公开(公告)号：US20110006686A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：US12611518

申请日：2009-11-03

申请人： Pao-Jean CHEN ,  Jui-Tsen HUANG

发明人： Pao-Jean CHEN ,  Jui-Tsen HUANG

IPC分类号： H01K7/04

CPC分类号： G06F1/3271 ,  G06F1/1662 ,  G06F3/0202 ,  Y02D10/156

摘要： An illumination system includes a detecting unit and an illuminator, wherein the illuminator responds to the detecting unit. In use, the detecting unit can detect whether at least one predetermined program is opened. The illuminator can illuminate a keyboard when the predetermined program is opened. Moreover, an illumination method is disclosed in the specification.

摘要翻译： 照明系统包括检测单元和照明器，其中照明器响应于检测单元。 在使用中，检测单元可以检测是否打开至少一个预定程序。 当预定程序打开时，照明器可以照亮键盘。 此外，在本说明书中公开了照明方法。

公开(公告)号：US07718345B2

公开(公告)日：2010-05-18

申请号：US12102029

申请日：2008-04-14

申请人： Jui-Tsen Huang

发明人： Jui-Tsen Huang

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/09 ,  G03F7/20 ,  G03F7/36 ,  G03F7/48

CPC分类号： H01L21/02118 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/312 ,  Y10S430/143 ,  Y10S430/151

摘要： A composite photoresist structure includes a first organic layer disposed over a substrate to be etched, a sacrificial layer disposed on the first organic layer, and a second organic layer disposed on the sacrificial layer. The thickness of the first organic layer and the thickness of the second organic layer are both larger than the thickness of the sacrificial layer.

摘要翻译： 复合光致抗蚀剂结构包括设置在待蚀刻的衬底上的第一有机层，设置在第一有机层上的牺牲层和设置在牺牲层上的第二有机层。 第一有机层的厚度和第二有机层的厚度均大于牺牲层的厚度。

公开(公告)号：US07157211B2

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：US10708983

申请日：2004-04-05

申请人： Jui-Tsen Huang

发明人： Jui-Tsen Huang

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： H01L21/02118 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/312 ,  Y10S430/143 ,  Y10S430/151

摘要： A method of fabricating a semiconductor device. A first organic layer, a sacrificial layer, and a second organic layer are sequentially formed on a substrate. Then, a photolithography process is performed for forming a predetermined pattern in the second organic layer. Thereafter, the second organic layer is utilized as an etching mask for etching the sacrificial layer till a surface of the first organic layer is exposed, thus transferring the predetermined pattern to the sacrificial layer. Subsequently, the sacrificial layer is utilized as an etching mask for etching the first organic layer till a surface of the substrate is exposed, thereby transferring the predetermined pattern to the first organic layer. Then, the sacrificial layer and the first organic layer are utilized as an etching mask for etching the substrate, thereby transferring the predetermined pattern to the substrate. Finally, the first organic layer is removed by use of plasma.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法。 第一有机层，牺牲层和第二有机层依次形成在基板上。 然后，在第二有机层中进行用于形成预定图案的光刻工艺。 此后，第二有机层用作蚀刻掩模，用于蚀刻牺牲层，直到第一有机层的表面露出，从而将预定图案转印到牺牲层。 随后，利用牺牲层作为用于蚀刻第一有机层的蚀刻掩模，直到基板的表面露出，从而将预定图案转印到第一有机层。 然后，利用牺牲层和第一有机层作为用于蚀刻基板的蚀刻掩模，从而将预定图案转印到基板。 最后，通过使用等离子体去除第一有机层。

公开(公告)号：US07125645B2

公开(公告)日：2006-10-24

申请号：US10063307

申请日：2002-04-10

申请人： Jui-Tsen Huang

发明人： Jui-Tsen Huang

IPC分类号： G03F7/09 ,  G03F7/20 ,  G03F7/36 ,  G03F7/48

CPC分类号： H01L21/02118 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/312 ,  Y10S430/143 ,  Y10S430/151

摘要： A composite photoresist structure includes an first organic layer located on a substrate, a sacrificial layer located on the first organic layer, and a second organic layer located on the sacrificial layer. The first organic layer is made of materials that can be easily removed by plasma. Therefore, the surface of the substrate will not be damaged while transferring a predetermined pattern onto the substrate.

公开(公告)号：US06613485B2

公开(公告)日：2003-09-02

申请号：US10045432

申请日：2002-01-11

申请人： Jui-Tsen Huang ,  Jiunn-Ren Hwang

发明人： Jui-Tsen Huang ,  Jiunn-Ren Hwang

IPC分类号： G03F900

CPC分类号： G03F1/36 ,  Y10S430/143

摘要： An optical proximity correction method for rectifying pattern on photoresist. Line pattern of integrated circuit is divided into L-shape regions or T-shaped regions. The L-shaped or T-shaped regions are further dissected into rectangular patches. Area of each rectangular patch is suitably reduced and reproduced onto a photomask. The photomask is used to form a corrected photoresist pattern.

摘要翻译： 一种用于在光致抗蚀剂上整流图案的光学邻近校正方法。 集成电路的线路图案分为L形区域或T形区域。 L形或T形区域进一步分解成矩形斑块。 每个矩形贴片的面积被适当地减小并再现到光掩模上。 光掩模用于形成校正的光致抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US06265274B1

公开(公告)日：2001-07-24

申请号：US09431954

申请日：1999-11-01

申请人： Jui-Tsen Huang ,  Chien-Hua Tsai

发明人： Jui-Tsen Huang ,  Chien-Hua Tsai

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L27/10888 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6659

摘要： A semiconductor wafer comprises a silicon substrate, and a dielectric layer. A gate is formed on the dielectric layer. A first silicon oxide layer is uniformly formed on the semiconductor wafer. A first ion implantation process is performed to form two doped areas on the silicon substrate that are used as two lightly doped drains of a MOS transistor. A second silicon oxide layer is formed on the semiconductor wafer. A sacrificial layer is formed on the second silicon oxide layer. A first etching process is performed to remove the sacrificial layer on top of the gate, causing the gate to protrude from the remaining sacrificial layer for a predetermined height. A second etching process is performed to remove the first and second silicon oxide layers on the protruding portion of the gate. After removing the sacrificial layer completely, a silicon nitride layer is uniformly formed on the semiconductor wafer. A third etching process is performed to vertically remove the silicon nitride layer on top of the gate, thereby forming a spacer. Finally, a second ion implantation process is performed to form two doped areas on the silicon substrate, which are used as source and drain of the MOS transistor.

摘要翻译： 半导体晶片包括硅衬底和电介质层。 在电介质层上形成栅极。 在半导体晶片上均匀地形成第一氧化硅层。 执行第一离子注入工艺以在硅衬底上形成用作MOS晶体管的两个轻掺杂漏极的两个掺杂区域。 在半导体晶片上形成第二氧化硅层。 牺牲层形成在第二氧化硅层上。 执行第一蚀刻工艺以去除栅极顶部上的牺牲层，导致栅极从剩余牺牲层突出预定高度。 执行第二蚀刻工艺以去除栅极的突出部分上的第一和第二氧化硅层。 在完全去除牺牲层之后，在半导体晶片上均匀地形成氮化硅层。 执行第三蚀刻工艺以垂直去除栅极顶部上的氮化硅层，从而形成间隔物。 最后，进行第二离子注入工艺以在硅衬底上形成用作MOS晶体管的源极和漏极的两个掺杂区域。

公开(公告)号：US06197698B1

公开(公告)日：2001-03-06

申请号：US09340400

申请日：1999-06-28

申请人： Jui-Tsen Huang ,  Kuang-Hua Shih ,  Tsu-An Lin ,  Chan-Lon Yang

发明人： Jui-Tsen Huang ,  Kuang-Hua Shih ,  Tsu-An Lin ,  Chan-Lon Yang

IPC分类号： H01L213065

CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/823437

摘要： The present invention provides a method for etching a poly-silicon layer of a semiconductor wafer. The semiconductor wafer comprises a dielectric layer, a poly-silicon layer situated on the dielectric layer and containing dopants to a predetermined depth, and a photo-resist layer having a rectangular cross-section above a predetermined area of the poly-silicon layer. The semiconductor wafer is processed in a plasma chamber. A first dry-etching process is performed to vertically etch away the dopant-containing portion of the poly-silicon layer not covered by the photo-resist layer. Then, a second dry-etching process is performed to vertically etch away the residual portion of the poly-silicon layer not covered by the photo-resist layer down to the surface of the dielectric layer. The etching gases used in the first dry-etching process differ from those used in the second dry-etching process, and the main etching gas of the first dry-etching process is C2F6.

摘要翻译： 本发明提供一种蚀刻半导体晶片的多晶硅层的方法。 半导体晶片包括电介质层，位于电介质层上的多晶硅层，并且含有预定深度的掺杂剂，以及在多晶硅层的预定区域之上具有矩形横截面的光致抗蚀剂层。 半导体晶片在等离子体室中进行处理。 执行第一干蚀刻工艺以垂直蚀刻掉未被光致抗蚀剂层覆盖的多晶硅层的含掺杂物部分。 然后，进行第二干法蚀刻工艺，以将未被光刻胶层覆盖的多晶硅层的剩余部分垂直蚀刻掉到电介质层的表面。 在第一干蚀刻工艺中使用的蚀刻气体与第二干蚀刻工艺中使用的蚀刻气体不同，第一干法蚀刻工艺的主蚀刻气体为C2F6。

公开(公告)号：US20060024921A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US10710662

申请日：2004-07-27

申请人： Jui-Tsen Huang

发明人： Jui-Tsen Huang

IPC分类号： H01L21/46

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76822 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： A method of relieving wafer stress is provided. A wafer is provided, wherein at least a dielectric layer has already formed over the wafer and the wafer has a first and a second area. At least no circuits are formed on the dielectric layer within the first area. Thereafter, openings are formed in the dielectric layer within the first area. A material layer is formed over the dielectric layer. Thus, pits are formed on the surface of the material layer at locations above the openings. Through the pits on the material layer, stress within the material layer is relieved and hence the amount of stress conferred to the wafer is reduced.

摘要翻译： 提供了一种减轻晶片应力的方法。 提供晶片，其中已经在晶片上形成至少一个电介质层，并且晶片具有第一和第二区域。 在第一区域内的电介质层上至少不形成电路。 此后，在第一区域内的电介质层中形成开口。 在电介质层上形成材料层。 因此，在开口上方的位置处，在材料层的表面上形成凹坑。 通过材料层上的凹坑，材料层内的应力得以缓解，因此赋予晶片的应力量减少。

公开(公告)号：US06242334B1

公开(公告)日：2001-06-05

申请号：US09274597

申请日：1999-03-23

申请人： Michael Wei-Che Huang ,  Jui-Tsen Huang ,  Ling Lu ,  Tri-Rung Yew

发明人： Michael Wei-Che Huang ,  Jui-Tsen Huang ,  Ling Lu ,  Tri-Rung Yew

IPC分类号： H01L213205

CPC分类号： H01L29/6659 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656

摘要： A method for forming a semiconductor with overetched spacer is disclosed. The method includes firstly providing a semiconductor substrate with a gate oxide layer formed thereon, and forming a polysilicon layer on the gate oxide layer. Next, a photoresist layer is formed on the polysilicon layer to define a gate area, followed by anisotropically etching the polysilicon layer and the gate oxide layer. A first dielectric layer is conformably formed, and a second dielectric layer is then formed thereon. After anisotropically etching the second dielectric layer to form a first sidewall spacer on the sidewall of the first dielectric layer, a third dielectric layer is further formed over the exposed first dielectric layer and the first sidewall spacer. Finally, the third dielectric layer and the first sidewall spacer are anisotropically etched so that a second sidewall spacer is formed on the sidewall of the first sidewall spacer, wherein top surface of the first and the second sidewall spacer is below top surface of the first dielectric layer around the gate area.

摘要翻译： 公开了一种用椭圆形间隔物形成半导体的方法。 该方法包括首先提供其上形成有栅极氧化物层的半导体衬底，并在栅极氧化物层上形成多晶硅层。 接下来，在多晶硅层上形成光致抗蚀剂层以限定栅极区域，然后各向异性蚀刻多晶硅层和栅极氧化物层。 顺应地形成第一电介质层，然后在其上形成第二电介质层。 在各向异性蚀刻第二电介质层以在第一介电层的侧壁上形成第一侧壁间隔物之后，在暴露的第一介电层和第一侧壁间隔物上进一步形成第三电介质层。 最后，第三介电层和第一侧壁间隔物被各向异性地蚀刻，使得第二侧壁间隔物形成在第一侧壁间隔物的侧壁上，其中第一和第二侧壁间隔物的顶表面在第一电介质的顶表面下方 层围绕门区。

公开(公告)号：US20100103611A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12534859

申请日：2009-08-04

申请人： Ching-Fu Yang ,  You-Chi Liu ,  Kuo-Nan Ling ,  Po-An Lin ,  Yung-Hui Chen ,  Hao-Ying Chang ,  Jui-Tsen Huang

发明人： Ching-Fu Yang ,  You-Chi Liu ,  Kuo-Nan Ling ,  Po-An Lin ,  Yung-Hui Chen ,  Hao-Ying Chang ,  Jui-Tsen Huang

IPC分类号： H05K7/00

CPC分类号： G06F1/169 ,  G06F1/1616 ,  G06F3/03547 ,  G06F3/0414

摘要： An electronic device having a touching function, including a touching region, a housing, a touch module, and a switch module is provided. The touching region is performing the touching function. The touching region is located over the housing. The touch module is disposed in the housing in correspondence with the touching region. The switch module includes at least one switch and is disposed under the touch module. The touch module is bent under force to turn on the switch when the touching region is touched.

摘要翻译： 提供具有触摸功能的电子设备，包括触摸区域，外壳，触摸模块和开关模块。 触摸区域正在执行触摸功能。 触摸区域位于外壳上方。 触摸模块与触摸区域对应地设置在壳体中。 开关模块包括至少一个开关并设置在触摸模块下方。 当触摸区域被触摸时，触摸模块在力下弯曲以打开开关。