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公开(公告)号：CN118143854A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410362191.X
申请日：2024-03-27
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/34 , B24B37/005 , B24B47/12
摘要： 本发明涉及基板研磨技术领域，公开了一种基板研磨保护装置及基板的研磨方法。其中，基板研磨保护装置包括：研磨盘，上表面用于研磨基板；研磨电机，与研磨盘相连接，用于带动研磨盘旋转；喷淋装置，用于对基板进行喷淋；控制器，与研磨电机电性连接；定时器，与研磨电机、喷淋装置以及控制器电性连接；基板研磨保护装置具有工作状态和保护状态，在工作状态下，控制器开启定时器和研磨电机；在保护状态下，控制器关闭研磨电机，并开启喷淋装置。本发明通过在基板研磨保护装置内加入定时器，能够有效防止研磨盘超时转动，降低基板的加工风险。
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公开(公告)号：CN112086352B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202010784138.0
申请日：2020-08-06
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/739
摘要： 一种利用Locos生长氧化隔离层以及制备IGBT芯片的工艺，包括热氧化层的形成：在晶圆中每个芯片表面覆盖形成氮化硅层，采用氧化工艺在氮化硅层以外的芯片边缘生长出热氧化层用于漏电隔离；热氧化层的厚度调节：采用研磨液对热氧化层进行研磨或采用刻蚀工艺对热氧化层进行刻蚀，使热氧化层达到预期厚度；去除氮化硅层，然后再进行晶圆全局平坦化处理。本发明的工艺能够有效避免晶圆芯片中心部分过抛或研磨不充分的问题，进而保证芯片性能。
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公开(公告)号：CN117711990A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410131505.5
申请日：2024-01-30
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , B24B37/005 , B24B37/07 , B24B7/22
摘要： 本发明提供一种碳化硅晶圆化学机械抛光系统及控制方法，属于晶圆化学机械抛光技术领域，抛光系统包括电化学反应单元、抛光单元、数据采集单元和控制单元，所述电化学反应单元包括反应槽，所述反应槽的内部用于放置待处理晶圆和电解液，所述电化学反应单元通电对所述待处理晶圆进行电化学反应；抛光单元用于对电化学反应后的待处理晶圆进行抛光处理；数据采集单元用于采集所述待处理晶圆电化学反应的电荷量；所述控制单元根据所述数据采集单元采集到的数据，对所述抛光单元进行调节，根据电荷量，控制单元控制抛光单元在抛光过程中的工艺参数，使其与电化学反应的程度适配，实现了对晶圆表面反应后的精准抛光，提高了抛光效率。
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公开(公告)号：CN118348025A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410451996.1
申请日：2024-04-15
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及基板处理技术领域，公开了基板表面液膜的完整性检测方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：控制图像采集设备与目标基板相对移动，并在移动过程中利用图像采集设备采集目标基板的不同液膜涂覆区域的图像，直至遍历目标基板的所有液膜涂覆区域；基于所采集的图像进行完整性分析，得到目标基板的完整性检测结果。本发明通过移动扫描图像的方式，能够有效提高基板表面液膜的完整性检测的准确性。
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公开(公告)号：CN221560921U
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202323622006.6
申请日：2023-12-28
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本实用新型提供了一种晶圆磨抛装置，包括至少一个研磨头和多个抛光机构，所述研磨头通过旋转轴转动连接，所述研磨头上设置有晶圆；多个抛光机构设置在所述研磨头的下方，通过所述旋转轴的转动，将所述研磨头转动到多个不同的抛光机构上，对所述晶圆进行不同的磨抛操作。在本实用新型中，通过设置多个研磨头和抛光机构，使所述研磨头转动到不同的抛光机构上，对所述晶圆进行不同的磨抛作业，不再需要单独设置多道磨抛工序，进而提升了晶圆加工效率。
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