwan Shim

    IPC分类号： B65B1/04

    CPC分类号： H01L21/67051 ,  H01L21/67034

    摘要： An apparatus for drying a substrate using the Marangoni effect is disclosed. The apparatus includes a rotatable supporting portion on which a substrate is placed. A first nozzle for supplying de-ionized water and a second nozzle for supplying isopropyl alcohol vapor are provided on the supporting portion. When the isopropyl alcohol vapor is supplied to the center of the substrate at the initial stage, the amount of alcohol that reaches the substrate is controlled by a controlling portion such that the amount of the second liquid gradually increases.

    摘要翻译： 公开了一种使用Marangoni效应对基板进行干燥的装置。 该装置包括可旋转的支撑部分，放置基板。 用于提供去离子水的第一喷嘴和用于提供异丙醇蒸气的第二喷嘴设置在支撑部分上。 当在初始阶段将异丙醇蒸汽供应到基材的中心时，通过控制部分控制到达基板的醇的量，使得第二液体的量逐渐增加。

    Methods of fabricating a semiconductor device
    5.
    发明申请
    Methods of fabricating a semiconductor device 审中-公开
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20070254425A1

    公开(公告)日：2007-11-01

    申请号：US11654543

    申请日：2007-01-18

    申请人： Sang-Yong Kim ,  Mong-Sup Lee ,  Chang-Ki Hong ,  Woo-Gwan Shim

    发明人： Sang-Yong Kim ,  Mong-Sup Lee ,  Chang-Ki Hong ,  Woo-Gwan Shim

    IPC分类号： H01L21/8238

    CPC分类号： H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/1052

    摘要： Example embodiments of the present invention relates to methods of fabricating a semiconductor device. Other example embodiments of the present invention relate to methods of fabricating a semiconductor device using a metal nitride layer as a gate electrode. The methods may include providing a semiconductor substrate having a first region and a second region. A gate insulating layer, a metal nitride layer and/or an amorphous carbon layer may be sequentially formed on the substrate. The amorphous carbon layer may be selectively etched, forming an amorphous carbon mask covering the first region. The metal nitride layer, exposed by the amorphous carbon mask, may be etched, forming a preliminary metal nitride pattern. The amorphous carbon mask may be removed.

    摘要翻译： 本发明的示例性实施例涉及制造半导体器件的方法。 本发明的其他示例性实施例涉及使用金属氮化物层作为栅电极制造半导体器件的方法。 所述方法可以包括提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底。 可以在衬底上依次形成栅极绝缘层，金属氮化物层和/或非晶碳层。 可以选择性地蚀刻无定形碳层，形成覆盖第一区域的无定形碳掩模。 可以蚀刻由非晶碳掩模曝光的金属氮化物层，形成初步的金属氮化物图案。 可以除去无定形碳掩模。

    Transistor having a metal nitride layer pattern, etchant and methods of forming the same
    7.
    发明授权
    Transistor having a metal nitride layer pattern, etchant and methods of forming the same 有权
    具有金属氮化物层图案的晶体管，蚀刻剂及其形成方法

    公开(公告)号：US08637942B2

    公开(公告)日：2014-01-28

    申请号：US12461992

    申请日：2009-08-31

    申请人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

    发明人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

    IPC分类号： H01L29/78

    CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/02 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

    摘要： A transistor having a metal nitride layer pattern, etchant and methods of forming the same is provided. A gate insulating layer and/or a metal nitride layer may be formed on a semiconductor substrate. A mask layer may be formed on the metal nitride layer. Using the mask layer as an etching mask, an etching process may be performed on the metal nitride layer, forming the metal nitride layer pattern. An etchant, which may have an oxidizing agent, a chelate agent and/or a pH adjusting mixture, may perform the etching. The methods may reduce etching damage to a gate insulating layer under the metal nitride layer pattern during the formation of a transistor.

    摘要翻译： 提供具有金属氮化物层图案的晶体管，蚀刻剂及其形成方法。 可以在半导体衬底上形成栅极绝缘层和/或金属氮化物层。 掩模层可以形成在金属氮化物层上。 使用掩模层作为蚀刻掩模，可以对金属氮化物层进行蚀刻处理，形成金属氮化物层图案。 可以具有氧化剂，螯合剂和/或pH调节混合物的蚀刻剂可以进行蚀刻。 在形成晶体管期间，这些方法可以减少金属氮化物层图案下的栅极绝缘层的蚀刻损伤。

    Cleaning solution for silicon surface and methods of fabricating semiconductor device using the same
    10.
    发明申请
    Cleaning solution for silicon surface and methods of fabricating semiconductor device using the same 有权
    硅表面清洗液及使用其制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20070178706A1

    公开(公告)日：2007-08-02

    申请号：US11656470

    申请日：2007-01-23

    申请人： Sang-Yong Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Woo-Gwan Shim

    发明人： Sang-Yong Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Woo-Gwan Shim

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/02063

    摘要： A cleaning solution and methods of fabricating semiconductor devices using the same are provided. A cleaning solution used for cleaning a silicon surface and methods of fabricating a semiconductor device using the same are also provided. The cleaning solution may include 0.01 to 1 wt % of fluoric acid, 20 to 50 wt % of oxidizer and 50 to 80 wt % of water. The cleaning solution may further include 1 to 20 wt % of acetic acid. The cleaning solution may be used Lo clean a silicon surface exposed during fabrication processes of a semiconductor device. The cleaning solution may reduce damage of other material layers (e.g., a tungsten layer or a silicon oxide layer) and enable the silicon surface to be selectively etched.

    摘要翻译： 提供一种清洁溶液和使用其制造半导体器件的方法。 还提供了用于清洁硅表面的清洁溶液以及使用其制造半导体器件的方法。 清洗液可以含有0.01〜1重量％的氟酸，20〜50重量％的氧化剂和50〜80重量％的水。 清洗溶液还可以含有1〜20重量％的乙酸。 可以使用清洁溶液Lo清洁在半导体器件的制造过程中暴露的硅表面。 清洁溶液可以减少其它材料层（例如，钨层或氧化硅层）的损伤，并且能够选择性地蚀刻硅表面。