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公开(公告)号：CN100388422C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510129143.3
申请日：2005-10-08
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , B41M5/38207 , B41M5/42 , B41M5/46 , B41M2205/12 , B41M2205/36 , H01L51/56 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S430/136
Abstract: 本发明涉及施主衬底及有机发光显示器的制造方法。制造施主衬底的方法包括：准备包含至少一个转移区和至少一个非转移区的基衬，在基衬上形成光热转换层，使用遮蔽掩模在基衬的至少一个转移区中的光热转换层上选择性地沉积转移层，其中形成在该转移区中的该转移层比受主衬底上的对应显示区宽。然后为了制造有机发光显示器，使用激光诱导热成像来将图案化的转移层从施主衬底转移至受主衬底上的显示区。
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公开(公告)号：CN1824518A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610067365.1
申请日：2006-02-22
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B23K26/0661 , B23K26/0604 , B23K26/0648 , B23K26/066 , B41J2/4753 , B41M5/38221
Abstract: 激光照射装置包括用于构图的激光发生器和用于预热的激光发生器。激光生热成像(LITI)方法，包括准备受体衬底；将施主衬底层叠在所述受体衬底上；和将激光束照射到施主衬底的预定区域上，并且使用包括用于构图的激光发生器和用于预热的激光发生器的激光照射装置执行转移。有利地，由用于构图的激光发生器产生的高强度激光束用于防止转移层被侵害，由用于预热的激光发生器产生的激光束同时用于预热，使得不发生边缘断开缺陷，并且即使在受体衬底具有梯级的部分中也可以容易地进行转移。
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公开(公告)号：CN1816236A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510129760.3
申请日：2005-12-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0009 , B23K26/073 , H01L51/0013 , H01L51/5012 , Y10T428/10
Abstract: 本发明公开了一种激光照射装置、一种构图方法和使用该方法的制备OLED的方法。激光照射装置包括：光源、掩模以及投影透镜，菲涅耳透镜形成在掩模的预定部分以改变光路。当使用该激光照射装置形成有机层图案时，将激光辐射照射到待切割的有机层的区域上，并且激光辐射适当地照射到待从施主基板分离的有机层的区域上。照射到有机层图案的边缘上的激光辐射具有的能量密度大于照射到有机层图案的其它部分上的激光辐射的能量密度。于是，可以形成均匀的有机层图案，并且减少对有机层图案的损伤。
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公开(公告)号：CN1789006A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510112769.3
申请日：2005-10-12
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41J3/407 , B41J11/0015 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种用于激光转写法的施体基板和利用该方法制造的有机发光显示器。激光转写设备包括通过接地装置接地的载物台，并且制造有机发光显示器的方法能控制利用该设备形成有机层的同时所堆积的静电。
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公开(公告)号：CN1747611A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200410095453.3
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , B41M5/385 , B41M5/42 , B41M5/426 , B41M5/46 , B41M2205/38 , C23C14/048 , H01L51/56 , Y10S428/917 , Y10T428/24479
Abstract: 提供一种用于激光诱导热成像法的供体衬底和一种使用其制造的有机场致发光显示设备。该供体衬底包括：基膜；在该基膜上形成的光－热转换层；在该光热转换层整个表面上形成的缓冲层；在该缓冲层上形成的金属层和由有机材料形成并在该金属层上形成的转移层，因而，通过使用该激光诱导热成像法转移小分子材料而提高转移图案的性质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1744783A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510099608.5
申请日：2005-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/42 , B41M2205/12 , B41M2205/38 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种制造用于激光诱发热成像(LITI)工艺的供体基板的方法。该方法包括：制备供体基板的基底基板；在基底基板上形成光热转换层；在光热转换层上形成缓冲层；通过处理缓冲层的表面增加缓冲层的表面粗糙度；和在经表面处理的缓冲层上形成转印层。通过使用供体基板，在制造OLED期间可以更好地进行构图工艺。
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公开(公告)号：CN1982076A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610148550.3
申请日：2006-11-16
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/38207 , B41M2205/38 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导热成像方法以及采用该方法的有机发光二极管的制造方法，其中可以利用磁力有效地层压供体膜和受体基板。该激光诱导热成像方法包括：在处理室的基板台上设置受体基板，其中第一磁体形成在该受体基板的一个表面中；在该受体基板上设置包括第二磁体的供体膜；利用作用在该第一和第二磁体之间磁力来层压该供体膜和该受体基板；和通过在该供体膜上扫描激光将成像层的至少一个区域转移到该受体基板上。该激光诱导热成像方法改善了供体膜和受体基板之间的粘附力，从而改善了有机发光二极管的寿命、产量和可靠性。
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公开(公告)号：CN1955841A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610137142.8
申请日：2006-08-14
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/265 , B41M3/003 , H01L51/0013
Abstract: 一种激光诱导热成像(LITI)掩模以及利用该掩模的有机电致发光器件制造方法，提供一种LITI掩模，其中拐角区域被加固以便在受主基板的像素部分的拐角处增大受主基板和转移层之间的粘合力，以及利用这种LITI掩模的有机电致发光器件制造方法。所述LITI掩模包括：第一图案部分；和置于包括所述第一图案部分的至少一侧上顶点的部分上的第二图案部分；其中所述第二图案部分的面积范围为8至8500μm2。
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公开(公告)号：CN1944070A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610163937.6
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41J2/325 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种激光诱发热成像设备及激光诱发热成像方法。激光诱发热成像设备具有处于附着框架和基底台内的电磁体，以便使供体膜紧紧附着于基底上。该激光诱发热成像设备包括处理腔室，该腔室包括供体膜和基底并用来实施将供体膜沉积到基底上的工序；具有第一电磁体的基底台，该基底台位于工序腔室内用来支撑基底；具有第二电磁体的附着框架，该附着框架位于基底台上方，供体膜和基底被设置于处理腔室内的基底台和附着框架之间；以及用于将激光输出提供给供体膜的激光振荡器。
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公开(公告)号：CN1797713A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510129143.3
申请日：2005-10-08
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , B41M5/38207 , B41M5/42 , B41M5/46 , B41M2205/12 , B41M2205/36 , H01L51/56 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S430/136
Abstract: 本发明涉及施主衬底及有机发光显示器的制造方法。制造施主衬底的方法包括：准备包含至少一个转移区和至少一个非转移区的基衬，在基衬上形成光热转换层，使用遮蔽掩模在基衬的至少一个转移区中的光热转换层上选择性地沉积转移层。然后为了制造有机发光显示器，使用激光诱导热成像来将图案化的转移层从施主衬底转移至受主衬底上的显示区。
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