公开(公告)号：US09408303B2

公开(公告)日：2016-08-02

申请号：US14807336

申请日：2015-07-23

申请人： Intermolecular Inc.

发明人： Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Guowen Ding ,  Minh Huu Le ,  Minh Anh Nguyen ,  Zhi-Wen Sun ,  Guizhen Zhang

IPC分类号： B32B15/04 ,  H05K1/09 ,  C23C28/00 ,  C23C30/00 ,  H05K1/02 ,  H01L51/52 ,  H01L51/00

CPC分类号： H05K1/092 ,  C23C28/42 ,  C23C30/00 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/5234 ,  H05K1/0274 ,  Y10T428/265

摘要： Coated articles are disclosed. The coated articles include a doped or alloyed silver layer sandwiched between two layers of transparent conductive oxide such as indium tin oxide (ITO). The doped silver or silver alloy layer can be thin, such as between 1. 5 to 20 nm and thus can be transparent. The doped silver or silver alloy can provide improved ductility property, allowing the conductive stack to be bendable. The transparent conductive oxide layers can also be thin, allowing the conductive stack can have improved ductility property.

摘要翻译： 公开了涂层制品。 涂覆制品包括夹在两层透明导电氧化物如铟锡氧化物（ITO）之间的掺杂或合金化的银层。 掺杂的银或银合金层可以是薄的，例如在1.5至20nm之间，因此可以是透明的。 掺杂的银或银合金可以提供改善的延展性，允许导电叠层可弯曲。 透明导电氧化物层也可以是薄的，使得导电叠层可以具有改善的延展性。

公开(公告)号：US09034690B2

公开(公告)日：2015-05-19

申请号：US14133421

申请日：2013-12-18

申请人： Intermolecular, Inc.

发明人： Jeroen Van Duren ,  Sang Lee ,  Zhi-Wen Sun

IPC分类号： H01L21/16 ,  H01L21/306 ,  H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L21/465 ,  H01L21/70

CPC分类号： H01L21/30604 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/465 ,  H01L21/707 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： Embodiments described herein provide methods for forming indium-gallium-zinc oxide (IGZO) devices. A substrate is provided. An IGZO layer is formed above the substrate. A copper-containing layer is formed above the IGZO layer. A wet etch process is performed on the copper-containing layer to form a source region and a drain region above the IGZO layer. The performing of the wet etch process on the copper-containing layer includes exposing the copper-containing layer to an etching solution including a peroxide compound and one of citric acid, formic acid, malonic acid, lactic acid, etidronic acid, phosphonic acid, or a combination thereof.

摘要翻译： 本文所述的实施方案提供了形成铟镓锌氧化物（IGZO）器件的方法。 提供基板。 在基板上形成IGZO层。 在IGZO层上形成含铜层。 在含铜层上进行湿式蚀刻处理，以在IGZO层上形成源极区域和漏极区域。 在含铜层上执行湿法蚀刻工艺包括将含铜层暴露于包括过氧化物化合物和柠檬酸，甲酸，丙二酸，乳酸，依替膦酸，膦酸或其中的一种的蚀刻溶液 其组合。

公开(公告)号：US08778514B2

公开(公告)日：2014-07-15

申请号：US13797606

申请日：2013-03-12

申请人： Intermolecular Inc.

发明人： Minh Huu Le ,  Zhi-Wen Sun ,  Guowen Ding ,  Mohd Hassan ,  Sandeep Jaggi ,  Muhammad Imran ,  Jingyu Lao ,  Yiwei Lu ,  Richard Blacker

IPC分类号： B32B17/06 ,  B32B15/04

CPC分类号： C03C17/366 ,  C03C17/2453 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3642 ,  C23C14/08 ,  C23C28/32 ,  C23C28/345 ,  H01B3/10

摘要： A transparent dielectric composition comprising tin, oxygen and one of aluminum or magnesium with preferably higher than 15% by weight of aluminum or magnesium offers improved thermal stability over tin oxide with respect to appearance and optical properties under high temperature processes. For example, upon a heat treatment at temperatures higher than 500 C, changes in color and index of refraction of the present transparent dielectric composition are noticeably less than those of tin oxide films of comparable thickness. The transparent dielectric composition can be used in high transmittance, low emissivity coated panels, providing thermal stability so that there are no significant changes in the coating optical and structural properties, such as visible transmission, IR reflectance, microscopic morphological properties, color appearance, and haze characteristics, of the as-coated and heated treated products.

公开(公告)号：US20130340648A1

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：US14013760

申请日：2013-08-29

申请人： Intermolecular, Inc.

发明人： Bob Kong ,  Igor Ivanov ,  Zhi-Wen Sun ,  Jinhong Tong

IPC分类号： C23C18/44

CPC分类号： C23C18/44 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1637 ,  C23C18/1844 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7687 ,  H01L27/1052 ,  H01L28/65 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/24917

摘要： Embodiments of the current invention describe a method of plating platinum selectively on a copper film using a self-initiated electroless process. In particular, platinum films are plated onto very thin copper films having a thickness of less than 300 angstroms. The electroless plating solution and the resulting structure are also described. This process has applications in the semiconductor processing of logic devices, memory devices, and photovoltaic devices.

摘要翻译： 本发明的实施方案描述了使用自引发的无电镀方法在铂膜上选择性镀铂的方法。 特别地，铂膜被镀在厚度小于300埃的非常薄的铜膜上。 还描述了化学镀溶液和所得结构。 该方法在逻辑器件，存储器件和光伏器件的半导体处理中具有应用。

公开(公告)号：US09405046B2

公开(公告)日：2016-08-02

申请号：US13799100

申请日：2013-03-13

申请人： Intermolecular Inc.

发明人： Guowen Ding ,  Jeremy Cheng ,  Minh Huu Le ,  Daniel Schweigert ,  Zhi-Wen Sun ,  Guizhen Zhang

IPC分类号： F21V9/04 ,  F21V9/06 ,  G02B5/08 ,  G02B5/20 ,  C03C17/36 ,  G02B5/28

CPC分类号： G02B5/208 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  G02B5/281

摘要： Embodiments provided herein describe low-e panels and methods for forming low-e panels. A transparent substrate is provided. A reflective layer is formed above the transparent substrate. An over-coating layer is formed above the reflective layer. The over-coating layer includes first, second, and third sub-layers. The second sub-layer is between the first and third sub-layers, and the first and third sub-layers include the same material.

摘要翻译： 本文提供的实施例描述了用于形成低e板的低e板和方法。 提供透明基板。 在透明基板的上方形成反射层。 在反射层上方形成覆盖层。 覆盖层包括第一，第二和第三子层。 第二子层位于第一和第三子层之间，第一和第三子层包括相同的材料。

公开(公告)号：US20140273341A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US14133421

申请日：2013-12-18

申请人： Intermolecular, Inc.

发明人： Jeroen Van Duren ,  Sang Lee ,  Zhi-Wen Sun

IPC分类号： H01L21/465 ,  H01L21/70 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/30604 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/465 ,  H01L21/707 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： Embodiments described herein provide methods for forming indium-gallium-zinc oxide (IGZO) devices. A substrate is provided. An IGZO layer is formed above the substrate. A copper-containing layer is formed above the IGZO layer. A wet etch process is performed on the copper-containing layer to form a source region and a drain region above the IGZO layer. The performing of the wet etch process on the copper-containing layer includes exposing the copper-containing layer to an etching solution including a peroxide compound and one of citric acid, formic acid, malonic acid, lactic acid, etidronic acid, phosphonic acid, or a combination thereof.

摘要翻译： 本文所述的实施方案提供了形成铟镓锌氧化物（IGZO）器件的方法。 提供基板。 在基板上形成IGZO层。 在IGZO层上形成含铜层。 在含铜层上进行湿式蚀刻处理，以在IGZO层上形成源极区域和漏极区域。 在含铜层上执行湿法蚀刻工艺包括将含铜层暴露于包括过氧化物化合物和柠檬酸，甲酸，丙二酸，乳酸，依替膦酸，膦酸或其中的一种的蚀刻溶液 其组合。

公开(公告)号：US20140231704A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：US14261739

申请日：2014-04-25

申请人： Intermolecular, Inc.

发明人： Zhi-Wen Sun ,  Nikhil Kalyankar ,  Nitin Kumar ,  Minh Anh Nguyen ,  Sagar Vijay

IPC分类号： H01L31/0236

CPC分类号： H01L31/02366 ,  C23F1/16 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  Y02E10/50

摘要： The present disclosure includes a texture formulation that includes an aliphatic diol, an alkaline compound and water which provides a consistent textured region across a silicon surface suitable for solar cell applications. The current invention describes silicon texturing formulations that include at least one high boiling point additive. The high boiling point additive may be a derivative compound of propylene glycol or a derivative compound of ethylene glycol. Processes for texturing a crystalline silicon substrate using these formulations are also described. Additionally, a combinatorial method of optimizing the textured surface of a crystalline silicon substrate is described.

摘要翻译： 本公开内容包括包含脂族二醇，碱性化合物和水的纹理制剂，其在适于太阳能电池应用的硅表面上提供一致的纹理区域。 本发明描述了包含至少一种高沸点添加剂的硅纹理配方。 高沸点添加剂可以是丙二醇或乙二醇的衍生化合物的衍生化合物。 还描述了使用这些制剂对晶体硅衬底进行纹理化的工艺。 另外，描述了优化结晶硅衬底的纹理表面的组合方法。

公开(公告)号：US09365450B2

公开(公告)日：2016-06-14

申请号：US13728042

申请日：2012-12-27

申请人： Intermolecular Inc. ,  Guardian Industries Corp.

发明人： Guowen Ding ,  Brent Boyce ,  Muhammad Imran ,  Minh Huu Le ,  Zhi-Wen Sun ,  Yu Wang ,  Yongli Xu

IPC分类号： C03C17/36

CPC分类号： C03C17/36 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  C03C17/3681 ,  C03C2217/734 ,  Y10T428/24975

摘要： Low emissivity coated panels can be fabricated using a base layer having a low refractive index layer on a high refractive index layer. The low refractive index layer can have refractive index less than 1.5, and can include MgF2, CaF2, SiO2, or BO. The high refractive index layer can have refractive index greater than 2.3, and can include TiOx, NbOx, or BiOx. The multilayer base structure can allow color tuning with enhanced transmission, for example, as compared to similar structures having single layer base layer.

摘要翻译： 可以使用在高折射率层上具有低折射率层的基底层来制造低发射率涂层面板。 低折射率层可以具有小于1.5的折射率，并且可以包括MgF 2，CaF 2，SiO 2或BO。 高折射率层可以具有大于2.3的折射率，并且可以包括TiO x，NbO x或BiO x。 与具有单层基底层的类似结构相比，多层基底结构可以允许具有增强的透射率的颜色调节。

公开(公告)号：US09099582B2

公开(公告)日：2015-08-04

申请号：US14261739

申请日：2014-04-25

申请人： Intermolecular, Inc.

发明人： Zhi-Wen Sun ,  Nikhil Kalyankar ,  Nitin Kumar ,  Minh Anh Nguyen ,  Sagar Vijay

IPC分类号： C09K13/02 ,  H01L31/0236 ,  C23F1/16

CPC分类号： H01L31/02366 ,  C23F1/16 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  Y02E10/50

摘要： The present disclosure includes a texture formulation that includes an aliphatic diol, an alkaline compound and water which provides a consistent textured region across a silicon surface suitable for solar cell applications. The current invention describes silicon texturing formulations that include at least one high boiling point additive. The high boiling point additive may be a derivative compound of propylene glycol or a derivative compound of ethylene glycol. Processes for texturing a crystalline silicon substrate using these formulations are also described. Additionally, a combinatorial method of optimizing the textured surface of a crystalline silicon substrate is described.

摘要翻译： 本公开内容包括包含脂族二醇，碱性化合物和水的纹理制剂，其在适于太阳能电池应用的硅表面上提供一致的纹理区域。 本发明描述了包含至少一种高沸点添加剂的硅纹理配方。 高沸点添加剂可以是丙二醇或乙二醇的衍生化合物的衍生化合物。 还描述了使用这些制剂对晶体硅衬底进行纹理化的工艺。 另外，描述了优化结晶硅衬底的纹理表面的组合方法。

公开(公告)号：US09518319B2

公开(公告)日：2016-12-13

申请号：US14203182

申请日：2014-03-10

申请人： Intermolecular Inc. ,  Guardian Industries Corp.

发明人： Guowen Ding ,  Jeremy Cheng ,  Tong Ju ,  Minh Huu Le ,  Daniel Schweigert ,  Zhi-Wen Sun ,  Yongli Xu ,  Guizhen Zhang

IPC分类号： B32B15/04 ,  B32B17/06 ,  C23C14/08 ,  G02F1/09 ,  B29D11/00 ,  G02B5/26 ,  C03C17/36 ,  C23C14/14 ,  E06B9/24

CPC分类号： G02B5/208 ,  B29D11/00865 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  C03C17/3681 ,  C03C23/007 ,  C03C2217/43 ,  C03C2217/48 ,  C03C2218/154 ,  C23C14/083 ,  C23C14/085 ,  C23C14/14 ,  C23C14/22 ,  E06B9/24 ,  E06B2009/2417 ,  E06B2009/2464 ,  G02B5/26 ,  G02F1/091 ,  G02F2001/094 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265

摘要： Disclosed herein are systems, methods, and apparatus for forming low emissivity panels. A first dielectric layer is disposed over a substrate and includes a bi-metal oxide having tin and bismuth or niobium. A seed layer is disposed directly on the first dielectric layer. A reflective layer including silver is disposed directly on the seed layer. A barrier layer is disposed above the reflective layer. The barrier layer includes one of a nickel chromium titanium aluminum alloy or a nickel chromium titanium aluminum oxide. The nickel chromium titanium aluminum alloy or the nickel chromium titanium aluminum oxide includes between about 5% and about 10% by weight nickel, between about 25% and about 30% by weight chromium, between about 30% and about 35% by weight titanium, and between about 30% and about 35% by weight aluminum.

摘要翻译： 本文公开了用于形成低发射率面板的系统，方法和装置。 第一电介质层设置在衬底上并且包括具有锡和铋或铌的双金属氧化物。 种子层直接设置在第一介电层上。 包括银的反射层直接设置在种子层上。 阻挡层设置在反射层上。 阻挡层包括镍铬钛铝合金或镍铬钛氧化铝中的一种。 镍铬钛铝合金或镍铬钛铝氧化物包括约5重量％至约10重量％的镍，约25重量％至约30重量％的铬，约30重量％至约35重量％的钛， 和约30重量％至约35重量％的铝。