公开(公告)号：US07391501B2

公开(公告)日：2008-06-24

申请号：US10763467

申请日：2004-01-22

申请人： Hai Deng ,  Yueh Wang ,  Huey-Chiang Liou ,  Hok-Kin Choi ,  Robert M. Meagley ,  Ernisse Putna

发明人： Hai Deng ,  Yueh Wang ,  Huey-Chiang Liou ,  Hok-Kin Choi ,  Robert M. Meagley ,  Ernisse Putna

IPC分类号： G03B27/54

CPC分类号： G03F7/2041 ,  G03F7/70341

摘要： Compositions for immersion liquid materials and associated immersion lithography systems and techniques. Examples of polymer or oligomer-based immersion liquids are described to exhibit superior material properties for immersion lithography in comparison with water and some other commonly-used immersion liquids. In addition, certain material additives may be added to water and water-based immersion liquids to improve the performance of the immersion liquids in immersion lithography.

摘要翻译： 用于浸没液体材料和相关浸没光刻系统和技术的组合物。 与水和一些其它常用的浸液相比，基于聚合物或低聚物的浸渍液体的实例被描述为具有优异的浸渍光刻材料性能。 此外，某些材料添加剂可以添加到水和水基浸液中以改善浸没式光刻中的浸液的性能。

公开(公告)号：US07125793B2

公开(公告)日：2006-10-24

申请号：US10746485

申请日：2003-12-23

申请人： Huey-Chiang Liou ,  Wang Yueh

发明人： Huey-Chiang Liou ,  Wang Yueh

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/02137 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming an opening in a disclosed ILD is described. The ILD in one embodiment includes a matrix material and a photosensitive porogen. Hard sidewalls are formed in the ILD allowing a thin barrier layer to be used in a dual damascene copper and porous low-k without pore sealing steps.

摘要翻译： 描述了在公开的ILD中形成开口的方法。 在一个实施方案中，ILD包括基质材料和感光致孔剂。 在ILD中形成硬的侧壁，允许在双镶嵌铜和多孔低k（无孔密封步骤）中使用薄的阻挡层。

公开(公告)号：US20060151003A1

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：US11032858

申请日：2005-01-10

申请人： Huey-Chiang Liou ,  Alexander Tregub ,  Mansour Moinpour

发明人： Huey-Chiang Liou ,  Alexander Tregub ,  Mansour Moinpour

IPC分类号： C23G1/00 ,  B08B7/00 ,  B05D3/02 ,  B05D5/00 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/67046 ,  B08B1/04 ,  B08B3/04

摘要： In a formulation of a wafer cleaning brush, forming a polymer solution with a plurality of nano-scale porogens or with a synthetic pore forming agent and curing the polymer solution to form a porous polymeric material.

摘要翻译： 在晶片清洁刷的配方中，用多个纳米级致孔剂或合成成孔剂形成聚合物溶液并固化聚合物溶液以形成多孔聚合材料。

公开(公告)号：US20050107242A1

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：US10716250

申请日：2003-11-17

申请人： Hai Deng ,  Huey-Chiang Liou

发明人： Hai Deng ,  Huey-Chiang Liou

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L23/532 ,  B01J20/28

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31695 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24331 ,  H01L2924/00

摘要： A method for forming a zeolite-carbon doped oxide (CDO) composite dielectric material is herein described. Zeolite particles may be dispersed in a solvent. The zeolite solvent solution may then be deposited on an underlying layer, such as a wafer of other dielectric layer. At least some solvent may then be removed to form a zeolite film. A CDO may then be deposited in the zeolite film to form a zeolite-CDO composite film/dielectric. The zeolite-CDO composite film/dielectric may then be calcinated to form a solid phase zeolite-CDO composite dilectric.

摘要翻译： 本文描述了形成沸石 - 碳掺杂氧化物（CDO）复合电介质材料的方法。 沸石颗粒可以分散在溶剂中。 然后可以将沸石溶剂溶液沉积在下层，例如其它介电层的晶片上。 然后可以除去至少一些溶剂以形成沸石膜。 然后可以将CDO沉积在沸石膜中以形成沸石-CDO复合膜/电介质。 然后可以将沸石-CDO复合膜/电介质煅烧以形成固相沸石-CDO复合材料。

公开(公告)号：US06864192B1

公开(公告)日：2005-03-08

申请号：US10695103

申请日：2003-10-28

申请人： Huey-Chiang Liou ,  Hai Deng ,  Wang Yueh ,  Hok-Kin Choi

发明人： Huey-Chiang Liou ,  Hai Deng ,  Wang Yueh ,  Hok-Kin Choi

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/16 ,  H01L21/31

CPC分类号： B82Y30/00 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/165 ,  H01L21/31 ,  Y10S438/939

摘要： A Langmuir-Blodgett film may be utilized as a chemically amplified photoresist layer. Langmuir-Blodgett films have highly vertically oriented structures which may be effective in reducing line edge or line width roughness in chemically amplified photoresists.

摘要翻译： Langmuir-Blodgett膜可以用作化学放大光致抗蚀剂层。 Langmuir-Blodgett膜具有高度垂直取向的结构，其可有效减少化学放大光致抗蚀剂中的线边缘或线宽粗糙度。

公开(公告)号：US20050133920A1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：US10746485

申请日：2003-12-23

申请人： Huey-Chiang Liou ,  Wang Yueh

发明人： Huey-Chiang Liou ,  Wang Yueh

IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/302 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/02137 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming an opening in a disclosed ILD is described. The ILD in one embodiment includes a matrix material and a photosensitive porogen. Hard sidewalls are formed in the ILD allowing a thin barrier layer to be used in a dual damascene copper and porous low-k without pore sealing steps.

摘要翻译： 描述了在公开的ILD中形成开口的方法。 在一个实施方案中，ILD包括基质材料和感光致孔剂。 在ILD中形成硬的侧壁，允许在双镶嵌铜和多孔低k（无孔密封步骤）中使用薄的阻挡层。

公开(公告)号：US07867687B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US10687288

申请日：2003-10-15

申请人： Wang Yueh ,  Huey-Chiang Liou ,  Hai Deng ,  Hok-Kin Choi

发明人： Wang Yueh ,  Huey-Chiang Liou ,  Hai Deng ,  Hok-Kin Choi

IPC分类号： G03F7/004

CPC分类号： G03F7/022 ,  G03F7/023 ,  G03F7/0233

摘要： Embodiments of the invention provide a non-chemically amplified photoresist, which results in reduced line wide roughness (LWR). In accordance with one embodiment the photoresist includes a developer-soluble resin (DSR) and a photoactive compound (PAC). For one embodiment of the invention, the even distribution of the PAC within the DSR results in reduced acid diffusion thus reducing LWR. Prior to exposure to the light source, the PAC inhibits solubility of the DSR in the developer. Upon exposure the PAC converts to acid to promote solubility of the DSR. The even distribution of the PAC within the photoresist results in reduced LWR and a reduction in defects. For one embodiment the photoresist is applied in the EUV technology (e.g., wavelength is 13.4 nm). For such an embodiment the LWR may be reduced to less than 1.5 nm allowing for effective fabrication of devices having feature sizes of approximately 15 nm.

摘要翻译： 本发明的实施例提供非化学放大的光致抗蚀剂，其导致线宽粗糙度（LWR）的降低。 根据一个实施方案，光致抗蚀剂包括显影剂可溶性树脂（DSR）和光敏化合物（PAC）。 对于本发明的一个实施例，PAC在DSR内的均匀分布导致酸扩散减少，从而减少LWR。 在暴露于光源之前，PAC抑制DSR在显影剂中的溶解度。 曝光后，PAC转化为酸，以促进DSR的溶解度。 PAC在光致抗蚀剂内的均匀分布导致LWR降低和缺陷减少。 对于一个实施例，以EUV技术（例如，波长为13.4nm）施加光致抗蚀剂。 对于这样的实施例，LWR可以减小到小于1.5nm，允许有效地制造具有大约15nm的特征尺寸的器件。

公开(公告)号：US07469443B2

公开(公告)日：2008-12-30

申请号：US11032858

申请日：2005-01-10

申请人： Huey-Chiang Liou ,  Alexander Tregub ,  Mansour Moinpour

发明人： Huey-Chiang Liou ,  Alexander Tregub ,  Mansour Moinpour

IPC分类号： B08B1/04

CPC分类号： H01L21/67046 ,  B08B1/04 ,  B08B3/04

摘要： In a formulation of a wafer cleaning brush, forming a polymer solution with a plurality of nano-scale porogens or with a synthetic pore forming agent and curing the polymer solution to form a porous polymeric material.

摘要翻译： 在晶片清洁刷的配方中，用多个纳米级致孔剂或合成成孔剂形成聚合物溶液并固化聚合物溶液以形成多孔聚合材料。

公开(公告)号：US07303985B2

公开(公告)日：2007-12-04

申请号：US10716250

申请日：2003-11-17

申请人： Hai Deng ,  Huey-Chiang Liou

发明人： Hai Deng ,  Huey-Chiang Liou

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31695 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24331 ,  H01L2924/00

摘要： A method for forming a zeolite-carbon doped oxide (CDO) composite dielectric material is herein described. Zeolite particles may be dispersed in a solvent. The zeolite solvent solution may then be deposited on an underlying layer, such as a wafer of other dielectric layer. At least some solvent may then be removed to form a zeolite film. A CDO may then be deposited in the zeolite film to form a zeolite-CDO composite film/dielectric. The zeolite-CDO composite film/dielectric may then be calcinated to form a solid phase zeolite-CDO composite dilectric.

摘要翻译： 本文描述了形成沸石 - 碳掺杂氧化物（CDO）复合电介质材料的方法。 沸石颗粒可以分散在溶剂中。 然后可以将沸石溶剂溶液沉积在下层，例如其它介电层的晶片上。 然后可以除去至少一些溶剂以形成沸石膜。 然后可以将CDO沉积在沸石膜中以形成沸石-CDO复合膜/电介质。 然后可以将沸石-CDO复合膜/电介质煅烧以形成固相沸石-CDO复合材料。

公开(公告)号：US20060255432A1

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：US11485078

申请日：2006-07-12

申请人： Robert Meagley ,  Kevin O'Brien ,  Tian-An Chen ,  Michael Goodner ,  James Powers ,  Huey-Chiang Liou

发明人： Robert Meagley ,  Kevin O'Brien ,  Tian-An Chen ,  Michael Goodner ,  James Powers ,  Huey-Chiang Liou

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L23/5222 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor structure may be covered with a thermally decomposing film. That film may then be covered by a sealing cover. Subsequently, the thermally decomposing material may be decomposed, forming a cavity.