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    Magnetic recording sensor with AFM exchange coupled shield stabilization
    81.
    发明授权
    Magnetic recording sensor with AFM exchange coupled shield stabilization 有权
    磁记录传感器与AFM交换屏蔽稳定

    公开(公告)号：US08797692B1

    公开(公告)日：2014-08-05

    申请号：US13607593

    申请日：2012-09-07

    申请人： Yimin Guo ,  Rongfu Xiao ,  Yuankai Zheng

    发明人： Yimin Guo ,  Rongfu Xiao ,  Yuankai Zheng

    IPC分类号： G11B5/11 ,  G11B5/39

    CPC分类号： G11B5/3912 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996

    摘要： A magnetic recording sensor with AFM exchange coupled shield stabilization for use in a data storage device includes a read sensor positioned between a bottom shield and a top shield. The top shield comprises a first ferromagnetic (FM) layer, a coupling layer, and a second FM layer. An exchange coupling insertion layer is provided between the second FM layer and an antiferromagnetic (AFM) layer above. In an embodiment of the invention, the exchange coupling insertion layer comprises CoFe with a Fe content from about 35-45 at. %, and thickness from about 1 nm to about 3 nm. In another embodiment of the invention, the exchange coupling insertion layer comprises a bi-layer, including first sub-layer comprising CoFe with Fe content from about 8-12 at. %, and second sub-layer comprising CoFe with Fe content from about 35-45 at. %, and the bi-layer has a thickness less than about 4 nm.

    摘要翻译： 具有用于数据存储设备的AFM交换耦合屏蔽稳定性的磁记录传感器包括位于底屏蔽和顶屏蔽之间的读取传感器。 顶部屏蔽包括第一铁磁（FM）层，耦合层和第二FM层。 在第二FM层和上面的反铁磁（AFM）层之间提供交换耦合插入层。 在本发明的一个实施方案中，交换耦合插入层包含Fe含量约35-45at。 ％，厚度约1nm至约3nm。 在本发明的另一实施例中，交换耦合插入层包括双层，包括第一子层，其包含Fe含量约为8-12at。 ％，并且包含Fe含量为约35-45at。的CoFe的第二子层。 ％，双层具有小于约4nm的厚度。

    Perpendicular magnetic recording transducer with AFM insertion layer
    82.
    发明授权
    Perpendicular magnetic recording transducer with AFM insertion layer 有权
    带AFM插入层的垂直磁记录传感器

    公开(公告)号：US08493693B1

    公开(公告)日：2013-07-23

    申请号：US13436694

    申请日：2012-03-30

    申请人： Yuankai Zheng ,  Qunwen Leng ,  Mahendra Pakala ,  Cheng-Han Yang

    发明人： Yuankai Zheng ,  Qunwen Leng ,  Mahendra Pakala ,  Cheng-Han Yang

    IPC分类号： G11B5/127

    CPC分类号： G11B5/3906 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3929 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/08

    摘要： A magnetic sensor is configured to reside in proximity to a recording medium during use. The sensor includes a magnetic top shield and a magnetic bottom shield. A top sensor stack is under the magnetic top shield and includes magnetic sensing layers. A bottom sensor stack is between the magnetic bottom shield and the top sensor stack. The bottom sensor stack includes a magnetic seed stack above the bottom shield, an insertion stack above the magnetic seed stack, and an antiferromagnetic (AFM) layer on and in contact with the insertion stack. A pinned layer is above the AFM layer. An AFM coupling layer is above the pinned layer. In some aspects the insertion stack may include at least one of Ti, Hf, Zr, and Ta. In some aspect, the insertion stack includes a layer of elemental Ti. In other aspects, the insertion stack includes multilayer structures.

    摘要翻译： 磁传感器被配置为在使用期间驻留在记录介质附近。 传感器包括磁性顶部屏蔽和磁性底部屏蔽。 顶部传感器堆叠在磁性顶部屏蔽下方，并且包括磁感应层。 底部传感器堆叠位于磁性底部屏蔽和顶部传感器叠层之间。 底部传感器堆叠包括在底部屏蔽物上方的磁性种子​​堆叠，在磁性种子堆叠上方的插入堆叠，以及与插入堆叠接触并与其接触的反铁磁（AFM）层。 被钉扎层位于AFM层之上。 AFM耦合层位于钉扎层之上。 在一些方面，插入叠层可以包括Ti，Hf，Zr和Ta中的至少一种。 在一些方面，插入堆叠包括元素Ti层。 在其他方面，插入堆叠包括多层结构。

    Thermally assisted multi-bit MRAM
    83.
    发明授权
    Thermally assisted multi-bit MRAM 有权
    热辅助多位MRAM

    公开(公告)号：US08462543B2

    公开(公告)日：2013-06-11

    申请号：US13474838

    申请日：2012-05-18

    申请人： Yuankai Zheng ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Haiwen Xi

    发明人： Yuankai Zheng ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Haiwen Xi

    IPC分类号： G11C11/02

    CPC分类号： G11C11/15 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607

    摘要： Methods of writing to a multi-bit MRAM memory unit are described. The method includes to self-detected writing to a multi-bit (i.e., multilevel) thermally assisted MRAM. The self-detected writing increases a reading margin between data state levels and decreases reading margin variability due to cell resistance variation.

    摘要翻译： 描述写入多位MRAM存储器单元的方法。 该方法包括对多位（即多级）热辅助MRAM进行自检测写入。 自检的写入会增加数据状态级之间的读取余量，并降低由于单元格电阻变化而导致的读取边缘变化。

    Thermally assisted multi-bit MRAM
    88.
    发明授权
    Thermally assisted multi-bit MRAM 有权
    热辅助多位MRAM

    公开(公告)号：US08199564B2

    公开(公告)日：2012-06-12

    申请号：US13160969

    申请日：2011-06-15

    申请人： Yuankai Zheng ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Haiwen Xi

    发明人： Yuankai Zheng ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Haiwen Xi

    IPC分类号： G11C11/02

    CPC分类号： G11C11/15 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607

    摘要： Methods of writing to a multi-bit MRAM memory unit are described. The method includes to self-detected writing to a multi-bit (i.e., multilevel) thermally assisted MRAM. The self-detected writing increases a reading margin between data state levels and decreases reading margin variability due to cell resistance variation.

    摘要翻译： 描述写入多位MRAM存储器单元的方法。 该方法包括对多位（即多级）热辅助MRAM进行自检测写入。 自检的写入会增加数据状态级之间的读取余量，并降低由于单元格电阻变化而导致的读取边缘变化。

    Spin-transfer torque memory self-reference read method
    89.
    发明授权
    Spin-transfer torque memory self-reference read method 有权
    自旋转矩记忆自参考读取方式

    公开(公告)号：US08194444B2

    公开(公告)日：2012-06-05

    申请号：US12968441

    申请日：2010-12-15

    申请人： Yuankai Zheng ,  Yiran Chen ,  Xiaobin Wang ,  Zheng Gao ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Wenzhong Zhu ,  Yong Lu

    发明人： Yuankai Zheng ,  Yiran Chen ,  Xiaobin Wang ,  Zheng Gao ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Wenzhong Zhu ,  Yong Lu

    IPC分类号： G11C11/14 ,  G11C11/00 ,  G11C7/00 ,  G11C7/02

    CPC分类号： G11C11/1673

    摘要： Self-reference reading a magnetic tunnel junction data cell methods are disclosed. An illustrative method includes applying a read voltage across a magnetic tunnel junction data cell and forming a read current. The magnetic tunnel junction data cell has a first resistance state. The read voltage is sufficient to switch the magnetic tunnel junction data cell resistance. The method includes detecting the read current and determining if the read current remains constant during the applying step. If the read current remains constant during the applying step, then the first resistance state of the magnetic tunnel junction data cell is the resistance state that the read voltage was sufficient to switch the magnetic tunnel junction data cell to.

    摘要翻译： 公开了自参考读取磁隧道结数据单元方法。 一种说明性方法包括在磁性隧道结数据单元上施加读取电压并形成读取电流。 磁性隧道结数据单元具有第一电阻状态。 读取电压足以切换磁性隧道结数据单元电阻。 该方法包括检测读取电流并确定在施加步骤期间读取电流是否保持恒定。 如果在施加步骤期间读取电流保持恒定，则磁性隧道结数据单元的第一电阻状态是读取电压足以将磁性隧道结数据单元切换到的电阻状态。