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公开(公告)号：CN117711990A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410131505.5
申请日：2024-01-30
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , B24B37/005 , B24B37/07 , B24B7/22
摘要： 本发明提供一种碳化硅晶圆化学机械抛光系统及控制方法，属于晶圆化学机械抛光技术领域，抛光系统包括电化学反应单元、抛光单元、数据采集单元和控制单元，所述电化学反应单元包括反应槽，所述反应槽的内部用于放置待处理晶圆和电解液，所述电化学反应单元通电对所述待处理晶圆进行电化学反应；抛光单元用于对电化学反应后的待处理晶圆进行抛光处理；数据采集单元用于采集所述待处理晶圆电化学反应的电荷量；所述控制单元根据所述数据采集单元采集到的数据，对所述抛光单元进行调节，根据电荷量，控制单元控制抛光单元在抛光过程中的工艺参数，使其与电化学反应的程度适配，实现了对晶圆表面反应后的精准抛光，提高了抛光效率。
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公开(公告)号：CN114147622B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111505084.0
申请日：2021-12-10
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： B24B37/005 , B24B37/013 , B24B49/10
摘要： 本发明提供的CMP电涡流终点检测装置，包括：谐振电路、采样电路及电涡流检测通信控制器，其中，谐振电路包括电涡流传感器、电容及电涡流传感器与晶圆导电膜在电涡流传感器的线圈谐振、互感时等效的视在阻抗；电涡流检测通信控制器控制电涡流传感器产生交变磁场，使待抛光的晶圆衬底中的导电膜产生感应涡流，消耗电涡流传感器的输出功率；采样电路用于采集输入电涡流传感器的补充电流，并将采集的补充电流发送至电涡流检测通信控制器，电涡流检测通信控制器根据补充电流拟合出补充功率与视在阻抗的关系系数，进而求出待抛光的晶圆衬底中的导电膜厚度。通过实施本发明，简化了导电膜厚度测量装置，提高了导电膜厚度测量装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN117744999A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311759727.3
申请日：2023-12-20
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： G06Q10/0631 , G06N3/126 , G06Q50/04 , G05B13/02 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及基板工艺技术领域，公开了一种基板调度方法、装置、计算机设备及存储介质，该方法包括：获取多个待传输基板的参数、用于待传输基板加工的工艺单元参数和待传输基板在每个工艺单元执行传输步骤所用的传输时间；采用遗传算法对多个基板的参数、工艺单元参数和传输时间进行迭代操作，并生成调度数据；根据调度数据将每个待传输基板在多个工艺单元中进行传输，以对基板进行加工。本发明采用遗传算法提供优秀的调度数据，实现基板传输总时间趋近最小，进而提高了基板的传输效率，从而得到较高的加工效率，解决了如何生成调度数据以提高基板传输效率的问题。
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公开(公告)号：CN114083426B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202111428674.8
申请日：2021-11-26
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种压力控制装置、抛光头装置及化学机械抛光设备，属于其中，压力控制装置包括：底座，第一管路和第二管路；第一进口，第一出口；第二进口，第二出口；支路；第一阀门；第二阀门和第三阀门。本发明提供的压力控制装置，在需对使用设备进行压力调节时，只需控制第一阀门、第二阀门和第三阀门的开启和关闭即可，如开启第一阀门、关闭第二阀门和第三阀门，此时气源通过第一管路进入使用设备中，为使用设备提供压力；开启第二阀门、关闭第一阀门和第三阀门，此时，真空设备通过部分第二管路、支路及部分第一管路对使用设备进行抽真空。故此压力控制装置可实现四种状态的切换，更好的满足使用需求。
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公开(公告)号：CN118832522A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410907772.7
申请日：2024-07-08
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种化学机械平坦化设备及晶圆处理方法，属于半导体器件制造技术领域，所述化学机械平坦化设备包括沿第一直线路径顺次设置的前端单元、清洗单元、抛光单元、设于所述前端单元和所述清洗单元之间的第一转运组件、设于所述清洗单元的第二转运组件、设于所述抛光单元的第三转运组件，所述抛光单元至少设有一个，所述清洗单元与所述抛光单元的数量相同，所述抛光单元包括转动架、固接于所述转动架的多个抛光头、位于所述抛光头下方的多个抛光台，多个所述抛光头套所述转动架的转轴均匀分布，所述抛光台的数量比所述抛光头的数量少一个，以形成一个装卸位置，所述第三转运组件具有第一工作点位和第二工作点位。
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公开(公告)号：CN118143854A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410362191.X
申请日：2024-03-27
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/34 , B24B37/005 , B24B47/12
摘要： 本发明涉及基板研磨技术领域，公开了一种基板研磨保护装置及基板的研磨方法。其中，基板研磨保护装置包括：研磨盘，上表面用于研磨基板；研磨电机，与研磨盘相连接，用于带动研磨盘旋转；喷淋装置，用于对基板进行喷淋；控制器，与研磨电机电性连接；定时器，与研磨电机、喷淋装置以及控制器电性连接；基板研磨保护装置具有工作状态和保护状态，在工作状态下，控制器开启定时器和研磨电机；在保护状态下，控制器关闭研磨电机，并开启喷淋装置。本发明通过在基板研磨保护装置内加入定时器，能够有效防止研磨盘超时转动，降低基板的加工风险。
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公开(公告)号：CN117747499A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311734640.0
申请日：2023-12-15
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明属于基板干燥技术领域，具体公开了一种基板干燥装置以及基板清洗干燥设备。基板在干燥时，液膜厚度会变薄，通过膜厚计检测液膜厚度并反馈至控制终端，操作人员于控制终端处调节伸缩部的伸缩程度或控制终端自身调节伸缩部程度、以调整基板与导流板之间的间距，进而调节基板与导流板之间的超临界流体的流速，直至流速与液膜厚度变化前的流速一致，使得干燥的过程中液膜表面的层流效果保持一致，相比于现有方案，本结构的引流板靠近基板一侧移动时，会减少基板与引流板之间的间距，此时超临界流体于基板与引流板之间流动时会作用于基板，使得基板盖设并抵接于承载结构，避免基板出现摆动甚至翻转的现象，实现基板表面的液膜进行均匀干燥。
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公开(公告)号：CN117711977A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311720084.1
申请日：2023-12-14
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本发明涉及基板交接技术领域，公开了一种基板交接系统，包括承载机构、升降机构、多个进气通道、背吹执行机构和控制模块；承载机构水平设置在超临界腔室的第一开口部，顶部用于支撑基板的下表面，且承载机构上设有贯穿孔；升降机构设置在承载机构的下方，适于穿过贯穿孔对基板进行支撑；多个进气通道位于承载机构的内部；多个进气通道的出气口均位于承载机构的顶部，并环绕承载机构的边缘设置；背吹执行机构与进气通道连通，用于向进气通道供应惰性气体；控制模块与升降机构及背吹执行机构均通信连接，用于控制背吹执行机构的背吹流量，本发明保持了基板表面IPA液膜的完整性，提高了基板干燥良品率。
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公开(公告)号：CN117173116A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311100663.6
申请日：2023-08-29
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及计算机技术领域，公开了超临界干燥工艺终点判断方法、装置、计算机设备及介质，方法包括：通过图像采集部实时采集图像发生部的图像信息，图像发生部设置在超临界干燥工艺的排液管路上；对图像信息进行预处理，得到轮廓信息；将轮廓信息与基准轮廓信息进行对比，根据对比结果判断超临界干燥工艺是否达到终点。本发明能够动态检测超临界干燥工艺终点，达到节约资源，提高加工效率的目的，并且也能有效避免由于工艺时间不足导致图形损坏和有机残留的问题的发生。
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公开(公告)号：CN118456275A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410703794.1
申请日：2024-05-31
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种抛光头结构及抛光头驱动装置，其中，抛光头结构包括承载件以及N个压力调整组件，其中，N≥2，承载件包括侧板和横板，侧板围成中空腔，横板盖设在中空腔的一侧，任意一个压力调整组件均包括弹性件以及至少一个压电致动器，弹性件设置在中空腔内，弹性件具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面分布有压电致动器，第二表面用于贴合待抛光件的至少部分第三表面；任意一个压电致动器均具有在对应的弹性件产生第一压力的抛光状态，在抛光状态下，弹性件变形并对待抛光件产生第二压力，压电致动器根据施加的电场产生相应的压力，减少了达到设定压力的时间，从而提高了压力调整的响应速度，进而提高了晶圆平坦化效果。
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