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公开(公告)号：CN118963009A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411276061.0
申请日：2024-09-12
申请人： 天津科技大学
摘要： 本发明提供了一种新型悬浮波导矩阵薄膜铌酸锂声光调制器，属于声光调制技术领域，包括由下至上层叠的体铌酸锂衬底和多个悬浮波导层，各悬浮波导层均包括由下至上层叠的体铌酸锂衬底、刻蚀后的二氧化硅缓冲层、铌酸锂薄膜、光波导和叉指电极、刻蚀后二氧化硅缓冲层和电磁屏蔽层，各波导层的所有光波导均对应与其位置相关的二维坐标，所有二维坐标形成波导矩阵，分别记载波导矩阵中各元素所对应的光波导的工作参数，各波导层按照层叠顺序依次制备。本发明能够包含多个可用光波导，可调制多种光波长激光，多波段兼容性：悬浮波导结构可以适用于可见光和红外光等不同波段的光信号调制，因此具有更广泛的应用范围。
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公开(公告)号：CN118963008A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411240226.9
申请日：2024-09-05
申请人： 天津科技大学
摘要： 本发明提供薄膜铌酸锂弯折电光调制网络，属于光电集成器件领域，由下至上由硅衬底和多个弯折型波导层堆叠而成，各波导层由下至上包括二氧化硅缓冲层、铌酸锂薄膜、弯折型波导、弯折型行波电极、电磁屏蔽层堆叠而成。各波导层的所有弯折型波导均对应与其位置相关的二维坐标，所有二维坐标形成电光调制网络，分别记载调制网络中各元素所对应的弯折型波导的工作参数，不同波长光纤可根据需要耦合至对应位置的波导，刻蚀后二氧化硅缓冲层底面刻蚀有与行波电极匹配的凹槽，各波导层按照层叠顺序依次制备，电磁屏蔽层由碳纳米材料制成，采用电子束刻蚀技术在铌酸锂薄膜层制作光波导。本发明包含多个弯折型波导，通过增大调制区间提高带宽，并且使产品的集成度提高。
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公开(公告)号：CN118938518A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411282376.6
申请日：2024-09-13
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明属于电光器件技术领域，具体涉及一种电光调制器及其制备方法和应用。本发明提供的电光调制器为马赫曾德尔电光调制器，包括对称且平行的双臂结构；其中任一单臂具有如下所述结构：所述电光调制器的任一单臂包括依次层叠设置的基底层、二氧化硅层和光电材料层；所述光电材料层的表面设置有地端电极、信号端电极和氮化硅光子晶体波导；所述氮化硅光子晶体波导位于地端电极和信号端电极之间，调制区长度为100～300μm；所述氮化硅光子晶体波导具有三角晶格晶体孔结构；所述二氧化硅层在垂直于氮化硅光子晶体波导的位置具有空腔结构。该电光调制器能够解决由于直接刻蚀传统光电薄膜材料引起的加工损耗、电光带宽和器件尺寸的限制问题。
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公开(公告)号：CN114966971B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202110193048.9
申请日：2021-02-20
申请人： 腾讯科技(深圳)有限公司
摘要： 本申请实施例公开了一种触觉传感器的制造方法及设备，该方法包括：将第一高分子聚合物旋涂在镀有目标薄膜的硅片上并进行加热固化，并对加热固化后的硅片进行改性处理，以生成具有第一包层和目标薄膜的硅片；将第一光刻胶旋涂在具有第一包层和目标薄膜的硅片上并进行光刻，对光刻后的硅片进行等离子刻蚀，以生成具有触觉传感器薄膜和目标薄膜的硅片；将第一高分子聚合物旋涂在具有触觉传感器薄膜和目标薄膜的硅片上进行加热固化后生成第二包层以得到固化后的硅片，溶解固化后的硅片上的目标薄膜以得到触觉传感器。采用本申请实施例，可制成具有高传感空间分辨率和高传感灵敏度的触觉传感器。
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公开(公告)号：CN118897354A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202310484374.4
申请日：2023-04-28
申请人： 国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司
IPC分类号： G02B6/10 , G02B6/12 , G02B6/13 , G02B6/136 , G02F1/125 , C23C28/04 , C23C14/00 , C23C14/06 , C23C16/40 , C23C16/34
摘要： 一种复合光波导结构，复合光波导结构包括衬底、下包层、形成于复合光波导层的复合光波导芯和上包层；下包层、复合光波导层、上包层依次层叠设置于衬底；所述复合光波导层由压应力层和张应力层构成，压应力层设置于张应力层和下包层之间，且压应力层和张应力层的厚度经设计为其形成的压应力和张应力相匹配，以便沉积形成平整的光学膜层。利用压应力层平衡张应力层的拉应力，缓解张应力层高的拉应力导致衬底的翘曲问题，保证后续的光刻、刻蚀工艺正常进行，确保光波导的尺寸精度。
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公开(公告)号：CN118838000A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410492247.3
申请日：2024-04-23
申请人： 北京大学
摘要： 本发明属于光通信领域，涉及一种实现高非对称辐射的光栅耦合器产品及其制备方法。该高非对称辐射的光栅耦合器包括非对称光栅结构层，所述非对称光栅结构层包含至少两个非对称光栅结构单元，每个非对称光栅结构单元包含非对称的槽型结构。所述非对称的槽型结构可以是L型、分离槽型和梯形槽型。本发明提出的基于高非对称辐射光栅结构的新型光栅耦合器不借助任何的材料和结构构造反射镜便实现了单向辐射的特性，极大降低了光端口耦合插损，简化了工艺流程，同时可利用套刻工艺实现不对称结构的制备，因此可以避免相对较复杂的倾斜刻蚀工艺，简化了工艺流程；该工艺与CMOS工艺兼容并且可以大规模集成，可在芯片上成阵列化分布。
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公开(公告)号：CN118795602A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411160068.6
申请日：2024-08-22
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于薄膜铌酸锂的紧凑型宽带偏振旋转分束器及制备方法，属于集成光学器件技术领域，该器件包括自下而上依次布置的衬底层、埋氧层、薄膜铌酸锂层和介质膜材料层；其中，衬底层、埋氧层和介质膜材料层用于保护薄膜铌酸锂层；薄膜铌酸锂层中包含有模斑转换器、模式演化器、宽度渐变锥形波导及第一弯曲波导和第二弯曲波导。模斑转换器、模式演化器、宽度渐变锥形波导及第一弯曲波导和第二弯曲波导顺序依次连接。本发明在薄膜铌酸锂片上实现偏振旋转分束功能，有助于实现偏振分复用技术，具有尺寸小、光学带宽大、消光比大及易集成的优点。
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公开(公告)号：CN117148499B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202311190660.6
申请日：2023-09-15
申请人： 慕德微纳(杭州)科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种衍射光波导的设计方法，其包括以下步骤，设定光束传输路径，并确定波导片上的耦入区、转折区和耦出区；分别在耦入区、转折区和耦出区上，沿着光束传输路径划分光栅分区，并确定形成光束传输路径所需的闪耀光栅周期、闪耀角、以及反闪耀角；分别基于耦入区、转折区和耦出区预设的计算规则，确定光栅分区的衍射效率，进而确定达到衍射效率所需的占空比、闪耀光栅宽度、以及闪耀光栅深度；在光栅分区上对应设置闪耀光栅，以在耦入区、转折区和耦出区分别形成耦入光栅、转折光栅和耦出光栅，得到衍射光波导。本发明具有较好的出光效率、均匀性、隐私性和量产经济性等优点，适用于大批量工业化生产。
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公开(公告)号：CN118732110A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410879867.2
申请日：2019-06-27
申请人： 应用材料公司
发明人： 卢多维克·戈代 , 韦恩·麦克米兰 , 罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森
摘要： 本文讨论的系统与方法用于衍射光栅(诸如在波导组合器中使用的那些光栅)的制造。本文讨论的波导组合器是使用高折射率与低折射率材料的纳米压印光刻(NIL)结合高折射率与低折射率材料的定向蚀刻来制造的。波导组合器可额外地或替代地通过定向蚀刻透明基板来形成。包括本文讨论的衍射光栅的波导组合器可直接地形成在永久透明基板上。在其他示例中，衍射光栅可形成在临时基板上并转移至永久、透明基板。
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公开(公告)号：CN118642281A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410935742.7
申请日：2024-07-12
申请人： 宁波元芯光电子科技有限公司
发明人： 陈泉安
摘要： 本发明公开了一种热相移器及其制作方法，包括深刻蚀悬空波导结构，所述深刻蚀悬空波导结构包括深刻蚀掩埋悬空波导区，所述深刻蚀掩埋悬空波导区包括：深刻蚀掩埋悬空波导，包括从上往下依次设置的上包层、下包层、空气隔热层和衬底，所述上包层和下包层部分接触，并且上包层和下包层内包裹有波导芯层；以及热电极，置于深刻蚀掩埋悬空波导的顶部。
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