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公开(公告)号：CN118326510B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410435730.8
申请日：2024-04-11
申请人： 泰州东鼎光电科技有限公司
发明人： 戚荣玉
摘要： 本发明公开了一种多晶硅生产装置，属于硅生产技术领域，包括进料装置，进料装置用于将各种原料放入，进料装置上设置有磨碎装置，磨碎装置用于对原料进行磨碎，进料装置旁设置有熔炉装置，熔炉装置用于对原料进行反应得到硅液，冷却后得到多晶硅。一种多晶硅生产方法，首先对硅原矿和添加剂进行混合；对硅原矿和添加剂进行磨碎；对磨碎的混合物通入气体进行反应并进行加热熔化；对熔化形成的硅液进行冷却得到多晶硅。本发明设置的进料装置能够实现将进料架中放置的硅原矿间歇送入到推块中，并将推块中的硅原矿和添加剂盒中的添加剂间歇性地通入出料管中，从而实现定量间歇性进料，自动化程度高。
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公开(公告)号：CN118600549A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410739465.2
申请日：2024-06-07
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 本发明属于半导体衬底材料制备技术领域，具体涉及一种锑化镓多晶的合成系统及方法，该系统由加热容器、底座支撑装置、加热装置、电磁搅拌装置和保温装置组成。基于该系统，按照装填物料、升温熔化以及多晶合成的步骤生产锑化镓多晶。合成系统通过对高温熔体施加磁场，在电磁力的作用下强化熔体流动，达到搅拌熔体的目的，无需额外干预。该合成方法通过梯度式凝固，提高晶体完整性。
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公开(公告)号：CN118215381A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410335596.4
申请日：2024-03-22
申请人： 北京航空航天大学
IPC分类号： H10N10/852 , H10N10/01 , C01G21/00 , C01G21/16 , C30B29/46 , C30B11/00 , C30B28/06 , C30B28/04
摘要： 本发明公开了一种基于N型PbSnS2晶体的新型热电制冷材料及其制备方法，该材料为PbCl2掺杂和额外引入Ni的PbSnS2晶体，PbCl2掺杂有效实现了N型电子传导，在此基础上，通过额外引入Ni，填充了N型PbSnS2晶体中Pb/Sn阳离子空位，降低缺陷浓度的同时增大了面内方向的电荷密度，从而有效提高了材料的载流子迁移率和电输运性能，最终获得高的热电优值，室温下ZT≧0.5，初步展现出热电制冷的潜力；基于所得N型PbSnS2晶体与P型商用Bi0.4Sb1.6Te3搭建的包含7对P‑N结的热电器件实现了～19.4K的最大制冷温差和～2.0％的热电转换效率。本发明提供的N型PbSnS2晶体具有原材料丰富和成本低廉的优势，其优异的室温热电性能也表现出成为热电制冷材料的巨大潜力。
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公开(公告)号：CN115928207B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211440328.6
申请日：2022-11-17
申请人： 四川大学
摘要： 本发明公开了一种硒锂化合物多晶材料的合成方法，该方法以硒锂化合物化学式中各元素的高纯度单质为原料，工艺步骤：(Ⅰ)合成容器的清洗与干燥；(Ⅱ)装料，将单质Se、Ag(In)、Ga或单质Se、Ga依次放入PBN坩埚的封闭端，再在氩气气氛中将单质Li放入PBN坩埚的封闭端；(Ⅲ)多晶体的合成，在可倾斜和转动的两区域加热管式炉中进行，两区域加热管式炉倾斜放置，前炉位于高端，后炉位于低端，靠前炉的温区为第一温区Ⅰ，靠后炉的温区为第二温区Ⅱ，合成容器装有原料的一端位于第二温区Ⅱ，未装原料的一端位于第一温区Ⅰ。使用本发明所述合成容器和方法，在保证合成安全性的条件下可得到单相的硒锂化合物多晶材料。
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公开(公告)号：CN115198347B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202210829211.0
申请日：2022-07-15
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种离心合成与生长化合物晶体的装置及方法，涉及化合物半导体的制备，装置包括炉体和炉体内的坩埚，坩埚顶部设置密封槽，与密封槽配套有密封盖，坩埚通过坩埚杆连接炉体外部的离心电机。方法包括放置原料、组装装置、密封坩埚、离心合成、晶体生长步骤。使用本发明提出的装置和方法，没有易挥发元素的注入装置，具有简单、经济、节能、高效的特点；金属材料在加热前，在离心力的作用下贴在坩埚侧壁，距主加热器更近，对金属的加热效率更高；合成期间，易挥发元素不会发生逃逸，全部参与合成，杜绝浪费；化合物生成前所有材料装料完成，外界沾污减少；实现晶体在原位生长，提高效率。
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公开(公告)号：CN114477781B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202011144468.X
申请日：2020-10-23
申请人： 中国科学院理化技术研究所
摘要： 本发明介绍了一种用于太阳能级多晶硅制备过程中硅锭脱模的复合陶瓷涂层脱模剂，通过氮氧化硅、β氮化硅、聚乙烯醇和水为原料制成。Si2N2O热学和力学性能与Si3N4材料相似，但其抗氧化、抗热震和化学稳定性均优于Si3N4材料。Si熔体对Si2N2O材料表现出超疏特性，且二者不会发生化学反应，所以可以有效减少Si铸锭因粘连、杂质扩散而造成品质降低的情况，达到提高多晶Si一级品率的目的；而β‑Si3N4自由能低于α相，制备难度低，制备相同量的Si3N4粉体，α相的成本是β相的3～5倍，所以使用β‑Si3N4基涂层，制备成本可以得到有效控制。综上，Si2N2O/β‑Si3N4复合陶瓷涂层是一种热力学性能和润湿性能均优于传统Si3N4，且成本低廉的脱模涂层。
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公开(公告)号：CN117779202A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311846474.3
申请日：2023-12-27
申请人： 安徽精耐新材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种铸造用多晶粉、铸造面层材料及其制备方法与在精铸制壳工艺中应用，属于熔模精密铸造技术领域。该多晶粉，其由以下质量百分比的成分组成：Zr4‑6％，Al 75‑80％，Si 15‑20％；其中质量百分比＞99％的多晶粉的粒度≤0.075mm。有益效果：本发明针对现有技术生产工艺中存在的不足，把活性游离材料，经过2200℃以上的高温熔融，把活性晶体变为稳定的刚玉相、莫来石相及少量玻璃相等。制得的材料对酸和碱的抵抗能力强，在氧化剂、还原剂或各种金属液的作用下，不发生变化，因此制得的型壳，其尺寸稳定、热稳定性及高温下化学稳定性好。锰铁、硅锡、锆镍等都不与它发生反应。因此铸造出的铸件表面无粘砂，无麻坑，光洁度好。
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公开(公告)号：CN117721531A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311783665.X
申请日：2023-12-22
申请人： 江苏德润光电科技有限公司
IPC分类号： C30B28/06 , C30B29/06 , F27D25/00 , B01D46/10 , B01D46/681
摘要： 本发明公开了多晶硅铸锭炉技术领域的一种带有降尘功能的多晶硅铸锭炉，包括，炉体，所述炉体上设置有控制面板和监测器；所述炉体的底部设置在底座上，所述底座的顶部右侧设置有电源，所述电源上连接有传输线，所述炉体的内壁设置有连接装置，通过设置可通风的过滤网和过滤槽，使得对线圈断电后，可通过风力加快线圈周围的空气流动，进而有效的使线圈上的灰尘落进过滤网和过滤槽内，且在扇叶高速转动时，刮杆能够在过滤网上往复移动，进而能够将过滤网上落下的灰尘推进两侧的过滤槽内，避免灰尘堆积在过滤网上，影响过滤网的通风，进而保证了过滤网处风力的流动，从而保证了对线圈上灰尘的吸取。
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公开(公告)号：CN117682486A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311683129.2
申请日：2023-12-09
申请人： 东华大学
IPC分类号： C01B19/04 , C30B29/46 , C30B25/00 , C30B11/02 , C23C16/30 , C23C16/52 , C30B28/14 , C30B28/06 , H01L31/09 , G01J5/10
摘要： 一种稀土碲化物的制备方法及基于稀土碲化物的红外探测器，将碲单质和稀土单质按照一定的元素比混合，采用气相输运法、真空固相法等合成方法制备出一系列稀土碲化物，基于所得稀土碲化物组装红外探测器。本发明工艺简单、成本较低、高效的稀土碲化物红外光电探测材料的制备方法，包括气相输运、真空固相和化学气相沉积，本发明的稀土碲化物红外光电探测器在室温下可实现808～1600nm波长的响应。
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公开(公告)号：CN107630250B
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN201711049767.3
申请日：2017-10-31
申请人： 晶科能源股份有限公司 , 浙江晶科能源有限公司
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