公开(公告)号：US20170062070A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：US15227945

申请日：2016-08-03

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： SANGKWON MOON ,  SEJEONG JANG ,  Heewon LEE

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/16 ,  G06F11/00 ,  G11C16/04 ,  G11C29/42 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C16/3495 ,  G06F11/008 ,  G06F11/073 ,  G06F11/0754 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/12 ,  G11C16/16 ,  G11C16/26 ,  G11C16/349 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/42

Abstract: A method for operating a storage device including a flash memory, comprising: determining a data reliability level of the flash memory; comparing the data reliability level with a threshold; and changing an operating condition of the flash memory to improve the data reliability level of the flash memory when the data reliability level of the flash memory is lower than the threshold.

Abstract translation: 一种用于操作包括闪速存储器的存储设备的方法，包括：确定闪速存储器的数据可靠性水平; 将数据可靠性水平与阈值进行比较; 以及当闪速存储器的数据可靠性水平低于阈值时，改变闪速存储器的操作状态以提高闪速存储器的数据可靠性水平。