-
公开(公告)号：CN118977196A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411472540.X
申请日：2024-10-21
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本申请涉及半导体抛光技术领域，尤其是涉及一种抛光设备，包括设备主体，所述设备主体包括：抛光盘；布设机构，所述布设机构用于抛光盘上布设抛光垫，所述布设机构包括：载体，所述载体具有一承载面，所述承载面用于承载抛光垫，所述承载面上至少具有一连接部，所述连接部用于可拆卸连接抛光垫，以使抛光垫可贴合于所述承载面上；所述承载面可与所述抛光盘抵压配合，以使所述抛光垫与所述抛光盘形成一受力段。解决了如何提高抛光垫粘贴品质的技术问题，达到有效提高抛光垫粘贴品质的技术效果。
-
公开(公告)号：CN118977195A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411471850.X
申请日：2024-10-21
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本申请涉及半导体抛光技术领域，尤其是涉及一种抛光设备，包括：设备主体，设备主体用于硅片抛光，设备主体具有加工室；过滤机构，过滤机构用于对去除设备主体内部的颗粒物，过滤机构包括：净化室，净化室连接于加工室上，净化室和加工室至少部分连通；第一过滤组件，第一过滤组件连接于净化室和加工室之间，第一过滤组件可沿第一方向送风并过滤，第一方向是指加工室到净化室的方向；以及第二过滤组件，第二过滤组件连接于净化室和加工室之间，第二过滤组件可沿第二方向送风并过滤，第二方向是指净化室到加工室的方向；使得在加工室和净化室之间形成循环气流。
-
公开(公告)号：CN118927139A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410816237.0
申请日：2024-06-24
申请人： 华海清科股份有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种用于晶圆抛光的承载头、抛光方法和抛光设备，其中用于晶圆抛光的承载头，包括：气膜组件、端环、保持环和基座；所述端环可拆卸地安装于所述基座与所述保持环间，所述气膜组件与所述基座连接，且所述气膜组件位于所述端环和所述保持环内，所述气膜组件与所述端环和所述保持环之间存在间隙；所述气膜组件，用于在对晶圆进行抛光时，将晶圆抵接在抛光垫上；所述端环、所述基座和所述气膜组件围成环形容纳腔，所述环形容纳腔的外环腔壁包括所述端环内壁。能够使端环承担牺牲功能，利用端环承受抛光液的腐蚀和晶圆碎屑等杂物造成的磨损，避免基座产生损伤，从而减小承载头的使用成本。
-
公开(公告)号：CN118699912B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411204075.1
申请日：2024-08-30
申请人： 启东市林冲电测电器有限公司
摘要： 本发明公开了一种应用于电磁铁芯端面的研磨装置及方法，涉及电磁铁芯加工技术领域，包括研磨机架，研磨机架的外部侧壁上开设有拿取槽，且研磨机架的外部侧壁上固定连接有连接底板，连接底板远离研磨机架的一端外壁上固定连接有支撑底架，支撑底架的外壁固定连接有送件架，且送件架固定连接在连接底板的顶面，送件架的内部设置有若干个电磁铁芯待磨件，且送件架上设置有循环运输组件，送件架的两侧外壁固定连接有两个对称设置的电机支架，研磨机架的内部设置有循环送件组件。本发明公开的一种应用于电磁铁芯端面的研磨装置及方法,具有提高减少装置的停车时间，工作连续性高，无效时间短、研磨效率高的技术效果。
-
公开(公告)号：CN118893567A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411096688.8
申请日：2024-08-09
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/34 , B24B55/06 , B24B53/017 , B24B37/30 , B24B37/005 , B24B49/12 , B24B37/04
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了化学机械抛光设备机台腔体清洁装置及方法。装置包括腔体、研磨组件和清洗组件，研磨组件安装在腔体内；清洗组件安装在腔体的内壁面上，包括用于沿多个不同的预设喷液方向喷出清洗液的多个喷嘴，清洗液用于清洗研磨组件。在腔体的内壁面距离研磨组件一定高度的位置固定多个喷嘴，多个喷嘴朝向不同方向喷出清洗液，保证研磨组件处于喷嘴的喷淋范围内，清洗液形成覆盖研磨组件的液膜，对腔体内关键的研磨组件的表面、研磨组件内各个结构的间隔区域以及部分的腔体内壁面达到清洁效果，减少腔体内部结晶，避免腔体内部的结晶颗粒掉落到晶圆上而影响研磨工艺进行，有效延长设备的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN118848806A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411194710.2
申请日：2024-08-28
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本申请涉及半导体抛光技术领域，公开了一种电化学机械抛光工艺、装置及生产线体，包括步骤：向抛光盘的研磨面上喷洒抛光液，其中，所述抛光液中含有抛光磨粒；将晶圆的待抛光面与所述抛光盘上的研磨区转动接触，以进行抛光处理，其中，所述抛光盘的所述研磨面上至少有一部分设置有研磨粒，形成所述研磨区；本申请公开的电化学机械抛光工艺、装置及生产线体，能够解决半导体抛光效率低，以及生产线体成本高的问题。
-
公开(公告)号：CN118848801A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410440797.0
申请日：2024-04-12
申请人： 株式会社荏原制作所
摘要： 本发明提供一种信息处理装置、推导装置、机器学习装置、及其方法，能够迅速且准确地对基板处理装置的状态进行诊断。信息处理装置包括：基准信息获取部，获取成为基准的相当于基板处理装置的基准装置中的基准处理片数及基准装置信息以作为基准信息；比较信息获取部，获取成为基准装置的比较对象的相当于基板处理装置的比较装置中的比较处理片数及比较装置信息以作为比较信息；以及诊断处理部，基于基准信息及比较信息，生成包含基准处理片数与比较处理片数产生差异时的原因、及用于消除差异的对策中的至少一个的诊断信息。
-
公开(公告)号：CN118832522A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410907772.7
申请日：2024-07-08
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种化学机械平坦化设备及晶圆处理方法，属于半导体器件制造技术领域，所述化学机械平坦化设备包括沿第一直线路径顺次设置的前端单元、清洗单元、抛光单元、设于所述前端单元和所述清洗单元之间的第一转运组件、设于所述清洗单元的第二转运组件、设于所述抛光单元的第三转运组件，所述抛光单元至少设有一个，所述清洗单元与所述抛光单元的数量相同，所述抛光单元包括转动架、固接于所述转动架的多个抛光头、位于所述抛光头下方的多个抛光台，多个所述抛光头套所述转动架的转轴均匀分布，所述抛光台的数量比所述抛光头的数量少一个，以形成一个装卸位置，所述第三转运组件具有第一工作点位和第二工作点位。
-
公开(公告)号：CN118809428A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410453591.1
申请日：2024-04-16
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/005 , B24B37/34 , B24B57/02 , B24B55/06 , B24B7/22 , H01L21/02
摘要： 提供一种可抑制流体残留于工件的上表面，可将适当的力施加于工件来研磨工件的研磨方法及研磨装置。本研磨方法是，对第一压力室(25A)加压而使存在于工件(W)上表面与压力室(25A)之间的流体(Q)向外侧移动，并在压力室(25A)内形成了目标压力(TP1)以上的压力的状态下，对压力室(25B)加压，在压力室(25B)内形成比目标压力(TP1)低的压力(IP2)，由此使存在于工件(W)上表面与压力室(25B)之间的流体(Q)向外侧移动，在使流体(Q)从工件(W)排出之后，研磨工件(W)。
-
公开(公告)号：CN118789446A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410986930.2
申请日：2024-07-23
申请人： 吉姆西半导体科技(无锡)股份有限公司
IPC分类号： B24B37/10 , B24B27/00 , B24B37/34 , B24B57/02 , B24B37/30 , B24B41/00 , B24B7/22 , B24B55/06
摘要： 本发明涉及一种抛光装置及晶圆加工设备。该抛光装置包括：第一摆动机构和第二摆动机构；第一抛光盘和第二抛光盘，沿第一方向间隔布设，第一摆动机构和第二摆动机构均位于第一抛光盘和第二抛光盘之间；第一承载机构和第二承载机构，沿第二方向间隔布设，第一摆动机构和第二摆动机构均位于第一承载机构和第二承载机构之间；其中，第一摆动机构包括第一摆臂及安装在第一摆臂上的第一抛光头，第一摆臂可受控地摆动并带动第一抛光头途经第一承载机构、第一抛光盘和第二抛光盘；第二摆动机构包括第二摆臂及安装在第一摆臂上的第二抛光头，第二摆臂可受控地摆动并带动第二抛光头途经第二承载机构、第一抛光盘和第二抛光盘。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
3070 条记录 (耗时 0.02 秒)
