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公开(公告)号：CN118969893A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411035665.6
申请日：2024-07-31
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/0232 , G01J4/04
摘要： 本发明公开了一种片上纳米天线增强二维材料中红外光电探测器，该探测器主要由衬底层、绝缘隔离层、金属层以及二维材料层组成。金属层包括金属电极以及纳米天线。纳米天线将自由空间光耦合到纳米级亚波长天线间隙中，天线间隙内的超高电场强度增强二维材料与光的相互作用；同时纳米天线可以作为电极高效地收集和输运光生载流子，可以有效提升器件的性能。本发明中设计的纳米天线对不同角度偏振光产生不同的谐振增强，可以有效提高器件的偏振比，提升器件的偏振探测能力。此外可以调整金属纳米天线结构的尺寸、形状等参数实现对不同波段的光探测。该发明可以实现高响应度、响应快速、偏振敏感的中红外光电探测。
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公开(公告)号：CN113659029B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202110771147.0
申请日：2021-07-08
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： H01L31/103 , H01L31/032 , H01L31/0352
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公开(公告)号：CN118943229A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410998375.5
申请日：2024-07-24
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/18 , C23C14/16 , C23C14/35
摘要： 本申请涉及一种基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器及其制备方法，其包括衬底、锑化铋薄膜和驱动电极；锑化铋薄膜位于所述衬底上，驱动电极位于所述锑化铋薄膜上。本申请证明了锑化铋材料可以应用于紫外成像技术，并且具有响应速度快，探测率高的优点，可覆盖大部分日盲光区域。
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公开(公告)号：CN117976737B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202311655107.5
申请日：2023-12-05
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18 , C09K11/02 , C09K11/88 , C09K11/68
摘要： 本发明公开了一种可调谐激子发射强度与谷极化的复合材料及其制备方法。该复合材料由二维异质结材料与柔性基材组成；所述二维异质结材料包括1～3层堆叠状二维过渡金属硫化物，厚度为0.7～3nm，所述柔性基材与二维异质结材料之间无滑移；所述堆叠状二维过渡金属硫化物各层之间的扭转角相同，为0.1～4°。该方法通过控制异质结中各层之间的扭转角实现层间的高强耦合，采用旋涂工艺将异质结结构转移至柔性基材上，保证了异质结结构与柔性基材之间均为稳固接触，解决了层状材料的滑移问题，调谐该材料应变下激子能量、提升了强度以及谷极化，该复合材料在室温和低温下均可有效工作，大幅提高了该材料对复杂工况的兼容性。
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公开(公告)号：CN118908269A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410973582.5
申请日：2024-07-19
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： C01G15/00 , B82Y40/00 , H01L29/786 , H01L29/24 , H01L31/032 , H01L31/113 , G01J1/42
摘要： 本发明属于多层二维半导体光电器件技术领域，公开了一种级联型梯度结构的In2S3纳米片及其制备方法和应用。该级联型梯度结构的In2S3纳米片为表面平整的等边三角形In2S3纳米片连续生长的多层堆叠结构，等边三角形的边长为20～160μm。本发明的级联型梯度结构In2S3纳米片的多层堆叠结构形成的厚度和面积呈梯度递减变化，其层间界面紧密贴合，该材料具有光电响应性能。本发明通过调节氮气的流量、In2S3粉末与氟金云母片之间的距离，In2S3粉末的蒸发温度和蒸发时间制得级联型梯度结构的In2S3纳米片，将该纳米片转移到SiO2/Si衬底，制备的场效晶体管可实现高的光电响应特性，应用在光电探测器件领域。
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公开(公告)号：CN115348948B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202180025410.X
申请日：2021-03-11
申请人： 约翰内斯堡威特沃特斯兰德大学
IPC分类号： C01B17/22 , C01B19/00 , C01G19/00 , H01L31/032
摘要： 本公开涉及制造碱金属四元结晶纳米材料。碱金属四元结晶纳米材料具有通式A(I2‑II‑IV‑VI4)；并且其中I为钠(Na)或锂(Li)，II和IV为Zn或Sn，并且VI为硫属元素，选自包括：硫(S)、硒(Se)和碲(Te)的组。碱金属四元结晶纳米材料的晶相可为原始混合Cu‑Au状结构(PMCA)并且可具有空间群：P42m。纳米材料可适用于提供太阳能电池。还提供制造方法。
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公开(公告)号：CN117594676B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202311795201.0
申请日：2023-12-25
申请人： 湖北大学
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/113 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于In2Se3/Ga2O3异质结结构及其制备方法和应用，涉及光电探测器技术领域。本发明所述的In2Se3/Ga2O3异质结结构，包括Ga2O3薄膜和In2Se3薄膜，其中：所述Ga2O3薄膜和In2Se3薄膜的尺寸均为英寸级。本发明的In2Se3/Ga2O3异质结结构可用于日盲型紫外光电探测器和/或三端场效应晶体管。本发明的日盲型紫外光电探测器，包括：衬底；Ga2O3薄膜；In2Se3薄膜；金电极。本发明的In2Se3/Ga2O3异质结日盲型紫外光电探测器，生长了英寸级的大面积Ga2O3薄膜，并在其上转移了英寸级的大面积In2Se3薄膜。该异质结大大降低了日盲型紫外光电探测器的暗电流并提升了器件的光电性能，使其在低光功率密度下仍然具有优异的光电响应。
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公开(公告)号：CN118888618A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410918436.2
申请日：2024-07-10
申请人： 山东第一医科大学(山东省医学科学院)
IPC分类号： H01L31/032 , C30B29/12 , C30B11/00 , H01L31/08
摘要： 本发明公开了一种混阳离子混卤全无机钙钛矿单晶X射线探测器，所述混阳离子混卤全无机钙钛矿单晶包括Cs、Rb两种A位阳离子和Br、I两种卤素离子，结构式为Cs1‑mRbmPbBr3‑nIn，其中，0≤m≤1、0≤n≤3，本发明涉及X射线探测技术领域。该混阳离子混卤全无机钙钛矿单晶X射线探测器，使用混阳离子混卤全无机钙钛矿单晶制备X射线探测器，其中，混阳离子混卤全无机钙钛矿单晶具有大的电阻率，高的离子激活能，可实现对高通量硬X射线(120keV)大的响应灵敏度，小的暗电流，低的最低检测限和好的稳定性。
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公开(公告)号：CN113728445B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202080015675.7
申请日：2020-08-25
申请人： 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032
摘要： 本发明提供制造多层薄膜的工艺、以及制造太阳能电池的方法、制造多结太阳能电池的方法、制造太阳能电池组件的方法。所述制造多层薄膜的工艺包括：在第一透明电极上形成包含Cu2O作为主要成分的光电转换层；和将具有形成在所述第一透明电极上的所述光电转换层的构件在氧浓度为5.0×10‑8[g/L]至5.0×10‑5[g/L]的第一气氛下放置1h至1600h。
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公开(公告)号：CN118782678A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410709701.6
申请日：2024-06-03
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0368 , H01L31/102 , C23C14/06 , C23C14/58 , C23C14/08 , C23C14/04 , C23C14/16 , C23C14/30 , C23C14/35
摘要： 本发明属于光电技术领域，提供了一种CCZTSe吸收层的制备方法，包括以下步骤：S1：在衬底上多源共蒸发沉积制备CCZTSe前驱体；S2：将所述CCZTSe前驱体置于退火炉中，通入H2Se气体和保护气体，在100℃～400℃用脉冲激光进行交叉线扫描，得到所述CCZTSe吸收层，所述CCZTSe吸收层为铜基多晶半导体材料薄膜。相较于传统的低温工艺，本发明提供的CCZTSe吸收层的制备方法采用脉冲激光辅助生长后，结晶质量变高，大幅度降低退火温度，器件的暗电流密度降低约5μA/cm2，外量子效率提升约30％。
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