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    System and method of dosage profile control
    3.
    发明授权
    System and method of dosage profile control 有权
    剂量分布控制系统和方法

    公开(公告)号：US08309444B2

    公开(公告)日：2012-11-13

    申请号：US12831699

    申请日：2010-07-07

    申请人： Keung Hui ,  Chun-Lin Chang ,  Jong-I Mou

    发明人： Keung Hui ,  Chun-Lin Chang ,  Jong-I Mou

    IPC分类号： H01L21/425

    CPC分类号： C23C14/48 ,  H01J37/302 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/30461 ,  H01J2237/31703 ,  H01L21/265 ,  H01L22/14

    摘要： A system and method for controlling a dosage profile is disclosed. An embodiment comprises separating a wafer into components of a grid array and assigning each of the grid components a desired dosage profile based upon a test to compensate for topology differences between different regions of the wafer. The desired dosages are decomposed into directional dosage components and the directional dosage components are translated into scanning velocities of the ion beam for an ion implanter. The velocities may be fed into an ion implanter to control the wafer-to-beam velocities and, thereby, control the implantation.

    摘要翻译： 公开了一种用于控制剂量分布的系统和方法。 一个实施例包括将晶片分离成网格阵列的组件，并且基于测试来分配每个网格组件所需的剂量分布，以补偿晶片的不同区域之间的拓扑差异。 期望的剂量被分解为定向剂量组分，并且定向剂量组分转化成用于离子注入机的离子束的扫描速度。 速度可以被馈送到离子注入机中以控制晶片到光束的速度，从而控制注入。

    SCANNING METHOD AND SYSTEM USING 2-D ION IIMPLANTER
    4.
    发明申请
    SCANNING METHOD AND SYSTEM USING 2-D ION IIMPLANTER 有权
    扫描方法和使用二维离子印迹的系统

    公开(公告)号：US20110174991A1

    公开(公告)日：2011-07-21

    申请号：US12688086

    申请日：2010-01-15

    申请人： Keung HUI ,  Chun-Lin CHANG

    发明人： Keung HUI ,  Chun-Lin CHANG

    IPC分类号： G21K5/10 ,  H01L21/68 ,  G21K5/08 ,  G21K5/04

    CPC分类号： H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/20228

    摘要： An ion implanter system has a movable wafer support for holding a semiconductor wafer and a beam source that generates a beam for implanting ions in the semiconductor wafer while the wafer is moving. A plurality of path segments are identified, through which the wafer support is to move to expose the semiconductor wafer to the ion beam. A first position and a second position are identified for each respective one of the plurality of path segments, such that, when the wafer is in each first position and each second position, a perimeter of the beam projected in a plane of the wafer is tangent to a perimeter of the wafer. The ion implanter is configured to automatically move the wafer along each of the plurality of path segments, starting at the respective first position on each respective path segment and stopping at the respective second position on the same segment, so as to expose the wafer to the beam for implanting ions in the wafer.

    摘要翻译： 离子注入机系统具有用于保持半导体晶片的可移动晶片支撑件和在晶片移动时产生用于在半导体晶片中注入离子的光束的光束源。 识别多个路径段，晶片支撑件将通过该路径段移动以将半导体晶片暴露于离子束。 针对多个路径段中的每一个识别第一位置和第二位置，使得当晶片处于每个第一位置和每个第二位置时，投影在晶片平面中的光束的周边是切线的 到晶片的周边。 离子注入机被配置为沿着每个相应路径段上的相应第一位置自动地移动晶片沿着多个路径段中的每一个，并且在相同的段上的相应的第二位置处停止，以将晶片暴露于 用于在晶片中注入离子的光束。

    Multi-factor advanced process control method and system for integrated circuit fabrication
    6.
    发明授权
    Multi-factor advanced process control method and system for integrated circuit fabrication 有权
    多因素先进的集成电路制造过程控制方法和系统

    公开(公告)号：US09031684B2

    公开(公告)日：2015-05-12

    申请号：US13286337

    申请日：2011-11-01

    申请人： Nai-Han Cheng ,  Chin-Hsiang Lin ,  Chi-Ming Yang ,  Chun-Lin Chang ,  Chih-Hong Hwang

    发明人： Nai-Han Cheng ,  Chin-Hsiang Lin ,  Chi-Ming Yang ,  Chun-Lin Chang ,  Chih-Hong Hwang

    IPC分类号： G06F19/00 ,  G06F17/50 ,  H01L29/00 ,  H01L27/082 ,  H05K1/00

    CPC分类号： G06F17/5063 ,  G06F2217/10

    摘要： A method and system for integrated circuit fabrication is disclosed. In an example, the method includes determining a first process parameter of a wafer and a second process parameter of the wafer, the first process parameter and the second process parameter corresponding to different wafer characteristics; determining a variation of a device parameter of the wafer based on the first process parameter and the second process parameter; constructing a model for the device parameter as a function of the first process parameter and the second process parameter based on the determined variation of the device parameter of the wafer; and performing a fabrication process based on the model.

    摘要翻译： 公开了一种用于集成电路制造的方法和系统。 在一个示例中，该方法包括确定晶片的第一工艺参数和晶片的第二工艺参数，对应于不同晶片特性的第一工艺参数和第二工艺参数; 基于所述第一处理参数和所述第二处理参数确定所述晶片的设备参数的变化; 基于确定的晶片的器件参数的变化，构造作为第一工艺参数和第二工艺参数的函数的器件参数的模型; 并基于该模型执行制造过程。

    Ion implantation with charge and direction control
    7.
    发明授权
    Ion implantation with charge and direction control 有权
    离子注入充电和方向控制

    公开(公告)号：US08922122B2

    公开(公告)日：2014-12-30

    申请号：US13308614

    申请日：2011-12-01

    申请人： Chih-Hong Hwang ,  Chun-Lin Chang ,  Nai-Han Cheng ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Chih-Hong Hwang ,  Chun-Lin Chang ,  Nai-Han Cheng ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： H01J7/24

    CPC分类号： H01J37/026 ,  H01J3/02 ,  H01J3/022 ,  H01J3/26 ,  H01J37/06 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/31705

    摘要： The present disclosure provides for various advantageous methods and apparatus of controlling electron emission. One of the broader forms of the present disclosure involves an electron emission element, comprising an electron emitter including an electron emission region disposed between a gate electrode and a cathode electrode. An anode is disposed above the electron emission region, and a voltage set is disposed above the anode. A first voltage applied between the gate electrode and the cathode electrode controls a quantity of electrons generated from the electron emission region. A second voltage applied to the anode extracts generated electrons. A third voltage applied to the voltage set controls a direction of electrons extracted through the anode.

    摘要翻译： 本公开提供了控制电子发射的各种有利的方法和装置。 本公开的更广泛形式之一涉及电子发射元件，其包括电子发射器，其包括设置在栅电极和阴极之间的电子发射区。 阳极设置在电子发射区域的上方，并且在阳极上设置电压组。 施加在栅电极和阴极之间的第一电压控制从电子发射区产生的电子量。 施加到阳极的第二电压提取产生的电子。 施加到电压组的第三电压控制通过阳极提取的电子的方向。

    MULTI-ZONE TEMPERATURE CONTROL FOR SEMICONDUCTOR WAFER
    10.
    发明申请
    MULTI-ZONE TEMPERATURE CONTROL FOR SEMICONDUCTOR WAFER 有权
    用于半导体波形的多区温度控制

    公开(公告)号：US20100210041A1

    公开(公告)日：2010-08-19

    申请号：US12370746

    申请日：2009-02-13

    申请人： Chun-Lin Chang ,  Hsin-Hsien Wu ,  Zin-Chang Wei ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Jun-Lin Yeh ,  Jih-Jse Lin ,  Jo-Fei Wang ,  Ming-Yu Fan ,  Jong-I Mou

    发明人： Chun-Lin Chang ,  Hsin-Hsien Wu ,  Zin-Chang Wei ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Jun-Lin Yeh ,  Jih-Jse Lin ,  Jo-Fei Wang ,  Ming-Yu Fan ,  Jong-I Mou

    IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/306 ,  H01L21/26 ,  H01L21/265

    CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12

    摘要： An apparatus includes a process chamber configured to perform an ion implantation process. A cooling platen or electrostatic chuck is provided within the process chamber. The cooling platen or electrostatic chuck is configured to support a semiconductor wafer. The cooling platen or electrostatic chuck has a plurality of temperature zones. Each temperature zone includes at least one fluid conduit within or adjacent to the cooling platen or electrostatic chuck. At least two coolant sources are provided, each fluidly coupled to a respective one of the fluid conduits and configured to supply a respectively different coolant to a respective one of the plurality of temperature zones during the ion implantation process. The coolant sources include respectively different chilling or refrigeration units.

    摘要翻译： 一种装置包括被配置为执行离子注入工艺的处理室。 在处理室内设有冷却台板或静电吸盘。 冷却台板或静电卡盘构造成支撑半导体晶片。 冷却台板或静电卡盘具有多个温度区域。 每个温度区域包括在冷却压板或静电卡盘内或附近的至少一个流体导管。 提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体耦合到相应的一个流体管道，并且构造成在离子注入过程期间将分别不同的冷却剂供应到多个温度区中的相应的一个温度区。 冷却剂源分别包括不同的冷却或制冷装置。