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    Magnetic recording element and nonvolatile memory device
    42.
    发明授权
    Magnetic recording element and nonvolatile memory device 失效
    磁记录元件和非易失性存储器件

    公开(公告)号：US08508979B2

    公开(公告)日：2013-08-13

    申请号：US13228040

    申请日：2011-09-08

    申请人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Junichi Ito ,  Yuichi Ohsawa ,  Saori Kashiwada ,  Chikayoshi Kamata ,  Tadaomi Daibou

    发明人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Junichi Ito ,  Yuichi Ohsawa ,  Saori Kashiwada ,  Chikayoshi Kamata ,  Tadaomi Daibou

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11B5/66 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

    摘要： According to one embodiment, a magnetic recording element includes a stacked body. The stacked body includes a first and a second stacked unit. The first stacked unit includes first and second ferromagnetic layers and a first nonmagnetic layer. The first nonmagnetic layer is provided between the first and second ferromagnetic layers. The second stacked unit is stacked with the first stacked unit and includes third and fourth ferromagnetic layers and a second nonmagnetic layer. The fourth ferromagnetic layer is stacked with the third ferromagnetic layer. The second nonmagnetic layer is provided between the third and fourth ferromagnetic layers. An outer edge of the fourth ferromagnetic layer includes a portion outside an outer edge of the first stacked unit in a plane. A magnetization direction of the second ferromagnetic layer is determined by causing a spin-polarized electron and a rotating magnetic field to act on the second ferromagnetic layer.

    摘要翻译： 根据一个实施例，磁记录元件包括堆叠体。 堆叠体包括第一和第二堆叠单元。 第一堆叠单元包括第一和第二铁磁层和第一非磁性层。 第一非磁性层设置在第一和第二铁磁层之间。 第二堆叠单元与第一堆叠单元堆叠并且包括第三和第四铁磁层和第二非磁性层。 第四铁磁层与第三铁磁层层叠。 第二非磁性层设置在第三和第四铁磁层之间。 第四铁磁层的外边缘包括平面内第一堆叠单元的外边缘外侧的部分。 通过使自旋极化电子和旋转磁场作用于第二铁磁层来确定第二铁磁层的磁化方向。

    Magnetic recording element and nonvolatile memory device
    43.
    发明授权
    Magnetic recording element and nonvolatile memory device 有权
    磁记录元件和非易失性存储器件

    公开(公告)号：US08488375B2

    公开(公告)日：2013-07-16

    申请号：US13037592

    申请日：2011-03-01

    申请人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Junichi Ito ,  Yuichi Ohsawa ,  Saori Kashiwada ,  Chikayoshi Kamata ,  Shigeki Takahashi

    发明人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Junichi Ito ,  Yuichi Ohsawa ,  Saori Kashiwada ,  Chikayoshi Kamata ,  Shigeki Takahashi

    IPC分类号： G11C11/14

    CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/228

    摘要： According to one embodiment, a magnetic recording element includes a stacked body including a first stacked unit and a second stacked unit. The first stacked unit includes a first ferromagnetic layer, a second ferromagnetic layer and a first nonmagnetic layer. Magnetization of the first ferromagnetic layer is substantially fixed in a first direction being perpendicular to a first ferromagnetic layer surface. The second stacked unit includes a third ferromagnetic layer, a fourth ferromagnetic layer and a second nonmagnetic layer. Magnetization of the fourth ferromagnetic layer is substantially fixed in a second direction being perpendicular to a fourth ferromagnetic layer surface. The first direction is opposite to the second direction.

    摘要翻译： 根据一个实施例，磁记录元件包括包括第一堆叠单元和第二堆叠单元的堆叠体。 第一堆叠单元包括第一铁磁层，第二铁磁层和第一非磁性层。 第一铁磁层的磁化在垂直于第一铁磁层表面的第一方向上基本固定。 第二堆叠单元包括第三铁磁层，第四铁磁层和第二非磁性层。 第四铁磁层的磁化在垂直于第四铁磁层表面的第二方向上基本固定。 第一方向与第二方向相反。

    METHOD OF MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY
    44.
    发明申请
    METHOD OF MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY 失效
    制造磁记忆的方法

    公开(公告)号：US20120244639A1

    公开(公告)日：2012-09-27

    申请号：US13226868

    申请日：2011-09-07

    申请人： Yuichi OHSAWA ,  Shigeki Takahashi ,  Junichi Ito ,  Daisuke Saida ,  Kyoichi Suguro ,  Hiroaki Yoda

    发明人： Yuichi OHSAWA ,  Shigeki Takahashi ,  Junichi Ito ,  Daisuke Saida ,  Kyoichi Suguro ,  Hiroaki Yoda

    IPC分类号： H01L43/12

    CPC分类号： H01L43/12 ,  H01L29/82

    摘要： According to one embodiment, a method of manufacturing a magnetic memory, the method includes forming a first magnetic layer having a variable magnetization, forming a tunnel barrier layer on the first magnetic layer, forming a second magnetic layer on the tunnel barrier layer, the second magnetic layer having an invariable magnetization, forming a hard mask layer as a mask on the second magnetic layer, patterning the second magnetic layer by using the mask of the hard mask layer, and executing a GCIB-irradiation by using the mask of the hard mask layer, after the patterning.

    摘要翻译： 根据一个实施例，一种制造磁存储器的方法，该方法包括形成具有可变磁化强度的第一磁性层，在第一磁性层上形成隧道势垒层，在隧道势垒层上形成第二磁性层， 具有不变磁化的磁性层，在第二磁性层上形成硬掩模层作为掩模，通过使用硬掩模层的掩模对第二磁性层进行构图，并使用硬掩模的掩模执行GCIB照射 层，图案后。

    MAGNETIC MEMORY DEVICE AND MAGNETIC MEMORY APPARATUS
    45.
    发明申请
    MAGNETIC MEMORY DEVICE AND MAGNETIC MEMORY APPARATUS 审中-公开
    磁记忆装置和磁记忆装置

    公开(公告)号：US20090052237A1

    公开(公告)日：2009-02-26

    申请号：US12107127

    申请日：2008-04-22

    申请人： Hirofumi Morise ,  Shiho Nakamura ,  Satoshi Yanagi ,  Yuichi Ohsawa ,  Daisuke Saida

    发明人： Hirofumi Morise ,  Shiho Nakamura ,  Satoshi Yanagi ,  Yuichi Ohsawa ,  Daisuke Saida

    IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L29/82

    CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228

    摘要： A magnetic memory element includes a laminated construction of a first electrode, a first pinned layer, a first intermediate layer, a memory layer, a second intermediate layer, a second pinned layer and a second electrode, and a third electrode coupled to the first intermediate layer and not directly coupled to the memory layer. The magnetization directions of the first pinned layer, the second pinned layer, and the memory layer are parallel or antiparallel to each other. The magnetization direction of the memory layer takes a first direction when the current is passed with a first polarity so that the current flowing through the first pinned layer exceeds a first threshold. The magnetization direction of the memory layer takes a second direction when the current is passed with a second polarity so that the current flowing through the first pinned layer exceeds a second threshold.

    摘要翻译： 磁存储元件包括第一电极，第一被钉扎层，第一中间层，存储层，第二中间层，第二被钉扎层和第二电极的层压结构，以及耦合到第一中间体 层并且不直接耦合到存储器层。 第一被钉扎层，第二钉扎层和存储层的磁化方向彼此平行或反平行。 当电流以第一极性通过时，存储层的磁化方向取第一方向，使得流过第一被钉扎层的电流超过第一阈值。 当电流以第二极性通过时，存储层的磁化方向采取第二方向，使得流过第一被钉扎层的电流超过第二阈值。

    Magnetic cell and magnetic memory
    46.
    发明授权
    Magnetic cell and magnetic memory 有权
    磁性细胞和磁记忆

    公开(公告)号：US07126849B2

    公开(公告)日：2006-10-24

    申请号：US11227493

    申请日：2005-09-16

    申请人： Shiho Nakamura ,  Shigeru Haneda ,  Yuichi Ohsawa

    发明人： Shiho Nakamura ,  Shigeru Haneda ,  Yuichi Ohsawa

    IPC分类号： G11C11/14

    CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  G11C11/5607 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228

    摘要： A magnetic cell includes: a first ferromagnetic layer whose magnetization is substantially fixed in a first direction; a second ferromagnetic layer whose magnetization is substantially fixed in a second direction opposite to the first direction; a third ferromagnetic layer provided between the first and the second ferromagnetic layers, a direction of magnetization of the third ferromagnetic layer being variable; a first intermediate layer provided between the first and the third ferromagnetic layers; and a second intermediate layer provided between the second and the third ferromagnetic layers. The direction of magnetization of the third ferromagnetic layer can be determined under an influence of spin-polarized electrons upon the third ferromagnetic layer by passing a current between the first and the second ferromagnetic layers.

    摘要翻译： 磁性电池包括：第一铁磁层，其磁化基本上固定在第一方向上; 第二铁磁层，其磁化基本上固定在与第一方向相反的第二方向上; 设置在所述第一和第二铁磁层之间的第三铁磁层，所述第三铁磁层的磁化方向是可变的; 设置在第一和第三铁磁层之间的第一中间层; 以及设置在第二和第三铁磁层之间的第二中间层。 可以通过在第一和第二铁磁层之间通过电流，在自旋极化电子对第三铁磁层的影响下确定第三铁磁层的磁化方向。