公开(公告)号：US20170087796A1

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：US15274620

申请日：2016-09-23

申请人： Jung Shin Co., Ltd.

发明人： Song-Hyuk BANG

IPC分类号： B32B3/06 ,  D03D13/00 ,  B32B5/02 ,  D03D1/00 ,  B32B5/26 ,  B32B27/12 ,  B32B27/32 ,  D03D7/00 ,  B32B3/26

CPC分类号： B32B3/06 ,  B32B3/085 ,  B32B3/266 ,  B32B5/024 ,  B32B5/142 ,  B32B5/26 ,  B32B27/12 ,  B32B27/32 ,  B32B2262/0253 ,  B32B2262/0276 ,  B32B2307/414 ,  B32B2307/56 ,  B32B2307/712 ,  B32B2307/718 ,  B32B2419/00 ,  B32B2571/00 ,  D03D1/0035 ,  D03D7/00 ,  D03D13/004 ,  D03D13/008 ,  D03D2700/0196 ,  D10B2321/0211 ,  D10B2321/022 ,  D10B2505/18 ,  D10B2505/20

摘要： A woven fabric protective covering to ensure long lasting and reliable product and also reliable and easy operation when installing the covering. The woven fabric comprises a sheet layer, a reinforcement layer and at least one film layer. A plurality of strip formed weft elements and warp elements are woven together to form the sheet fabric. The sheet fabric comprises at least two different types of weaves, a basic weave for a main sheet fabric area having substantially equal number of orthogonally woven weft elements and warp elements, and a relief weave to form a fastening region where the number of warp elements per width unit is reduced when compared to the number of weft elements. The reinforcement layer is a woven band and is laminated on at least one side of the sheet layer. The reinforcement layer comprises openings for fastening the product when in use. At least one film layer is laminated on the sheet layer.

公开(公告)号：US20160246912A1

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：US15144571

申请日：2016-05-02

申请人： WEN-CHUAN WANG ,  BURN JENG LIN ,  JAW-JUNG SHIN ,  PEI-YI LIU ,  SHY-JAY LIN

发明人： WEN-CHUAN WANG ,  BURN JENG LIN ,  JAW-JUNG SHIN ,  PEI-YI LIU ,  SHY-JAY LIN

IPC分类号： G06F17/50 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70058 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2051 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/70291 ,  G03F7/70625 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  G06F17/5081

摘要： The present disclosure provides an embodiment of a method, for a lithography process for reducing a critical dimension (CD) by a factor n wherein n

摘要翻译： 本公开提供了一种用于将临界尺寸（CD）减小因子n（其中n <1）的光刻工艺的方法的实施例。 该方法包括提供具有第一像素尺寸Si的图案生成器，以产生具有第二像素尺寸S2的交替数据网格，该第二像素尺寸为

公开(公告)号：US09414020B2

公开(公告)日：2016-08-09

申请号：US12261501

申请日：2008-10-30

申请人： Kwang-hyuk Kim ,  Jung-shin Park

发明人： Kwang-hyuk Kim ,  Jung-shin Park

IPC分类号： H04N7/16 ,  H04N21/435 ,  H04N21/45 ,  H04N21/8543 ,  H04N21/8545

CPC分类号： H04N7/163 ,  H04N21/4351 ,  H04N21/4532 ,  H04N21/8543 ,  H04N21/8545

摘要： Provided are a method and apparatus for transmitting/receiving viewing restriction information of an application of data broadcasting. The method includes acquiring an application and viewing restriction information set on a unit-by-unit basis of the application, and performing viewing restriction functions differently for each unit of a plurality of units the application, based on the viewing restriction information which is acquired.

摘要翻译： 提供了一种用于发送/接收数据广播的应用的观看限制信息的方法和装置。 该方法包括基于应用的逐单位获取应用和观看限制信息，并且基于所获取的观看限制信息，对应用的多个单元的每个单元不同地执行观看限制功能。

公开(公告)号：US09182660B2

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：US13486000

申请日：2012-06-01

申请人： Wen-Chuan Wang ,  Shy-Jay Lin ,  Jaw-Jung Shin ,  Burn Jeng Lin

发明人： Wen-Chuan Wang ,  Shy-Jay Lin ,  Jaw-Jung Shin ,  Burn Jeng Lin

IPC分类号： G03F1/56 ,  G03F1/78 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F1/56 ,  G03F1/78 ,  G03F7/2063 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0277

摘要： A method for electron-beam patterning includes forming a conductive material layer on a substrate; forming a bottom anti-reflective coating (BARC) layer on the conductive material layer; forming a resist layer on the BARC layer; and directing an electron beam (e-beam) to the sensitive resist layer for an electron beam patterning process. The BARC layer is designed such that a top electrical potential of the resist layer is substantially zero during the e-beam patterning process.

摘要翻译： 电子束图案化方法包括在基板上形成导电材料层; 在导电材料层上形成底部抗反射涂层（BARC）层; 在BARC层上形成抗蚀剂层; 并将电子束（电子束）引导到用于电子束图案化工艺的敏感抗蚀剂层。 BARC层被设计成使得在电子束图案化工艺期间抗蚀剂层的顶部电势基本为零。

公开(公告)号：US09012481B2

公开(公告)日：2015-04-21

申请号：US13142313

申请日：2009-12-29

申请人： Hoh-Gyu Hahn ,  Kee-Dal Nam ,  Dong-Yun Shin ,  Chan-Ho Park ,  Sung-Woo Cho ,  Eun-A Kim ,  Ghil-Soo Nam ,  Kyung-Il Chol ,  Seon-Hee Seo ,  Hee-Sup Shin ,  Dong-Jin Kim ,  Ae-Nim Pae ,  Hye-Jin Chung ,  Hyun-Ah Choo ,  Hye-Whon Rhim ,  Yong-Seo Cho ,  Eun-Joo Roh ,  Gyo-Chang Keum ,  Kee-Hyun Choi ,  Kye-Jung Shin ,  Chan-Seong Cheong ,  Jae-Kyun Lee ,  Yong-Koo Kang ,  Young-Soo Kim ,  Woong-Seo Park ,  Key-Sun Kim ,  He-Sson Chung ,  Chi-Man Song ,  Sun-Joon Min ,  Eunice Eun-Kyeong Kim ,  Cheol-Ju Lee ,  Soon-Bang Kang

发明人： Hoh-Gyu Hahn ,  Kee-Dal Nam ,  Dong-Yun Shin ,  Chan-Ho Park ,  Sung-Woo Cho ,  Eun-A Kim ,  Ghil-Soo Nam ,  Kyung-Il Chol ,  Seon-Hee Seo ,  Hee-Sup Shin ,  Dong-Jin Kim ,  Ae-Nim Pae ,  Hye-Jin Chung ,  Hyun-Ah Choo ,  Hye-Whon Rhim ,  Yong-Seo Cho ,  Eun-Joo Roh ,  Gyo-Chang Keum ,  Kee-Hyun Choi ,  Kye-Jung Shin ,  Chan-Seong Cheong ,  Jae-Kyun Lee ,  Yong-Koo Kang ,  Young-Soo Kim ,  Woong-Seo Park ,  Key-Sun Kim ,  He-Sson Chung ,  Chi-Man Song ,  Sun-Joon Min ,  Eunice Eun-Kyeong Kim ,  Cheol-Ju Lee ,  Soon-Bang Kang

IPC分类号： C07D235/22 ,  C07D263/58 ,  C07D333/06 ,  C07D327/04 ,  C07D277/82

CPC分类号： C07D277/82 ,  C07D235/22 ,  C07D263/58 ,  C07D327/04 ,  C07D333/06

摘要： Novel benzoarylureido compounds and a use thereof for prevention and/or treatment of the neurodegenerative brain disease are provided. The neurodegenerative brain diseases may include Alzheimer's disease, dementia, Parkinson's disease, stroke, amyloidosis, Pick's disease, Lou Gehrig's disease, Huntington's disease, Creutzfeld-Jakob disease, and the like.

摘要翻译： 提供了新的苯甲酰脲基化合物及其用于预防和/或治疗神经退行性脑病的用途。 神经变性脑疾病可包括阿尔茨海默病，痴呆，帕金森病，中风，淀粉样变性，皮克病，卢格里希氏病，亨廷顿舞蹈病，克雅氏病，雅各布病等。

公开(公告)号：US08949424B2

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：US12561523

申请日：2009-09-17

申请人： Young-soo Kang ,  Kwang-hyuk Kim ,  Jung-shin Park

发明人： Young-soo Kang ,  Kwang-hyuk Kim ,  Jung-shin Park

IPC分类号： G06F15/173 ,  G06F15/16 ,  H04L12/28 ,  H04N21/235 ,  H04N21/2368 ,  H04N21/2389 ,  H04N21/435 ,  H04N21/4385 ,  H04N21/81 ,  H04N21/8545 ,  H04N21/858 ,  H04L29/06 ,  H04L29/08

CPC分类号： H04L12/2812 ,  H04L65/604 ,  H04L67/34 ,  H04N21/235 ,  H04N21/2368 ,  H04N21/2389 ,  H04N21/435 ,  H04N21/4385 ,  H04N21/8173 ,  H04N21/8545 ,  H04N21/8586

摘要： Provided are a content information providing method and apparatus. Application information about application data is obtained from broadcasting data. An application resource is generated based on the application information. The application resource is added to a content item. Link information between the application resource and an audio/video (AV) resource is added to attribute information of the content item. The content information including the attribute information is provided to a content reproducing apparatus.

摘要翻译： 提供了一种内容信息提供方法和装置。 关于应用数据的应用信息从广播数据获得。 基于应用信息生成应用资源。 将应用程序资源添加到内容项。 将应用资源和音频/视频（AV）资源之间的链接信息添加到内容项的属性信息中。 包括属性信息的内容信息被提供给内容再现装置。

公开(公告)号：US08762900B2

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：US13534765

申请日：2012-06-27

申请人： Jaw-Jung Shin ,  Shy-Jay Lin ,  Hua-Tai Lin ,  Burn Jeng Lin

发明人： Jaw-Jung Shin ,  Shy-Jay Lin ,  Hua-Tai Lin ,  Burn Jeng Lin

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5081 ,  G03F1/36 ,  G03F1/70

摘要： A method of an integrated circuit (IC) design includes receiving an IC design layout. The IC design layout includes an IC feature with a first outer boundary and a first target points assigned to the first outer boundary. The method also includes generating a second outer boundary for the IC feature and moving all the first target points to the second outer boundary to form a modified IC design layout.

摘要翻译： 集成电路（IC）设计的方法包括接收IC设计布局。 IC设计布局包括具有第一外边界的IC特征和分配给第一外边界的第一目标点。 该方法还包括为IC特征产生第二外部边界并将所有第一目标点移动到第二外部边界以形成修改的IC设计布局。

公开(公告)号：US08722286B2

公开(公告)日：2014-05-13

申请号：US13484588

申请日：2012-05-31

申请人： Chen-Hua Yu ,  Jaw-Jung Shin ,  Shy-Jay Lin ,  Burn Jeng Lin

发明人： Chen-Hua Yu ,  Jaw-Jung Shin ,  Shy-Jay Lin ,  Burn Jeng Lin

IPC分类号： G03F1/20

CPC分类号： G03F1/20 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3175 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/31774 ,  H01J2237/31789 ,  Y10S430/143

摘要： A device for reflective electron-beam lithography and methods of producing the same are described. The device includes a substrate, a plurality of conductive layers formed on the substrate, which are parallel to each other and separated by insulating pillar structures, and a plurality of apertures in each conductive layer. Apertures in each conductive layer are vertically aligned with the apertures in other conductive layers and a periphery of each aperture includes conductive layers that are suspended.

摘要翻译： 对反射型电子束光刻装置及其制造方法进行说明。 该装置包括基板，形成在基板上的多个导电层，它们彼此平行并由绝缘柱结构分隔开，并且在每个导电层中形成多个孔。 每个导电层中的孔与其它导电层中的孔垂直对准，并且每个孔的周边包括悬浮的导电层。

公开(公告)号：US20140007023A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13534765

申请日：2012-06-27

申请人： Jaw-Jung Shin ,  Shy-Jay Lin ,  Hua-Tai Lin ,  Burn Jeng Lin

发明人： Jaw-Jung Shin ,  Shy-Jay Lin ,  Hua-Tai Lin ,  Burn Jeng Lin

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5081 ,  G03F1/36 ,  G03F1/70

摘要： A method of an integrated circuit (IC) design includes receiving an IC design layout. The IC design layout includes an IC feature with a first outer boundary and a first target points assigned to the first outer boundary. The method also includes generating a second outer boundary for the IC feature and moving all the first target points to the second outer boundary to form a modified IC design layout.

摘要翻译： 集成电路（IC）设计的方法包括接收IC设计布局。 IC设计布局包括具有第一外边界的IC特征和分配给第一外边界的第一目标点。 该方法还包括为IC特征产生第二外部边界并将所有第一目标点移动到第二外部边界以形成修改的IC设计布局。

公开(公告)号：US20130323918A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：US13486000

申请日：2012-06-01

申请人： Wen-Chuan Wang ,  Shy-Jay Lin ,  Jaw-Jung Shin ,  Burn Jeng Lin

发明人： Wen-Chuan Wang ,  Shy-Jay Lin ,  Jaw-Jung Shin ,  Burn Jeng Lin

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： G03F1/56 ,  G03F1/78 ,  G03F7/2063 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0277

摘要： A method for electron-beam patterning includes forming a conductive material layer on a substrate; forming a bottom anti-reflective coating (BARC) layer on the conductive material layer; forming a resist layer on the BARC layer; and directing an electron beam (e-beam) to the sensitive resist layer for an electron beam patterning process. The BARC layer is designed such that a top electrical potential of the resist layer is substantially zero during the e-beam patterning process.

摘要翻译： 电子束图案化方法包括在基板上形成导电材料层; 在导电材料层上形成底部抗反射涂层（BARC）层; 在BARC层上形成抗蚀剂层; 并将电子束（电子束）引导到用于电子束图案化工艺的敏感抗蚀剂层。 BARC层被设计成使得在电子束图案化工艺期间抗蚀剂层的顶部电势基本为零。