公开(公告)号：US20140322507A1

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：US14144915

申请日：2013-12-31

申请人： Intermolecular Inc.

发明人： Guowen Ding ,  Jeremy Cheng ,  Muhammad Imran ,  Minh Huu Le ,  Daniel Schweigert ,  Yongli Xu ,  Guizhen Zhang

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/14

CPC分类号： G02B5/208 ,  B29D11/00865 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  C03C17/3681 ,  C03C23/007 ,  C03C2217/43 ,  C03C2217/48 ,  C03C2218/154 ,  C23C14/083 ,  C23C14/085 ,  C23C14/14 ,  C23C14/22 ,  E06B9/24 ,  E06B2009/2417 ,  E06B2009/2464 ,  G02B5/26 ,  G02F1/091 ,  G02F2001/094 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265

摘要： Disclosed herein are systems, methods, and apparatus for forming low emissivity panels. In some embodiments, a partially fabricated panel may be provided that includes a substrate, a reflective layer formed over the substrate, and a barrier layer formed over the reflective layer such that the reflective layer is formed between the substrate and the barrier layer. The barrier layer may include a partially oxidized alloy of three or more metals. A first interface layer may be formed over the barrier layer. A top dielectric layer may be formed over the first interface layer. The top dielectric layer may be formed using reactive sputtering in an oxygen containing environment. The first interface layer may prevent further oxidation of the partially oxidized alloy of the three or more metals when forming the top dielectric layer. A second interface layer may be formed over the top dielectric layer.

摘要翻译： 本文公开了用于形成低发射率面板的系统，方法和装置。 在一些实施例中，可以提供部分制造的面板，其包括衬底，在衬底上形成的反射层，以及形成在反射层上的阻挡层，使得反射层形成在衬底和阻挡层之间。 阻挡层可以包括三种或更多种金属的部分氧化的合金。 可以在阻挡层上方形成第一界面层。 可以在第一界面层上形成顶部电介质层。 可以在含氧环境中使用反应性溅射形成顶部电介质层。 当形成顶部电介质层时，第一界面层可以防止三种或更多种金属的部分氧化的合金的进一步氧化。 可以在顶部介电层上方形成第二界面层。

公开(公告)号：US20140272353A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US13801465

申请日：2013-03-13

申请人： INTERMOLECULAR INC.

发明人： Guowen Ding ,  Jeremy Cheng ,  Tong Ju ,  Minh Huu Le ,  Daniel Schweigert ,  Guizhen Zhang

IPC分类号： E06B3/67 ,  G02B1/10 ,  C23C14/14 ,  C23C14/08

CPC分类号： G02B1/10 ,  C03C17/3615 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/3652 ,  C03C17/366 ,  C03C17/3681 ,  C03C2217/256 ,  G02B5/282 ,  G02B5/285 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265

摘要： Low emissivity panels can include a protection layer of silicon nitride on a layer of ZnO on a layer of Zn2SnOx. The low emissivity panels can also include NiNbTiOx as a barrier layer. The low emissivity panels have high light to solar gain, color neutral, together with similar observable color and light transmission before and after a heat treatment process.

摘要翻译： 低发射率面板可以包括在Zn2SnOx层上的ZnO层上的氮化硅保护层。 低辐射面板还可以包括NiNbTiOx作为阻挡层。 低辐射面板在热处理过程之前和之后具有高的太阳光增益，颜色中性以及类似的可观察到的颜色和光透射。

公开(公告)号：US20140264321A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US14136000

申请日：2013-12-20

申请人： Intermolecular, Inc.

发明人： Haifan Liang ,  Charlene Chen ,  Sang Lee ,  Minh Huu Le ,  Jeroen Van Duren

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/30604 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/465 ,  H01L21/707 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： In some embodiments, oxidants such as ozone (O3) and/or nitrous oxide (N2O) are used during the reactive sputtering of metal-based semiconductor layers used in TFT devices. The O3 and N2O gases are stronger oxidants and result in a decrease in the concentration of oxygen vacancies within the metal-based semiconductor layer. The decrease in the concentration of oxygen vacancies may result in improved stability under conditions of negative bias illumination stress (NBIS).

摘要翻译： 在一些实施方案中，在TFT器件中使用的金属基半导体层的反应溅射期间，使用氧化剂如臭氧（O 3）和/或一氧化二氮（N 2 O）。 O 3和N 2 O气体是更强的氧化剂并且导致金属基半导体层内的氧空位浓度的降低。 氧空位浓度的降低可能导致负偏压照明应力（NBIS）条件下的稳定性提高。

公开(公告)号：US20140170434A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：US13715709

申请日：2012-12-14

申请人： INTERMOLECULAR INC.

发明人： Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Brent Boyce ,  Guowen Ding ,  Minh Huu Le ,  Zhi-Wen Wen Sun ,  Yu Wang ,  Yongli Xu

IPC分类号： G02B1/10

CPC分类号： G02B1/10 ,  Y10T428/12056 ,  Y10T428/12611

摘要： Two layer silver process comprising a silver layer deposited on a doped silver layer can improve the adhesion of the silver layer on a substrate, minimizing agglomeration to provide a high quality silver layer. The doped silver layer can comprise silver and a doping element that has lower enthalpy of formation with oxide than that of silver, leading to better bonding with oxygen in the substrate.

摘要翻译： 包含沉积在掺杂银层上的银层的双层银方法可以改善银层在基片上的附着力，最小化附聚以提供高质量的银层。 掺杂的银层可以包含银和掺杂元素，其掺杂元素具有比银更低的氧化物形成焓，导致与衬底中的氧更好的结合。

公开(公告)号：US20140161989A1

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：US13712048

申请日：2012-12-12

申请人： INTERMOLECULAR, INC.

发明人： Nikhil Kalyankar ,  Scott Jewhurst ,  Minh Huu Le

IPC分类号： B05D5/06

CPC分类号： G02B5/0294 ,  B82Y30/00 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1254 ,  C23C18/1295 ,  G02B2207/107 ,  G02B2207/109

摘要： Methods for forming anti-glare coatings including forming a layer using a sol-gel process are described. The layer further includes at least one of porogens, nanoparticles, or photosensitive macromolecules. The porogens, nanoparticles, or photosensitive macromolecules are removed using a thermal treatment or UV treatment to impart porosity and surface roughness to the layer. Alternatively, the layer may be roughened using a mechanical process. The layer can optionally be subjected to a curing step. The curing step may be a thermal curing process or a chemical curing process.

摘要翻译： 描述了形成抗眩光涂层的方法，包括使用溶胶 - 凝胶法形成层。 该层还包括致孔剂，纳米颗粒或光敏大分子中的至少一种。 使用热处理或UV处理除去致孔剂，纳米颗粒或光敏大分子，以赋予层的孔隙率和表面粗糙度。 或者，可以使用机械方法使该层变粗糙。 该层可以任选地进行固化步骤。 固化步骤可以是热固化过程或化学固化过程。

公开(公告)号：US09455437B2

公开(公告)日：2016-09-27

申请号：US14509776

申请日：2014-10-08

申请人： Intermolecular, Inc.

发明人： Abraham Anapolsky ,  Minh Huu Le ,  Jeroen Van Duren

IPC分类号： H01M4/04 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/36 ,  H01M4/52 ,  H01M4/525 ,  H01M4/66 ,  H01M10/0561 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/056 ,  H01M10/0585 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/052 ,  C23C14/34 ,  C23C14/56

CPC分类号： H01M4/04 ,  C23C14/024 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/56 ,  C23C14/566 ,  C23C14/568 ,  C23C14/5806 ,  H01M4/0402 ,  H01M4/0404 ,  H01M4/0407 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/0423 ,  H01M4/0426 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/366 ,  H01M4/52 ,  H01M4/525 ,  H01M4/66 ,  H01M4/661 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/056 ,  H01M10/0561 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/0585 ,  H01M2220/30 ,  H01M2300/002 ,  H01M2300/0068

摘要： Embodiments provided herein describe solid-state lithium batteries and methods for forming such batteries. A first current collector is provided. A first layer is formed above the first current collector. The first layer includes lithium and cobalt. The first layer is annealed. A second layer is formed above the annealed first layer. The second layer includes lithium and cobalt, and the annealed first layer and the second layer jointly form a first electrode. An electrolyte is formed above the first electrode. A second electrode is formed above the electrolyte. A second current collector is formed above the second electrode.

摘要翻译： 本文提供的实施例描述了固态锂电池及其形成方法。 提供第一集电器。 第一层形成在第一集电器上方。 第一层包括锂和钴。 第一层退火。 在退火的第一层上方形成第二层。 第二层包括锂和钴，退火的第一层和第二层共同形成第一电极。 在第一电极上方形成电解质。 在电解质上方形成第二电极。 在第二电极上方形成第二集电体。

公开(公告)号：US09416049B2

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：US14312104

申请日：2014-06-23

申请人： Intermolecular Inc.

发明人： Tong Ju ,  Jeremy Cheng ,  Guowen Ding ,  Minh Huu Le ,  Daniel Schweigert ,  Guizhen Zhang

IPC分类号： B32B15/04 ,  B32B17/06 ,  C03C17/34 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/34

CPC分类号： C03C17/3417 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  C03C2217/211 ,  C03C2217/214 ,  C03C2217/216 ,  C03C2217/218 ,  C03C2217/29 ,  C03C2217/732 ,  C03C2217/74 ,  C03C2218/15 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3464

摘要： Embodiments provided herein describe low-e panels and methods for forming low-e panels. A transparent substrate is provided. A reflective layer is formed above the transparent substrate. A dielectric layer is formed between the transparent substrate and the reflective layer. The dielectric layer includes niobium, tin, and aluminum.

摘要翻译： 本文提供的实施例描述了用于形成低e板的低e板和方法。 提供透明基板。 在透明基板的上方形成反射层。 在透明基板和反射层之间形成介电层。 电介质层包括铌，锡和铝。

公开(公告)号：US09296650B1

公开(公告)日：2016-03-29

申请号：US14512644

申请日：2014-10-13

申请人： Intermolecular Inc.

发明人： Guizhen Zhang ,  Jeremy Cheng ,  Guowen Ding ,  Tong Ju ,  Minh Huu Le ,  Daniel Schweigert

IPC分类号： B32B15/04 ,  B32B17/06 ,  C03C17/36

CPC分类号： C03C17/3411 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3613 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3464 ,  G02B1/10 ,  G02B5/208 ,  G02B5/282

摘要： Embodiments provided herein describe low-e panels and methods for forming low-e panels. A transparent substrate is provided. A reflective layer is formed above the transparent substrate. A metal oxide layer is formed between the transparent substrate and the reflective layer. A base layer is formed between transparent substrate and the metal oxide layer. The base layer has a first refractive index. A dielectric layer is formed between the base layer and the metal oxide layer. The dielectric layer has a second refractive index.

摘要翻译： 本文提供的实施例描述了用于形成低e板的低e板和方法。 提供透明基板。 在透明基板的上方形成反射层。 在透明基板和反射层之间形成金属氧化物层。 在透明基板和金属氧化物层之间形成基层。 基层具有第一折射率。 在基底层和金属氧化物层之间形成介电层。 电介质层具有第二折射率。

公开(公告)号：US09279910B2

公开(公告)日：2016-03-08

申请号：US13801465

申请日：2013-03-13

申请人： Intermolecular Inc.

发明人： Guowen Ding ,  Jeremy Cheng ,  Tong Ju ,  Minh Huu Le ,  Daniel Schweigert ,  Guizhen Zhang

IPC分类号： C03C17/36 ,  C23C14/14 ,  G02B1/10 ,  G02B5/28

CPC分类号： G02B1/10 ,  C03C17/3615 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/3652 ,  C03C17/366 ,  C03C17/3681 ,  C03C2217/256 ,  G02B5/282 ,  G02B5/285 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265

摘要： Low emissivity panels can include a protection layer of silicon nitride on a layer of ZnO on a layer of Zn2SnOx. The low emissivity panels can also include NiNbTiOx as a barrier layer. The low emissivity panels have high light to solar gain, color neutral, together with similar observable color and light transmission before and after a heat treatment process.

摘要翻译： 低发射率面板可以包括在Zn2SnOx层上的ZnO层上的氮化硅保护层。 低辐射面板还可以包括NiNbTiOx作为阻挡层。 低辐射面板在热处理过程之前和之后具有高的太阳光增益，颜色中性以及类似的可观察到的颜色和光透射。

公开(公告)号：US09246062B2

公开(公告)日：2016-01-26

申请号：US14259387

申请日：2014-04-23

申请人： Intermolecular, Inc.

发明人： Jianhua Hu ,  Heng Kai Hsu ,  Tong Ju ,  Minh Huu Le ,  Sandeep Nijhawan ,  Teresa B. Sapirman

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L33/42 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/42 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/483 ,  H01L2933/0016

摘要： Transparent ohmic contacts to p-GaN and other high-work-function (≧4.2 eV) semiconductors are fabricated from zinc stannate (e.g., ZnSnO3). ZnO and SnO2 may be sputtered from separate targets and annealed to form the zinc stannate. The Zn:Sn ratio may be tuned over the range between 1:2 and 2:1 to optimize bandgap, work function, conductivity, and transparency for the particular semiconductor and wavelength of interest. Conductivity may be improved by crystallizing the zinc stannate, by doping with up to 5 wt % Al or In, or both.

摘要翻译： 由锡酸锡（例如ZnSnO 3）制造对p-GaN和其它高功函数（≥4.2eV）的半导体的透明欧姆接触。 ZnO和SnO2可以从单独的靶溅射并退火以形成锡酸锌。 可以在1:2和2:1之间的范围内调整Zn：Sn比，以优化特定半导体和感兴趣的波长的带隙，功函数，电导率和透明度。 可以通过使锡酸锌结晶，通过掺入高达5重量％的Al或In或两者来改善电导率。