电平移位电路
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103843251B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201280047567.3

    申请日:2012-07-27

    Abstract: 提供了一种基于噪声的误动作的可能性低,并能低功率动作的电平移位电路。电平移位电路(1)具备:分别将与输入信号Sin同相及反相的信号作为栅极输入的第1及第2 MOSFET (12a、12b);一端与移位电平电源端相连接,另一端分别与第1及第2 MOSFET的各漏极相连接的第1及第2电阻元件(13a、13b),所述移位电平电源端供给电平移位后的输出信号的高电平侧的输出电压;1对差分输入端分别连接到第1及第2 MOSFET的各漏极的比较器(14);以及与输入信号的信号电平的上升及下降分别同步来控制经由第1电阻元件流过第1 MOSFET的第1电流的电流量和经由第2电阻元件流过第2 MOSFET的第2电流的电流量的电流控制电路(16)。

    锁存比较器电路和方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105684310A

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201480058825.7

    申请日:2014-10-29

    CPC classification number: H03K3/0375 H03K3/356034 H03K3/356069

    Abstract: 本公开包括用于对信号进行锁存的电路和方法。在一个实施例中,两个逆变器(204、205与206、207)被配置为对信号进行背靠背锁存。每个逆变器包括被配置在逆变器晶体管的控制端子之间的电容器(C1、C2)。在一个实施例中,该电路是比较器的一部分。第一和第二电压(Vip、Vin)在差分晶体管(201、202)的控制端子上被接收,并且差分输出信号(Out1、Out2)被耦合至两个背靠背逆变器。在一个实施例中,电路被禁用(锁存信号为0)并且逆变器中的晶体管(204、206)的控制端子上的电压被设置为低于诸如电源(Vs)的基准值(Vref)以便提高该电路的速度。

    电平移位电路
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103843251A

    公开(公告)日:2014-06-04

    申请号:CN201280047567.3

    申请日:2012-07-27

    Abstract: 本发明提供了一种基于噪声的误动作的可能性低,并能低功率动作的电平移位电路。电平移位电路(1)具备:分别将与输入信号Sin同相及反相的信号作为栅极输入的第1及第2MOSFET(12a、12b);一端与移位电平电源端相连接,另一端分别与第1及第2MOSFET的各漏极相连接的第1及第2电阻元件(13a、13b),所述移位电平电源端供给电平移位后的输出信号的高电平侧的输出电压;1对差分输入端分别连接到第1及第2MOSFET的各漏极的比较器(14);以及与输入信号的信号电平的上升及下降分别同步来控制经由第1电阻元件流过第1MOSFET的第1电流的电流量和经由第2电阻元件流过第2MOSFET的第2电流的电流量的电流控制电路(16)。

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