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公开(公告)号：CN115545209A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211279470.7
申请日：2022-10-19
Applicant: 国开启科量子技术(北京)有限公司 , 启科量子技术(珠海)有限公司
Abstract: 本申请公开了一种用于离子阱的针极对位方法。该方法包括：调节第一针极、第二针极和第三针极中的至少一者，以使第一针极、第二针极和第三针极三者共面；在轴向上调节第二针极和/或第五针极的位置，以使第二针极的尖端与第五针极的尖端之间的距离小于或等于第一预设值；在径向上调节第二针极和/或第五针极的位置，以使第二针极的中心轴与第五针极的中心轴相互平行且两个中心轴之间的距离小于或等于第二预设值；调节第一针极、第三针极、第四针极和第六针极中的至少一者，以使各个相邻针极之间的距离均相等且此距离小于或等于第三预设值。利用本申请公开的实施例能够便捷地实施离子阱的针极对位过程。
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公开(公告)号：CN113555503A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202111090075.X
申请日：2021-09-17
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明公开了一种离子阱芯片的制备方法、离子阱芯片和量子计算机，制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧形成包括多层导电层和多层介质层的层叠结构；刻蚀层叠结构形成至少两个第一开口，于第一开口中形成牺牲层；于层叠结构远离衬底的一侧形成第一光刻胶层并进行图案化；图案化后的第一光刻胶层包括第二开口，第二开口暴露位于相邻两个第一开口之间待刻蚀的层叠结构；刻蚀位于相邻两个第一开口之间待刻蚀的层叠结构，形成第三开口；沿垂直于衬底的方向，第一开口的深度大于第三开口的深度；去除牺牲层以形成囚禁离子的离子阱区，使得层叠结构中不同尺寸孔对位精确，保证了芯片电磁场的分布以及囚禁离子的势阱，提高了芯片的工作性能。
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公开(公告)号：CN111383870B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201811627330.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01J3/00
Abstract: 一种离子阱系统，包括激光调控模块用于将光束分为P个第一光束和Q个第二光束，P个第一光束中的N个第一光束分别传输至N个离子，Q个第二光束中的M个第二光束分别传输至M个监测单元；M个监测单元用于分别监测M个第二光束，并分别获取M个第二光束的空间强度分布信息，反馈控制模块用于接收M个第二光束的空间强度分布信息，根据M个第二光束的空间强度分布信息确定N个第一控制信号，并将N个第一控制信号传输至激光调控模块，其中，N个第一控制信号与N个第一光束一一对应，第一控制信号用于控制激光调控模块将对应的第一光束与离子对准。如此，有助于提高第一光束与对应离子的对准度，从而提高对离子进行量子态操控的保真度。
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公开(公告)号：CN1574270A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410031053.6
申请日：2004-04-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C14/00 , C23C16/00 , H01J3/00 , H01J19/00 , H01J37/00
CPC classification number: H01L21/67207 , C23C16/54 , H01L21/67063 , H01L21/67069 , H01L21/67161 , H01L21/67173 , H01L21/67201
Abstract: 本发明涉及用于处理待处理物体的处理设备、处理方法、压力控制方法、被处理物体传送方法以及传送设备。提供了一种可以有效地进行多个处理的被处理物体处理设备。多个处理系统可连通地在一线连接在一起并在其中处理被处理物体。负载锁定系统可连通地连接到处理系统并具有将被处理物体送进和送出每个处理系统的传送机构。至少一个处理系统是真空处理系统，负载锁定系统设置在适当的位置以与处理系统形成一线。
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公开(公告)号：CN119008354B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411057186.4
申请日：2024-08-02
Applicant: 长沙量子研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及离子阱器件技术领域，具体是一种温度精确可控的低温离子阱装置，包括：设置在真空腔内的水冷散热平台和可控温离子阱芯片，可控温离子阱芯片包括离子阱囚禁电极模块和离子阱基座，离子阱囚禁电极模块设置在离子阱基座上，离子阱基座设置在水冷散热平台上，离子阱囚禁电极模块的侧面设有温度传感器，离子阱基座上设置有半导体制冷模块，设置在真空腔外的温控电路和水冷散热器，温度传感器用于采集可控温离子阱芯片的实际温度，温控电路根据可控温离子阱芯片的实际温度，通过半导体制冷模块调整可控温离子阱芯片的温度，水冷散热平台与水冷散热器持续热交互，通过循环水持续带走可控温离子阱芯片的热量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104599919A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410782447.9
申请日：2014-12-16
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
CPC classification number: H01J3/08
Abstract: 本发明公开了一种电场电位梯度发生装置及其控制方法，装置包括电场电位梯度发生模块、离子发生系统以及信号处理系统；其中，电场电位梯度发生模块由多个电场环片和多个绝缘环体组成；电路控制系统可以控制电场强度；离子流进入电场电位梯度发生模块中可以获得一恒定的速度，从而可以得出离子流的飞行时间，经过信号处理系统处理后，就可以分析出离子的种类，达到对气体介质中的物质进行检测的目的。本发明可以作为分析器应用于精密分析仪器中。
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公开(公告)号：CN102074431B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010568796.2
申请日：2010-11-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种电子直线加速器用的电子枪控制电路，包括交流供电电路、电子枪可调控制电路和压控调压调相模块；所述电子枪可调控制电路输出控制电压，该控制电压输出给压控调压调相模块的控制电压输入端；压控调压调相模块输出端连接所述交流供电电路，控制其工作。本发明可以通过控制电子枪的灯丝电压实现加速器输出电子束流的稳定。灯丝电压预设值的设置可以方便的在出束前，出束后，高能档，低能档对应的四个电位器上调节电子枪的灯丝电压。交流供电电路中隔离变压器的使用可以有效的隔离来自调制器加在电子枪灯丝的脉冲高压，也增加了电子枪控制电路工作的稳定性和安全性。反馈电路的使用可以自行调节电子枪灯丝的发射，使其发射趋于稳定。
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公开(公告)号：CN101849275A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200880115028.2
申请日：2008-11-06
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/077 , H01J3/00 , H01J37/02 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/026 , H01J37/3171 , H01J2237/0041 , H01J2237/06366
Abstract: 一种等离子体电子流系统，包括构造为包含气体的壳体，并包括位于其中的细长引出缝、阴极和多个阳极，并且其中所述细长引出缝与离子注入机直接连通，所述阴极丝发射电子，所述电子通过所述阴极和多个阳极之间的电势差被吸引至所述多个阳极，其中所述电子通过所述细长引出缝被释放，作为电子带用于中和在离子注入机内行进的带状离子束。
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公开(公告)号：CN1193335C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN01116908.7
申请日：2001-05-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G5/02 , G09G3/3607 , G09G2320/02 , G09G2320/0626
Abstract: 本发明的图像显示装置具备利用彩色信号的输入进行图像显示的液晶显示板、检测外部光线光特性的传感器以及根据该传感器的输出来变换输入到图像显示部分的彩色信号的彩色信号变换部分。彩色信号变换部分具备目标显示色决定部分以及彩色重现部分，将该彩色信号变换成由该彩色重现部分重现的目标显示色的彩色信号。则能够提供即使外部光线条件(外部光线的光特性)发生变换而用户也不会感到有色度变化的图像。
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公开(公告)号：CN85102774A
公开(公告)日：1986-06-10
申请号：CN85102774
申请日：1985-04-01
Applicant: 复旦大学
Abstract: 目前大多数商品化的静电四极场系统均采用圆截面的金属电极结构。这种结构加工较为复杂，且只能在靠近对称中心的很小区域里产生完整四极场；此外，电极之间存在空隙，在用玻璃或陶瓷作为管壳时会受到管壳内壁杂散电荷形成电位的影响。本发明根据理论计算求得产生完整静电四极场的方法和用均匀厚度或厚度呈连续变化的高阻材料构成封闭边界的结构，其电位随位置作连续变化，以产生各种形式的完整静电四极场。这种结构比较简单，可以广泛应用于电子光学系统及各种仪器设备中。
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