公开(公告)号：US08633528B2

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：US13674513

申请日：2012-11-12

Applicant: SanDisk 3D LLC

Inventor： Huiwen Xu ,  Er-Xuan Ping ,  Roy E. Scheuerlein

IPC: H01L29/76

CPC classification number: H01L45/12 ,  H01L27/10 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/24 ,  H01L45/16

Abstract: A memory is described that includes a shared diode layer and a memory element coupled to the diode layer. The memory element has a pie slice-shape, and includes a sidewall having a carbon film thereon. Numerous other aspects are also disclosed.

Abstract translation: 描述了包括共享二极管层和耦合到二极管层的存储元件的存储器。 存储元件具有饼状形状，并且包括其上具有碳膜的侧壁。 还公开了许多其它方面。

公开(公告)号：US20130183829A1

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：US13760877

申请日：2013-02-06

Applicant: SANDISK 3D LLC

Inventor： Huiwen Xu ,  Yung-Tin Chen ,  Steven J. Radigan

IPC: H01L21/308

CPC classification number: H01L21/3088 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021

Abstract: A method is provided that includes forming completely distinct first features above a substrate, forming sidewall spacers on the first features, filling spaces between adjacent sidewall spacers with filler features, and removing the sidewall spacers. Numerous other aspects are provided.

Abstract translation: 提供了一种方法，其包括在基底上形成完全不同的第一特征，在第一特征上形成侧壁间隔物，在填充物特征之间填充相邻侧壁间隔物之间​​的空间，以及去除侧壁间隔物。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US08658526B2

公开(公告)日：2014-02-25

申请号：US13760877

申请日：2013-02-06

Applicant: SanDisk 3D LLC

Inventor： Huiwen Xu ,  Yung-Tin Chen ,  Steven J. Radigan

IPC: H01L21/44

CPC classification number: H01L21/3088 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021

Abstract: A method is provided that includes forming completely distinct first features above a substrate, forming sidewall spacers on the first features, filling spaces between adjacent sidewall spacers with filler features, and removing the sidewall spacers. Numerous other aspects are provided.

Abstract translation: 提供了一种方法，其包括在基底上形成完全不同的第一特征，在第一特征上形成侧壁间隔物，在填充物特征之间填充相邻侧壁间隔物之间​​的空间，以及去除侧壁间隔物。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US20140252298A1

公开(公告)日：2014-09-11

申请号：US13792100

申请日：2013-03-10

Applicant: SANDISK 3D LLC

Inventor： Yubao Li ,  Chu-Chen Fu ,  Timothy James Minvielle ,  Huiwen Xu

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1616 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

Abstract: In some aspects, a memory cell is provided that includes a first conducting layer, a reversible resistance switching element above the first conducting layer, a second conducting layer above the reversible resistance switching element, and a liner disposed about a sidewall of the reversible resistance switching element. The reversible resistance switching element includes a first metal oxide material, and the liner includes the first metal oxide material. Numerous other aspects are provided.

Abstract translation: 在一些方面，提供一种存储单元，其包括第一导电层，位于第一导电层上方的可逆电阻开关元件，可逆电阻开关元件上方的第二导电层以及围绕可逆电阻开关侧壁设置的衬垫 元件。 可逆电阻切换元件包括第一金属氧化物材料，并且衬垫包括第一金属氧化物材料。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US20130313503A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：US13674513

申请日：2012-11-12

Applicant: SanDisk 3D LLC

Inventor： Huiwen Xu ,  Er-Xuan Ping ,  Roy E. Scheuerlein

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/12 ,  H01L27/10 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/24 ,  H01L45/16

Abstract: A memory is described that includes a shared diode layer and a memory element coupled to the diode layer. The memory element has a pie slice-shape, and includes a sidewall having a carbon film thereon. Numerous other aspects are also disclosed.

Abstract translation: 描述了包括共享二极管层和耦合到二极管层的存储元件的存储器。 存储元件具有饼状形状，并且包括其上具有碳膜的侧壁。 还公开了许多其它方面。