公开(公告)号：US08231803B2

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：US12933507

申请日：2009-03-11

申请人： Masahito Furukawa ,  Daisuke Tanaka ,  Masakazu Hirose ,  Tadashi Takenaka ,  Hajime Nagata ,  Yuji Hiruma

发明人： Masahito Furukawa ,  Daisuke Tanaka ,  Masakazu Hirose ,  Tadashi Takenaka ,  Hajime Nagata ,  Yuji Hiruma

IPC分类号： C04B35/00 ,  C04B35/495

CPC分类号： C04B35/462 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/50 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/604 ,  H01L41/1878

摘要： A piezoelectric ceramic 10 composed mainly of a three-component solid solution represented by the following general formula (1), wherein x, y and z in general formula (1) satisfy the following formulas (2), (3), (4) and (5). x(Bi1/2Na1/2)TiO3−y(Bi1/2Li1/2)TiO3−z(Bi1/2K1/2)TiO3  (1) 0.80≦x≦0.96  (2) 0.02≦y≦0.08  (3) 0.01≦z≦0.15  (4) x+y+z=1  (5)

摘要翻译： 主要由以下通式（1）表示的三组分固溶体组成的压电陶瓷10，其中通式（1）中的x，y和z满足下式（2），（3），（4） 和（5）。 x（Bi1 / 2Na1 / 2）TiO3-y（Bi1 / 2Li1 / 2）TiO3-z（Bi1 / 2K1 / 2）TiO3（1）0.80＆nlE; x和nlE; 0.96（2）0.02＆nlE; y＆nlE; 0.08（3） 0.01＆nlE; z＆nlE; 0.15（4）x + y + z = 1（5）

公开(公告)号：US07985348B2

公开(公告)日：2011-07-26

申请号：US12076694

申请日：2008-03-21

申请人： Takeo Tsukada ,  Masahito Furukawa

发明人： Takeo Tsukada ,  Masahito Furukawa

IPC分类号： H01L41/187

CPC分类号： C04B35/6262 ,  C04B35/462 ,  C04B35/475 ,  C04B35/49 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79

摘要： A piezoelectric ceramic composition having a large piezoelectric constant (d) and as well having a large Qm value is to be provided. The piezoelectric ceramic composition aimed at has a composition corresponding to a solid solution containing a first compound possessing a rhombohedral crystal-based perovskite structure, a second compound possessing a tetragonal crystal-based perovskite structure, and a third compound. The third compound is a compound oxide containing Bi as a first component element, Mn as a second component element, and a tetravalent metallic element or a pentavalent metallic element as a third component element. The tetravalent metallic element is at least one member selected from the group consisting of Ti, Zr, Hf, and Sn. The pentavalent metallic element is at least one member selected from the group consisting of Nb, Ta, and Sb.

摘要翻译： 提供具有大的压电常数（d）并且具有大的Qm值的压电陶瓷组合物。 目标的压电陶瓷组合物具有对应于含有具有菱方晶系的钙钛矿结构的第一化合物，具有四方晶系钙钛矿结构的第二化合物和第三化合物的固溶体的组成。 第三化合物是含有Bi作为第一成分元素的复合氧化物，Mn作为第二成分元素，四价金属元素或五价金属元素作为第三成分元素。 四价金属元素是选自Ti，Zr，Hf和Sn中的至少一种。 五价金属元素是选自Nb，Ta和Sb中的至少一种。

公开(公告)号：US07960901B2

公开(公告)日：2011-06-14

申请号：US12662619

申请日：2010-04-26

申请人： Eiji Natori ,  Takeshi Kijima ,  Koichi Furuyama ,  Yuzo Tasaki

发明人： Eiji Natori ,  Takeshi Kijima ,  Koichi Furuyama ,  Yuzo Tasaki

IPC分类号： H01L41/187

CPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/42 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

摘要： A method of manufacturing a ceramic includes forming a film which includes a complex oxide material having an oxygen octahedral structure and a paraelectric material having a catalytic effect for the complex oxide material in a mixed state, and performing a heat treatment to the film, wherein the paraelectric material is one of a layered catalytic substance which includes Si in the constituent elements and a layered catalytic substance which includes Si and Ge in the constituent elements. The heat treatment includes sintering and post-annealing. At least the post-annealing is performed in a pressurized atmosphere including at least one of oxygen and ozone. A ceramic is a complex oxide having an oxygen octahedral structure, and has Si and Ge in the oxygen octahedral structure.

摘要翻译： 一种制造陶瓷的方法包括：形成包含具有氧八面体结构的复合氧化物材料和对复合氧化物材料具有催化作用的顺电性材料的混合状态的膜，并对膜进行热处理，其中， 顺电材料是构成元素中包含Si的层状催化物质和构成元素中包含Si和Ge的层状催化物质之一。 热处理包括烧结和后退火。 至少在包括氧和臭氧中的至少一种的加压气氛中进行后退火。 陶瓷是具有氧八面体结构的复合氧化物，并且具有氧八面体结构中的Si和Ge。

公开(公告)号：US20110043964A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US12860100

申请日：2010-08-20

申请人： I-LUN HUANG ,  Ting-An Chien ,  Hsiu-Hsiang Pei ,  Chao-Kuang Hsiao ,  Kuan-Zong Fung ,  Chih-Cheng Chen

发明人： I-LUN HUANG ,  Ting-An Chien ,  Hsiu-Hsiang Pei ,  Chao-Kuang Hsiao ,  Kuan-Zong Fung ,  Chih-Cheng Chen

IPC分类号： H01G4/06 ,  C04B35/475

CPC分类号： H01G4/1227 ,  C01G23/002 ,  C01G45/006 ,  C04B35/016 ,  C04B35/453 ,  C04B35/462 ,  C04B35/465 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/475 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3268 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/656 ,  H01G4/30

摘要： A ceramic powder composition, ceramic material, and a multi-layer ceramic capacitor fabricated thereby are provided. The ceramic powder composition includes a main ingredient and an accessory ingredient. The main ingredient is in an amount of 95 to 99 mol %, and includes BaTiO3, and the accessory ingredient is in an amount of 1 to 5 mol %, and consists of oxide Bi2O3—Tio2—XO, where X is selected from a group consisting of magnesium (Mg), vanadium (V), manganese (Mn), and chromium (Cr).

摘要翻译： 提供陶瓷粉末组合物，陶瓷材料和由此制造的多层陶瓷电容器。 陶瓷粉末组合物包括主要成分和辅助成分。 主要成分为95〜99摩尔％，含有BaTiO 3，辅助成分为1〜5摩尔％，由氧化物Bi2O3-Tio2-XO组成，其中X选自 由镁（Mg），钒（V），锰（Mn）和铬（Cr）组成。

公开(公告)号：US07892917B2

公开(公告)日：2011-02-22

申请号：US12153104

申请日：2008-05-14

申请人： Young-jin Cho ,  Yo-sep Min ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  June-key Lee ,  Yong-kyun Lee

发明人： Young-jin Cho ,  Yo-sep Min ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  June-key Lee ,  Yong-kyun Lee

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/28185 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/36 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/85 ,  C01P2002/89 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/16 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/76 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517

摘要： A bismuth titanium silicon oxide having a pyrochlore phase, a thin film formed of the bismuth titanium silicon oxide, a method for forming the bismuth-titanium-silicon oxide thin film, a capacitor and a transistor for a semiconductor device including the bismuth-titanium-silicon oxide thin film, and an electronic device employing the capacitor and/or the transistor are provided. The bismuth titanium silicon oxide has good dielectric properties and is thermally and chemically stable. The bismuth-titanium-silicon oxide thin film can be effectively used as a dielectric film of a capacitor or as a gate dielectric film of a transistor in a semiconductor device. Various electronic devices having good electrical properties can be manufactured using the capacitor and/or the transistor having the bismuth-titanium-silicon oxide film.

摘要翻译： 具有烧绿石相的铋钛氧化硅，由氧化铋钛氧化物形成的薄膜，用于形成铋钛氧化硅薄膜的方法，用于半导体器件的电容器和晶体管，所述半导体器件包括铋钛 - 氧化硅薄膜以及采用电容器和/或晶体管的电子器件。 铋钛氧化硅具有良好的介电性能，并且是热和化学稳定的。 铋钛氧化硅薄膜可以有效地用作半导体器件中的电容器或晶体管的栅极电介质膜的电介质膜。 可以使用具有铋钛 - 氧化硅膜的电容器和/或晶体管来制造具有良好电性能的各种电子器件。

公开(公告)号：US07870787B2

公开(公告)日：2011-01-18

申请号：US12755180

申请日：2010-04-06

申请人： Takakiyo Harigai ,  Hideaki Adachi ,  Eiji Fujii

发明人： Takakiyo Harigai ,  Hideaki Adachi ,  Eiji Fujii

IPC分类号： G01P9/04 ,  G01C19/56

CPC分类号： C23C14/08 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3236 ,  G01C19/5607 ,  G01C19/5642 ,  H01L41/187 ,  H01L41/316 ,  Y10T29/42

摘要： Provided are a piezoelectric thin film including a lead-free ferroelectric material and exhibiting high piezoelectric performance comparable to that of PZT, and a method of manufacturing the piezoelectric thin film. The piezoelectric thin film of the present invention has a multilayer structure in which a metal electrode film having a plane orientation of (100), a (Bi,Na)TiO3 film, and a (Bi,Na,Ba)TiO3 film having a plane orientation of (001) are laminated in this order. The piezoelectric thin film of the present invention can be applied to a wide range of fields and uses. For example, with the piezoelectric thin film of the present invention, an angular velocity sensor of the present invention having high sensitivity and a piezoelectric generating element of the present invention having excellent power generation characteristics can be constructed.

摘要翻译： 提供一种包含无铅铁电材料并具有与PZT相当的高压电性能的压电薄膜，以及制造压电薄膜的方法。 本发明的压电薄膜具有多层结构，其中具有平面取向为（100）的金属电极膜，（Bi，Na）TiO 3膜和（Bi，Na，Ba）TiO 3膜具有平面 （001）的取向依次层叠。 本发明的压电薄膜可以应用于广泛的领域和用途。 例如，利用本发明的压电薄膜，可以构成具有高灵敏度的本发明的角速度传感器和具有优异发电特性的本发明的压电发生元件。

公开(公告)号：US20100264355A1

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：US12747810

申请日：2009-06-22

申请人： Masato Yamazaki ,  Takayuki Matsuoka ,  Katsuya Yamagiwa ,  Takeshi Mitsuoka

发明人： Masato Yamazaki ,  Takayuki Matsuoka ,  Katsuya Yamagiwa ,  Takeshi Mitsuoka

IPC分类号： H01L41/187

CPC分类号： C04B35/475 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/604 ,  H01L41/1878 ,  H03H9/176

摘要： The present invention provides a piezoelectric ceramic composition having a high thermal resistance and a high piezoelectric distortion constant and a piezoelectric element using the piezoelectric ceramic composition. The piezoelectric ceramic composition of the present invention contains Na, Bi, Ti, Cr and O, wherein the content ratio of Na, Bi, Ti and Cr in terms of oxides thereof falls within the following composition range: aNa2O-bBi2O3-cTiO2-dCrO where a, b, c and d are mole fractions; 0.030≦a≦0.042; 0.330≦b≦0.370; 0.580≦c≦0.620; 0≦d≦0.017; and a+b+c+d=1. The piezoelectric ceramic composition preferably has a main crystal phase of bismuth layer-structured ferroelectric, more preferably Na0.5Bi4.5Ti4O15 crystal. The piezoelectric element of the present invention includes a piezoelectric body formed of the piezoelectric ceramic composition and at least a pair of electrodes held in contact with the piezoelectric body.

摘要翻译： 本发明提供一种具有高热阻和高压电变形常数的压电陶瓷组合物和使用压电陶瓷组合物的压电元件。 本发明的压电陶瓷组合物含有Na，Bi，Ti，Cr和O，其中Na，Bi，Ti和Cr的氧化物含量在下列组成范围内：aNa2O-bBi2O3-cTiO2-dCrO 其中a，b，c和d是摩尔分数; 0.030＆nlE; a＆nlE; 0.042; 0.330＆nlE; b＆nlE; 0.370; 0.580＆nlE; c＆nlE; 0.620; 0＆nlE; d＆nlE; 0.017; 和a + b + c + d = 1。 压电陶瓷组合物优选具有铋层结构的铁电体的主晶相，更优选为Na 0.5 B 4 4.5 Ti 4 O 15晶体。 本发明的压电元件包括​​由压电陶瓷组合物形成的压电体和与压电体保持接触的至少一对电极。

公开(公告)号：US20100207492A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12662617

申请日：2010-04-26

申请人： Eiji Natori ,  Takeshi Kijima ,  Koichi Furuyama ,  Yuzo Tasaki

发明人： Eiji Natori ,  Takeshi Kijima ,  Koichi Furuyama ,  Yuzo Tasaki

IPC分类号： H01L41/187

CPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/42 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

摘要： A method of manufacturing a ceramic includes forming a film which includes a complex oxide material having an oxygen octahedral structure and a paraelectric material having a catalytic effect for the complex oxide material in a mixed state, and performing a heat treatment to the film, wherein the paraelectric material is one of a layered catalytic substance which includes Si in the constituent elements and a layered catalytic substance which includes Si and Ge in the constituent elements. The heat treatment includes sintering and post-annealing. At least the post-annealing is performed in a pressurized atmosphere including at least one of oxygen and ozone. A ceramic is a complex oxide having an oxygen octahedral structure, and has Si and Ge in the oxygen octahedral structure.

摘要翻译： 一种制造陶瓷的方法包括：形成包含具有氧八面体结构的复合氧化物材料和对复合氧化物材料具有催化作用的顺电性材料的混合状态的膜，并对膜进行热处理，其中， 顺电材料是构成元素中包含Si的层状催化物质和构成元素中包含Si和Ge的层状催化物质之一。 热处理包括烧结和后退火。 至少在包括氧和臭氧中的至少一种的加压气氛中进行后退火。 陶瓷是具有氧八面体结构的复合氧化物，并且具有氧八面体结构中的Si和Ge。

公开(公告)号：US07580241B2

公开(公告)日：2009-08-25

申请号：US11578778

申请日：2005-04-26

申请人： Yukio Sakashita

发明人： Yukio Sakashita

IPC分类号： H01G4/06

CPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/462 ,  C04B35/47 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/787 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/33 ,  Y10T29/435

摘要： A thin film capacitor element composition having a bismuth layered compound with a c-axis oriented substantially vertical to the substrate surface, wherein the bismuth layered compound is expressed by the formula (Bi2O2)2+(Am−1BmO3m+1)2− or Bi2Am−1BmO3M+3, the symbol m in the formula is an odd number, at least part of the Bi and/or A of the bismuth layered compound is substituted by a rare earth element, and the number of moles substituted by the rare earth element is larger than 1.0 and 2.8 or less with respect to the number of moles (m+1) of the total of Bi and A.

摘要翻译： 一种薄膜电容器元件组合物，其具有基本上垂直于基板表面的c轴的铋层状化合物，其中所述铋层状化合物由式（Bi 2 O 2）2+（Am-1BmO 3 m + 1）2或Bi 2 Am -1BmO3M + 3，式中的符号m为奇数，铋层状化合物的Bi和/或A的至少一部分被稀土元素代替，并且被稀土元素取代的摩尔数 相对于Bi和A的总量的摩尔数（m + 1）大于1.0和2.8或更小。

公开(公告)号：US20080237531A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US12076694

申请日：2008-03-21

申请人： Takeo Tsukada ,  Masahito Furukawa

发明人： Takeo Tsukada ,  Masahito Furukawa

IPC分类号： H01L41/187

CPC分类号： C04B35/6262 ,  C04B35/462 ,  C04B35/475 ,  C04B35/49 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79

摘要： A piezoelectric ceramic composition having a large piezoelectric constant (d) and as well having a large Qm value is to be provided. The piezoelectric ceramic composition aimed at has a composition corresponding to a solid solution containing a first compound possessing a rhombohedral crystal-based perovskite structure, a second compound possessing a tetragonal crystal-based perovskite structure, and a third compound. The third compound is a compound oxide containing Bi as a first component element, Mn as a second component element, and a tetravalent metallic element or a pentavalent metallic element as a third component element. The tetravalent metallic element is at least one member selected from the group consisting of Ti, Zr, Hf, and Sn. The pentavalent metallic element is at least one member selected from the group consisting of Nb, Ta, and Sb.

摘要翻译： 提供具有大的压电常数（d）并且具有大的Qm值的压电陶瓷组合物。 目标的压电陶瓷组合物具有对应于含有具有菱方晶系的钙钛矿结构的第一化合物，具有四方晶系钙钛矿结构的第二化合物和第三化合物的固溶体的组成。 第三化合物是含有Bi作为第一成分元素的复合氧化物，Mn作为第二成分元素，四价金属元素或五价金属元素作为第三成分元素。 四价金属元素是选自Ti，Zr，Hf和Sn中的至少一种。 五价金属元素是选自Nb，Ta和Sb中的至少一种。