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公开(公告)号：CN104051406B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201310680445.4
申请日：2013-12-11
申请人： 南茂科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498
CPC分类号： H01L21/4825 , H01L23/15 , H01L23/49816 , H01L23/4985 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05027 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05541 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11825 , H01L2224/11848 , H01L2224/11901 , H01L2224/13005 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13562 , H01L2224/13564 , H01L2224/1357 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/814 , H01L2224/8159 , H01L2224/8169 , H01L2224/81744 , H01L2224/81815 , H01L2224/8185 , H01L2224/81862 , H01L2224/83104 , H01L2924/01322 , H01L2924/15788 , H01L2924/351 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2924/0655 , H01L2924/206 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/1146
摘要： 一半导体结构包括：一装置；在所述装置上的一导电衬垫；及在所述导电衬垫上方的一Ag1-xYx合金凸块。所述Ag1-xYx凸块的Y包含以任意权重百分比与Ag形成完全固溶体的金属，且所述Ag1-xYx合金凸块之的X在0.005至0.25的一范围内。一个标准差与所述Ag1-xYx合金凸块的一粒径分布的一均值之间的一差异在0.2μm至0.4μm的一范围内。所述Ag1-xYx合金凸块在一纵向横截面平面上的一平均粒径在0.5μm至1.5μm的一范围内。
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公开(公告)号：CN104051406A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310680445.4
申请日：2013-12-11
申请人： 南茂科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498
CPC分类号： H01L21/4825 , H01L23/15 , H01L23/49816 , H01L23/4985 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05027 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05541 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11825 , H01L2224/11848 , H01L2224/11901 , H01L2224/13005 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13562 , H01L2224/13564 , H01L2224/1357 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/814 , H01L2224/8159 , H01L2224/8169 , H01L2224/81744 , H01L2224/81815 , H01L2224/8185 , H01L2224/81862 , H01L2224/83104 , H01L2924/01322 , H01L2924/15788 , H01L2924/351 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2924/0655 , H01L2924/206 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/1146
摘要： 一半导体结构包括：一装置；在所述装置上的一导电衬垫；及在所述导电衬垫上方的一Ag1-xYx合金凸块。所述Ag1-xYx凸块的Y包含以任意权重百分比与Ag形成完全固溶体的金属，且所述Ag1-xYx合金凸块之的X在0.005至0.25的一范围内。一个标准差与所述Ag1-xYx合金凸块的一粒径分布的一均值之间的一差异在0.2μm至0.4μm的一范围内。所述Ag1-xYx合金凸块在一纵向横截面平面上的一平均粒径在0.5μm至1.5μm的一范围内。
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公开(公告)号：CN103636009A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201280011992.7
申请日：2012-06-09
申请人： 东芝技术中心有限公司
发明人： C-K·林
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L33/0079 , H01L33/40 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2933/0066 , H01L2924/0655 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 共晶金属层(例如金/锡)将载体晶圆结构接合至装置晶圆结构。在一个范例中，装置晶圆结构包括硅基板，外延LED结构设置于硅基板上。在外延LED结构上设置银层。载体晶圆结构包括覆盖有粘合层的导电硅基板。银层与共晶金属层之间提供有非反应性阻障金属层(例如钛)，以防止晶圆接合期间来自所述共晶层的金属(例如锡)扩散到银中。在晶圆接合期间，晶圆结构压在一起，并且保持在超过280℃的温度超过一分钟。使用所述非反应性阻障金属层容许减少制造在硅上的竖直蓝光LED的制造中所使用的昂贵铂的总量，藉此降低LED制造成本。
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公开(公告)号：CN103460410A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280014827.7
申请日：2012-05-25
申请人： 东芝技术中心有限公司
CPC分类号： H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/0655 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 一种竖直的基于GaN的蓝光LED，具有n型层，n型层包括多个导电介入层。n型层包括多个周期。n型层的每一周期包括氮化镓(GaN)子层及薄导电的氮化镓铝(AlGaN:Si)介入子层。在一个范例中，每一氮化镓子层的厚度基本超过100nm且小于1000nm，并且每一氮化镓铝介入子层的厚度小于25nm。整个n型层的厚度为至少2000nm。氮化镓铝介入子层对氮化镓子层提供压缩应变，从而避免破裂。在形成LED的外延层后，导电载体晶圆接合至该结构。然后去除硅基板。加入电极，并将该结构切割以形成完成的LED装置。因为氮化镓铝介入子层是导电的，所以整个n型层可保留作为完成的LED装置的一部分。
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