形成暂时图像的方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1702546A

    公开(公告)日:2005-11-30

    申请号:CN200510068402.6

    申请日:2005-04-29

    Applicant: 施乐公司

    CPC classification number: G03C1/73 G03C1/685 Y10S430/136 Y10S430/163

    Abstract: 一种形成图像的方法,包括:(a)提供一种包括基质和光致变色材料的可重复成像的介质,其中介质能够显示色对比度和缺少色对比度;(b)将介质暴露在与预定图像对应的成像光下,产生暴露区域和非暴露区域,其中色对比度出现在暴露区域和非暴露区域之间而允许与预定图像相当的暂时图像在可见时间内可见;(c)使暂时图像处于室内环境条件下达一段图像擦除时间,将色对比度变成缺少色对比度,不使用图像擦除设备就擦除了暂时图像;和(d)任选地重复步骤(b)和(c)多次,使介质经过多次额外的形成暂时图像和擦除暂时图像的循环。

    制造阴罩的方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1033903A

    公开(公告)日:1989-07-12

    申请号:CN88107380

    申请日:1988-10-27

    CPC classification number: H01J9/142 B05C9/04 H01J2209/015 Y10S430/136

    Abstract: 依靠在带状金属片(1)二个主表面上分别形成光敏树脂层来形成阴罩。在第一主表面向上时把树脂液(13)涂覆在第一主表面上以形成第一树脂层,并在使金属片(1)保持水平的同时干燥树脂液。类似地,在第二主表面向上时把树脂液(23)涂覆在第二主表面上以形成第二树脂层,并在使金属片(1)保持水平的同时干燥树脂液。依靠曝光和冲洗在第一、二树脂层中形成预定开口,对金属片裸露部分刻蚀以在其中形成微孔。

    由化学气相沉积法沉积的有机聚合物抗反射涂层

    公开(公告)号:CN100451830C

    公开(公告)日:2009-01-14

    申请号:CN01805228.2

    申请日:2001-02-02

    CPC classification number: G03F7/091 Y10S430/136 Y10S430/151

    Abstract: 提供在基片表面涂布有机抗反射涂层的改进方法和所产生的前体结构。概括地说,该方法包括使抗反射化合物化学沉积(CVD)到基片表面上。在一个实施方式中,所述的化合物高度应变(如应变能至少约为41.87千焦/摩尔),并包含两个经连接基团相连的环状部分。最优选的单体是[2.2](1,4)-萘并烷(naphthalenophane)和[2.2](9,10)-蒽并烷(anthracenophane)。CVD法包括对抗反射化合物加热使其蒸发,然后使蒸发的化合物热解成稳定的双自由基,后者随后聚合到沉积室中的基片表面上。本发明方法用于在具有超亚微米(不大于0.25微米)细部的大基片表面上提供高度保形的抗反射涂层。

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