公开(公告)号：US09368367B2

公开(公告)日：2016-06-14

申请号：US12422771

申请日：2009-04-13

申请人： Rajiv K. Singh ,  Arul Chakkaravarthi Arjunan ,  Dibakar Das ,  Deepika Singh ,  Abhudaya Mishra ,  Tanjore V. Jayaraman

发明人： Rajiv K. Singh ,  Arul Chakkaravarthi Arjunan ,  Dibakar Das ,  Deepika Singh ,  Abhudaya Mishra ,  Tanjore V. Jayaraman

IPC分类号： C09K3/14 ,  C23F1/14 ,  H01L21/3105 ,  C09G1/02 ,  H01L21/04 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C23F1/14 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/30625

摘要： Slurry compositions and chemically activated CMP methods for polishing a substrate having a silicon carbide surface using such slurries. In such methods, the silicon carbide surface is contacted with a CMP slurry composition that comprises i) a liquid carrier and ii) a plurality of particles having at least a soft surface portion, wherein the soft surface portion includes a transition metal compound that provides a Mohs hardness

摘要翻译： 用于使用这种浆料抛光具有碳化硅表面的基材的浆料组合物和化学活化的CMP方法。 在这种方法中，碳化硅表面与CMP浆料组合物接触，CMP浆料组合物包括i）液体载体和ii）至少具有软表面部分的多个颗粒，其中软表面部分包括过渡金属化合物，其提供 莫氏硬度<6，任选地iii）氧化剂。 氧化剂可以包括过渡金属。 浆料相对于包含碳化硅的表面移动，其中去除至少一部分碳化硅表面。

公开(公告)号：US20110221039A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US12723309

申请日：2010-03-12

申请人： Rajiv K. Singh ,  Arul Chakkaravarthi Arjunan ,  Deepika Singh

发明人： Rajiv K. Singh ,  Arul Chakkaravarthi Arjunan ,  Deepika Singh

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0201 ,  C30B25/186 ,  C30B29/36 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/30617 ,  H01L21/30625 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003

摘要： An epitaxial article includes a substrate having a substrate surface having a substrate surface composition including crystalline defect or amorphous regions and crystalline non-defect regions. The crystalline defect or amorphous regions are recessed from the substrate surface by surface recess regions. A capping material fills the surface recess regions to provide capped defects that extend from a top of the defect regions to the substrate surface. The capping material is compositionally different from the substrate surface composition. An epitaxial layer over the substrate surface provides an average crystalline defect density in at least one area having a size ≧0.5 μm2 that is ≧ two times lower than an average crystalline defect density in that area at or below the substrate surface.

摘要翻译： 外延制品包括具有基板表面的基板，该基板表面具有包括晶体缺陷或非晶区域和晶体非缺陷区域的基板表面组成。 结晶缺陷或无定形区域通过表面凹陷区域从衬底表面凹陷。 封盖材料填充表面凹陷区域以提供从缺陷区域的顶部延伸到衬底表面的封盖缺陷。 封盖材料在组成上不同于基材表面组合物。 在衬底表面上的外延层提供至少一个尺寸≥0.5μm2的区域中的平均晶体缺陷密度，该面积比衬底表面处或下面区域的平均结晶缺陷密度低两倍。

公开(公告)号：US07042899B1

公开(公告)日：2006-05-09

申请号：US09851181

申请日：2001-05-08

申请人： Theodore F. Vaida ,  Rajiv K. Singh ,  Peter Gasperini

发明人： Theodore F. Vaida ,  Rajiv K. Singh ,  Peter Gasperini

IPC分类号： H04L12/66

CPC分类号： H04L49/351 ,  H04L49/109 ,  H04L49/45 ,  H04L49/552

摘要： The present invention provides an application specific integrated circuit and a method of operation thereof. In one advantageous embodiment, the application specific integrated circuit includes a programmable logic core having an array of dynamically configurable arithmetic logic units. This particular embodiment further includes a network interface subsystem that includes a media access controller. The network interface is configured to employ a first portion of the programmable logic core that interfaces with the media access controller and that is configurable to process control data. This embodiment further includes a data transmission subsystem associated with a memory device, and configured to employ a second portion of the programmable logic core that stores received data from the network interface subsystem to the memory device and sends transmission data from the memory device to the network interface subsystem in response to an instruction from a host system.

摘要翻译： 本发明提供一种专用集成电路及其操作方法。 在一个有利的实施例中，专用集成电路包括具有可动态配置的算术逻辑单元阵列的可编程逻辑核心。 该特定实施例还包括包括媒体访问控制器的网络接口子系统。 网络接口被配置为采用与媒体接入控制器接口并且可配置为处理控制数据的可编程逻辑核心的第一部分。 该实施例还包括与存储器设备相关联的数据传输子系统，并且被配置为使用可编程逻辑核心的第二部分，其将接收到的数据从网络接口子系统存储到存储器设备，并将传输数据从存储器设备发送到网络 接口子系统响应来自主机系统的指令。

公开(公告)号：US5843811A

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：US711126

申请日：1996-09-09

申请人： Rajiv K. Singh ,  Rolf E. Hummel ,  Soon-Moon Jung

发明人： Rajiv K. Singh ,  Rolf E. Hummel ,  Soon-Moon Jung

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/2022

摘要： A method of forming a crystalline thin film from an amorphous semiconductor thin film such as amorphous silicon, by providing a generally planar nucleation inducing member, such as a crystalline silicon wafer, having a number of micro-scale surface contact points and with a hardness equal to or greater than the hardness of the amorphous semiconductor thin film, contacting under pressure the surface contact points of the nucleation inducing member with the exposed surface of the amorphous thin film to form an assembly, annealing the assembly at between 300 to 700 degrees C. for 1 to 24 hours to crystallize the amorphous thin film, and removing the nucleation inducing member.

摘要翻译： 通过提供具有多个微尺度表面接触点和硬度相等的大致平面的成核诱导构件（例如晶体硅晶片），从诸如非晶硅的非晶半导体薄膜形成晶体薄膜的方法 达到或大于非晶半导体薄膜的硬度，在加压下与成核诱导构件的表面接触点与非晶薄膜的暴露表面接触以形成组件，在300-700℃之间退火组件 使无定形薄膜结晶1〜24小时，除去成核诱导部件。

公开(公告)号：US5558789A

公开(公告)日：1996-09-24

申请号：US204509

申请日：1994-03-02

申请人： Rajiv K. Singh

发明人： Rajiv K. Singh

IPC分类号： B23K26/06 ,  C04B41/53 ,  C23C16/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/38 ,  B23K26/00

CPC分类号： C23C16/0263 ,  B23K26/0624 ,  C04B41/53 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/381

摘要： A method of producing an improved adherent interface between a film or coating and a substrate of metal, ceramic, or composite material by laser treatment of the surface. Semi-periodic microscale surface structures of less than 200 microns in magnitude are made by laser radiation of at least 50 pulses with an energy density of 0.01 to 15 J/cm.sup.2 and a duration of 100 femtoseconds to 1 millisecond on each surface area treated.

摘要翻译： 一种通过激光处理表面在金属，陶瓷或复合材料的膜或涂层和基底之间产生改善的粘附界面的方法。 小于200微米的半周期微尺度表面结构的幅度通过至少50个脉冲的激光辐射，每个表面处理的能量密度为0.01至15J / cm 2，持续时间为100飞秒至1毫秒。

公开(公告)号：US20100260977A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：US12759307

申请日：2010-04-13

申请人： Rajiv K. Singh ,  Purushottam Kumar ,  Deepika Singh ,  Arul Chakkaravarthi Arjunan

发明人： Rajiv K. Singh ,  Purushottam Kumar ,  Deepika Singh ,  Arul Chakkaravarthi Arjunan

IPC分类号： B32B3/00 ,  B32B43/00

CPC分类号： B24B37/042 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0543 ,  Y02E10/52 ,  Y10T428/24612

摘要： A method of chemical-mechanical fabrication (CMF) for forming articles having tilted surface features. A substrate is provided having a patterned surface including two different layer compositions or a non-planar surface having at least one protruding or recessed feature, or both. The patterned surface are contacted with a polishing pad having a slurry composition, wherein a portion of surface being polished polishes at a faster polishing rate as compared to another portion to form at least one tilted surface feature. The tilted surface feature has at least one surface portion having a surface tilt angle from 3 to 85 degrees and a surface roughness

摘要翻译： 一种用于形成具有倾斜表面特征的制品的化学机械制造（CMF）的方法。 提供了具有包括两个不同层组合物的图案化表面或具有至少一个突出或凹陷特征或两者的非平面表面的衬底。 图案化表面与具有浆料组合物的抛光垫接触，其中抛光表面的一部分与另一部分相比以更快的抛光速率抛光以形成至少一个倾斜表面特征。 倾斜表面特征具有至少一个表面部分，其具有3至85度的表面倾斜角度和3nm rms的表面粗糙度。 倾斜表面特征包括后CMF高仰角部分和限定最大高度（h）的后CMF低仰角部分，其中倾斜表面特征限定最小横向尺寸（r），并且h /r≥0.05 。

公开(公告)号：US06866793B2

公开(公告)日：2005-03-15

申请号：US10255493

申请日：2002-09-26

申请人： Rajiv K. Singh

发明人： Rajiv K. Singh

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C09K13/00 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  C30B7/00 ,  C30B21/02 ,  C30B28/06 ,  H01L20060101 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321 ,  H01L21/461 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  H01L21/3212

摘要： A slurry includes a plurality of particles and at least one selective adsorption additive. The particles are preferably composite particles including a core surrounded by a shell provided by the selective adsorption additive. The slurry can be used to polish a structure including silicon dioxide or a low K dielectric film and a silicon nitride containing film, such as to form a shallow trench isolation (STI) structure or a metal-dielectric structure. The silicon nitride containing film surface substantially adsorbs the selective adsorption additive, whereas the silicon dioxide or low K dielectric film shows non-substantial adsorption characteristics to the adsorption additive. In another embodiment of the invention, silicon dioxide or low K dielectric film shows non-substantial adsorption of the selective adsorption additive at a pressure above a predetermined first pressure, and substantial adsorption of the selective adsorption additive for pressures below a predetermined second pressure, where the first pressure is greater than the second pressure.

摘要翻译： 浆料包括多个颗粒和至少一种选择性吸附添加剂。 颗粒优选是包括由选择性吸附添加剂提供的壳包围的核的复合颗粒。 浆料可用于抛光包括二氧化硅或低K电介质膜和含氮化硅膜的结构，例如形成浅沟槽隔离（STI）结构或金属 - 电介质结构。 含氮化硅膜表面基本上吸附选择性吸附添加剂，而二氧化硅或低K电介质膜对吸附添加剂显示出非实质的吸附特性。 在本发明的另一个实施方案中，二氧化硅或低K电介质膜在高于预定的第一压力的压力下显示非选择性吸附选择性吸附添加剂，并且在低于预定的第二压力的情况下显着吸附选择性吸附添加剂， 第一压力大于第二压力。

公开(公告)号：US5473138A

公开(公告)日：1995-12-05

申请号：US91220

申请日：1993-07-13

申请人： Rajiv K. Singh ,  Brij M. Moudgil ,  Sanjay Behl ,  Deepika Bhattacharya

发明人： Rajiv K. Singh ,  Brij M. Moudgil ,  Sanjay Behl ,  Deepika Bhattacharya

IPC分类号： B23K26/06 ,  B23K26/36 ,  B23K26/40 ,  B29C35/08 ,  B29C59/16 ,  C04B41/00 ,  C04B41/80 ,  C21D1/09 ,  C22F3/00 ,  H05K1/03 ,  H05K3/38 ,  B23K26/00

CPC分类号： C22F3/00 ,  A61F2/30771 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/362 ,  B23K26/40 ,  B23K26/402 ,  B29C59/16 ,  C04B41/0036 ,  C04B41/009 ,  C04B41/80 ,  C21D1/09 ,  A61F2002/3097 ,  A61F2310/00011 ,  A61F2310/00179 ,  B23K2203/16 ,  B23K2203/42 ,  B23K2203/50 ,  B23K2203/52 ,  B29C2035/0827 ,  B29C2035/0838 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/381 ,  H05K3/382

摘要： A method for increasing the surface area and roughness of metals, ceramics and composites on a micro-scale, and the surfaces themselves, is disclosed whereby a laser beam having a radiation wavelength of from UV to infrared is pulsed onto the surface of the material. The energy density of the radiation is between 0.01 to 15 J/cm.sup.2 and at least 50 pulses of radiation having duration of from 1 picosecond to 1 millisecond are used on each area. The surface structures formed are semi-periodic and are from 1/4 to several hundred microns in magnitude.

摘要翻译： 公开了一种用于增加微尺度上的金属，陶瓷和复合材料的表面积和粗糙度以及表面本身的方法，由此将具有从UV到红外的辐射波长的激光束脉冲到材料的表面上。 辐射的能量密度在0.01至15J / cm 2之间，并且在每个区域上使用持续时间为1皮秒至1毫秒的至少50个脉冲的辐射。 所形成的表面结构是半周期性的，其数量级为1/4至几百微米。

公开(公告)号：US20120252213A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：US13073582

申请日：2011-03-28

申请人： Rajiv K. Singh ,  Arul Chakkaravarthi Arjunan ,  Deepika Singh ,  Abhudaya Mishra

发明人： Rajiv K. Singh ,  Arul Chakkaravarthi Arjunan ,  Deepika Singh ,  Abhudaya Mishra

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/02024

摘要： A method of chemically-mechanically polishing a substrate having a Group III-nitride surface includes providing a chemical-mechanical polishing slurry composition. The slurry composition includes a slurry solution including a liquid carrier and an oxidizer including a transition metal or a per-based compound. The slurry solution includes at least one component that reacts with the Group III-nitride surface to form a softened Group III-nitride surface. The Group III-nitride comprising surface is contacted with the slurry composition by a pad to form the softened Group III-nitride surface. The pad is moved relative to the softened Group III-nitride surface, wherein at least a portion of the softened Group III-nitride surface is removed.

摘要翻译： 化学机械抛光具有III族氮化物表面的衬底的方法包括提供化学机械抛光浆料组合物。 浆料组合物包括包含液体载体和包含过渡金属或基于基的化合物的氧化剂的浆液。 浆料溶液包括至少一种与III族氮化物表面反应以形成软化的III族氮化物表面的组分。 含III族氮化物的表面通过焊盘与浆料组合物接触以形成软化的III族氮化物表面。 垫相对于软化的III族氮化物表面移动，其中去除了软化的III族氮化物表面的至少一部分。

公开(公告)号：US07932534B2

公开(公告)日：2011-04-26

申请号：US12797330

申请日：2010-06-09

申请人： Rajiv K. Singh ,  Purushottam Kumar ,  Deepika Singh

发明人： Rajiv K. Singh ,  Purushottam Kumar ,  Deepika Singh

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/007 ,  H01L33/22 ,  H01L51/5275 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A solid state light source includes a substrate having a top surface and a bottom surface, and at least one optically active layer on the top surface of the substrate. At least one of the top surface, the bottom surface, the optically active layer or an emission surface on the optically active layer includes a patterned surface that includes a plurality of tilted surface features that have a high elevation portion and a low elevation portion that define a height (h), and wherein the plurality of tilted surface features define a minimum lateral dimension (r). The plurality of tilted surface features provide at least one surface portion that has a surface tilt angle from 3 to 85 degrees. The patterned surface has a surface roughness

摘要翻译： 固态光源包括具有顶表面和底表面的衬底，以及在衬底顶表面上的至少一个光学活性层。 顶表面，底表面，光学活性层或光学活性层上的发射表面中的至少一个包括图案化表面，其包括多个倾斜表面特征，其具有高仰角部分和限定 高度（h），并且其中所述多个倾斜表面特征限定最小横向尺寸（r）。 多个倾斜表面特征提供具有3至85度的表面倾斜角度的至少一个表面部分。 图案化表面的表面粗糙度<10nm rms，h /r≥0.05。