公开(公告)号：CN118707784A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202411069587.1

申请日：2024-08-06

申请人： 重庆大学

发明人： 陈冠宇 ,  张子尧 ,  刑原野 ,  余华

IPC分类号： G02F3/00

摘要： 本申请公开了一种基于多维复用的光学伊辛机芯片，涉及伊辛机领域，包括：n个激光源、n个电光调制器、多维复用模块、n个光电探测器和n个现场可编程门阵列；激光源产生输入光信号；电光调制器根据直流偏置电压和对应的反馈信号调制光信号强度，产生n个调制光信号；多维复用模块将n路调制光信号复用后解复用得到第一光电压信号；现场可编程门阵列对第一光电压信号进行预处理，得到n个第二光电压信号，并确定输入矩阵；并将耦合矩阵和输入矩阵进行矩阵乘法，得到反馈信号，输入到电光调制器进行迭代。本申请采用多维复用的方式将多路光路集成到单个芯片上，提高了光学伊辛机的运算规模。

公开(公告)号：CN118938518A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411282376.6

申请日：2024-09-13

申请人： 重庆大学

发明人： 余华 ,  陈冠宇 ,  苏问渠 ,  陆锦东 ,  周思远 ,  刘玉山

IPC分类号： G02F1/03 ,  G02F1/035 ,  G02B6/13 ,  G02B6/136 ,  G02B6/122

摘要： 本发明属于电光器件技术领域，具体涉及一种电光调制器及其制备方法和应用。本发明提供的电光调制器为马赫曾德尔电光调制器，包括对称且平行的双臂结构；其中任一单臂具有如下所述结构：所述电光调制器的任一单臂包括依次层叠设置的基底层、二氧化硅层和光电材料层；所述光电材料层的表面设置有地端电极、信号端电极和氮化硅光子晶体波导；所述氮化硅光子晶体波导位于地端电极和信号端电极之间，调制区长度为100～300μm；所述氮化硅光子晶体波导具有三角晶格晶体孔结构；所述二氧化硅层在垂直于氮化硅光子晶体波导的位置具有空腔结构。该电光调制器能够解决由于直接刻蚀传统光电薄膜材料引起的加工损耗、电光带宽和器件尺寸的限制问题。