公开(公告)号：CN85102774A

公开(公告)日：1986-06-10

申请号：CN85102774

申请日：1985-04-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 华中一 ,  王阳 ,  范承善 ,  谷超豪

IPC: H01J3/00 ,  H01J49/42

CPC classification number: H01J3/18 ,  G21K1/087

Abstract: 目前大多数商品化的静电四极场系统均采用圆截面的金属电极结构。这种结构加工较为复杂，且只能在靠近对称中心的很小区域里产生完整四极场；此外，电极之间存在空隙，在用玻璃或陶瓷作为管壳时会受到管壳内壁杂散电荷形成电位的影响。本发明根据理论计算求得产生完整静电四极场的方法和用均匀厚度或厚度呈连续变化的高阻材料构成封闭边界的结构，其电位随位置作连续变化，以产生各种形式的完整静电四极场。这种结构比较简单，可以广泛应用于电子光学系统及各种仪器设备中。

公开(公告)号：CN85102774B

公开(公告)日：1987-11-04

申请号：CN85102774

申请日：1985-04-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 华中一 ,  王阳 ,  范承善 ,  谷超豪

IPC: H01J49/42 ,  G01N27/62

CPC classification number: H01J3/18 ,  G21K1/087

Abstract: 目前大多数商品化的静电四极场系统均采用圆截面的金属电极结构。这种结构加工较为复杂，且只能在靠近对称中心的很小区域里产生完整四极场；此外，电极之间存在空隙，在用玻璃或陶瓷作为管壳时会受到管壳内壁杂散电荷形成电位的影响。本发明根据理论计算求得产生完整静电四极场的方法和用均匀厚度或厚度呈连续变化的高阻材料构成封闭边界的结构，其电位随位置作连续变化，以产生各种形式的完整静电四极场。这种结构比较简单，可以广泛应用于电子光学系统及各种仪器设备中。