公开(公告)号：CN119170656A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411676733.7

申请日：2024-11-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  钱俊帆 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: H01L29/872 ,  H01L23/552 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供了一种抗单粒子烧毁辐照效应的GaN整流器件及其制备方法，属于半导体技术领域。该GaN整流器件包括背面阴极金属层、n+氮化镓衬底层和n‑氮化镓漂移层，n‑氮化镓漂移层上开设有多个环形槽结构且内部生长有p+氧化镍层，n‑氮化镓漂移层上方设有肖特基接触金属层，p+氧化镍层上方设置有欧姆接触金属层并设置绝缘钝化层进行隔离。绝缘钝化层上开设有第一接触通孔和第二接触通孔，上方生长有相互隔离的正面第一阳极金属层和正面第二阳极金属层，分别通过第一接触通孔和第二接触通孔与肖特基接触金属层和欧姆接触金属层连接。能够解决现有GaN整流器因空穴在阳极附近积累，产生辐照损伤甚至单粒子烧毁的技术问题。

公开(公告)号：CN119153542A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411598914.2

申请日：2024-11-11

Applicant: TCL环鑫半导体(天津)有限公司

Inventor： 张敬伟 ,  敖松泉 ,  徐长坡 ,  张新玲 ,  赵宇轩 ,  程研 ,  刘闯

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种集成沟槽和N型悬浮结的肖特基势垒二极管及制备方法，包括设于衬底上的外延层、设于外延层漂移区内的P型注入结构、设于外延层漂移区内的第一掺杂结构以及肖特基接触，其中，第一掺杂结构设于P型注入结构下方，以增加肖特基接触区域的掺杂浓度；肖特基接触设于外延层漂移区上并延伸至外延层漂移区内，以增加肖特基接触的面积。本发明的有益效果是结合新型肖特基势垒技术和新型的P型区注入版图结构，肖特基接触为沟槽结构，P型注入区采用主注入区和补偿注入区相结合方式，使得器件在保持击穿电压不下降的情况下，降低器件的导通电压，或者在保持导通电压不增加的情况下，提升器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN113658922B

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202111052349.6

申请日：2021-09-08

Applicant: 北京绿能芯创电子科技有限公司

Inventor： 请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供了一种用于增强可靠性的JBS碳化硅二级管器件结构及制造方法，包括碳化硅衬底、多层外延层、正面电极、势垒层、N型硅原子层、P型扩散区、P型分压环、N型截止环、复合终端钝化层、欧姆接触层以及背面电极；形成具有隔离缓冲层的双层碳化硅外延层，减少了碳化硅衬底的缺陷，提高产品的良品率和可靠性；通过N型截止环，可以有效的截断漏电通道产生的漏电流，有助于减少器件边缘漏电量大的情况发生；通过N型硅原子层，使得N型硅原子层与金属形成硅基势垒合金层，避免了碳化硅合金层带来的高势垒，降低正向导通时的势垒高度，使得JBS碳化硅二极管的正向开启电压VF大幅度降低，降低了二极管的开通损耗，提高了系统可靠性。

公开(公告)号：CN119050162A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411159924.6

申请日：2024-08-22

Applicant: 长飞先进半导体(武汉)有限公司

Inventor： 谢柳 ,  伍术

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/43

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件、制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆，该器件包括：柔性阴极，柔性阴极包括柔性导电层；半导体本体，半导体本体位于柔性阴极的一侧；半导体本体远离柔性阴极的一侧包括漂移区和有源区，漂移区位于半导体本体靠近柔性阴极的一侧，有源区位于漂移区远离柔性阴极的一侧；柔性阳极，柔性阳极位于半导体本体远离柔性阴极的一侧；柔性阳极包括柔性导电层；柔性导电层的柔韧性大于金属铝的柔韧性。本发明的功率器件具有更好的柔性，使得功率器件能应用在智能、便携和可穿戴等柔性功率电子领域。

公开(公告)号：CN119050161A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411001605.2

申请日：2024-07-24

Applicant: 深圳基本半导体有限公司

Inventor： 杜蕾 ,  张学强 ,  和巍巍

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明属于芯片技术领域，公开了一种碳化硅混合二极管及其制备方法，该制备方法包括：获取N型碳化硅衬底，并在所述N型碳化硅衬底的正面生长N型碳化硅外延层，在所述N型碳化硅衬底的背面生成欧姆金属层；在所述N型外延层的元胞区域的第一活性区域注入P型杂质，生成第一P型掺杂区域；通过光刻工艺在所述第一活性区域内刻蚀形成欧姆接触沟槽，其中，所述欧姆接触沟槽位于所述第一P型掺杂区域内；在所述欧姆接触沟槽中填充欧姆金属；在所述元胞区域中第二活性区域的表面溅射肖特基金属。利用本发明公开的方法，可以实现解决现有技术中传统MPS由于欧姆接触面积较小所导致的一系列问题。

公开(公告)号：CN117995841B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410398863.2

申请日：2024-04-03

Applicant: 深圳市至信微电子有限公司

Inventor： 张爱忠 ,  杨彪 ,  张天畅

IPC: H01L27/07 ,  H01L21/82 ,  H01L21/266 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种LVFF碳化硅场效应管及制备工艺，包括碳化硅MOSFET元胞和碳化硅SBD元胞；碳化硅MOSFET元胞包括SiC外延层，SiC外延层的第一表面上设有栅极结构，SiC外延层的第一表面上的非栅极区域的预设位置设有SBD沟槽，碳化硅SBD元胞集成于SBD沟槽内或第一表面上的非栅极区域；由于SBD被直接集成到MOSFET芯片内部，降低封装成本，不需要额外的外部器件和其引脚，可以大幅减小器件的尺寸，提高芯片的集成度；且SBD反向导通时电流分布也更加均匀，消除了二极管与MOSFET的相互连接导致的寄生参数，降低了系统的开关损耗，提高了功率转换效率，提高了器件的整体性能。

公开(公告)号：CN118919576A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411409291.X

申请日：2024-10-10

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张鹏飞 ,  张少鹏 ,  王若铮 ,  王玮 ,  问峰 ,  张明辉 ,  朱天飞 ,  张晓凡 ,  王宏兴

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种横向硼掺杂金刚石二极管及其批量制备方法，属于半导体材料与器件技术领域；所述横向硼掺杂金刚石二极管包括硼掺杂单晶金刚石；所述硼掺杂单晶金刚石上开设有至少两个梯形通孔；所述梯形通孔的上底所在面为硼掺杂单晶金刚石正面，梯形通孔的下底所在面为硼掺杂单晶金刚石背面；所述硼掺杂单晶金刚石背面生长有硼掺杂多晶金刚石；所述硼掺杂单晶金刚石正面沉积有肖特基接触层和欧姆接触层；所述肖特基接触层位于任意相邻两个梯形通孔之间的硼掺杂单晶金刚石正面区域；所述欧姆接触层位于所述相邻两个梯形通孔外侧的硼掺杂单晶金刚石正面区域。本发明制备的二极管耐压性能及电流承载能力好，制备成本低，益于批量生产。

公开(公告)号：CN118173547B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410426482.0

申请日：2024-04-10

Applicant: 安徽长飞先进半导体股份有限公司

Inventor： 伍术 ,  刘红超

IPC: H01L25/07 ,  H01L29/872 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明公开了一种功率器件、功率模块、功率转换电路以及车辆。该功率器件包括：两个垂直结构肖特基势垒二极管；垂直肖特基势垒二极管的第一表面至少设置有阳极连接电极；两个垂直结构肖特基势垒二极管包括第一垂直结构肖特基势垒二极管和第二垂直结构肖特基势垒二极管；第一垂直结构肖特基势垒二极管的第二表面设置有阴极；第二垂直结构肖特基势垒二极管的第二表面设置有阴极；或者第二垂直结构肖特基势垒二极管的第二表面设置有衬底；两个垂直结构肖特基势垒二极管垂直堆叠，其中，两个垂直结构肖特基势垒二极管的第一表面相对设置；且两个垂直结构肖特基势垒二极管并联连接。本发明实施例提供的技术方案提高了功率器件的单位面积的电流密度。

公开(公告)号：CN118888601A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202411012293.5

申请日：2024-07-26

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 周闯杰 ,  何泽召 ,  蔚翠 ,  刘庆彬 ,  马孟宇 ,  余浩 ,  李鹏雨 ,  冯志红

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/16 ,  H01L29/167 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种垂直结构金刚石场效应肖特基二极管及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括：在金刚石衬底上外延高掺杂浓度p型金刚石外延层；在高掺杂浓度p型金刚石外延层的正面生长轻掺杂p型金刚石外延层，去除高掺杂浓度p型金刚石外延层背部的金刚石衬底；在轻掺杂p型金刚石外延层上刻蚀出圆柱形阴极区和场效应控制区，阴极区在圆柱的顶部；在轻掺杂p型金刚石外延层上形成N型掺杂；在高掺杂浓度p型金刚石外延层的背面淀积阳极金属；在光刻阴极区形成氧化铝，淀积阴极金属；在阴极金属上制作阴极电极。本发明制备的肖特基二极管，降低了正向导通电阻，提升了反向击穿电压，从而提升了器件的功率品质因子。

公开(公告)号：CN118658886B

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202411141209.X

申请日：2024-08-20

Applicant: 南京第三代半导体技术创新中心有限公司 ,  中国电子科技集团公司第五十五研究所 ,  南京第三代半导体技术创新中心

Inventor： 杨晓磊 ,  张跃 ,  柏松 ,  黄润华 ,  李士颜 ,  杨勇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L27/07 ,  H01L29/872 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种混合沟道SiC MOSFET及其制造方法。该混合沟道SiC MOSFET包括栅沟槽，掺杂类型为第一类型的衬底、外延层和源区，掺杂类型为第二类型的阱区，于栅沟槽的侧壁及底部形成栅介质，于栅介质中形成栅极，隔离介质完全覆盖栅极，于相邻隔离介质之间集成肖特基二极管。本发明通过结构设计，在SiC MOSFET的元胞结构中集成横向、纵向导电沟道，显著增大了器件电流密度。同时，本发明将导电沟道设置于半导体内部，可以在现有的SiC MOSFET技术基础上，进一步降低元胞尺寸，提高沟道密度。所集成的肖特基二极管可以明显改善器件的第三象限特性。本发明同时公开了所述器件结构的制造方法。