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公开(公告)号：CN102414787A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019238.9
申请日：2010-07-21
Applicant: WI-A株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种激光反射掩模以及其制造方法，更详细地说，涉及下述的激光反射掩模以及其制造方法，其在激光束的反射区域形成预定深度的反射膜填充凹槽的基板上部依次重复层叠具有不同反射率的反射膜之后，通过进行化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)工序，或者通过进行利用激光束照射或者蚀刻溶液的剥离(Lift-off)工序，除了填充在反射膜填充凹槽中的部分以外，对层叠在其他区域上的反射膜进行去除，从而形成填充在凹槽中的反射膜图案，使得掩模的制造工序变为容易，同时可以形成精确的图案。
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公开(公告)号：CN102741746B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201180007634.4
申请日：2011-02-15
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 平子贵浩
IPC: G03F1/00 , G03F1/50 , G03F1/52 , G02F1/1337
CPC classification number: G03F1/52 , G02F1/1303 , G02F1/133788 , G03F1/00 , G03F1/50
Abstract: 本发明提供能够削减运行成本或使设备缩小化的光掩模、曝光装置以及液晶显示面板的制造方法。本发明的光掩模的特征在于，用于按基板面内的每个曝光区域使取向膜曝光，上述光掩模对入射到光掩模的主面的光进行透射和反射，使透射的光向曝光区域的一方照射，使反射的光向曝光区域的另一方照射。
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公开(公告)号：CN103034046A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210537158.3
申请日：2012-12-12
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
CPC classification number: G03F1/24 , G03F1/50 , G03F1/52 , G03F1/54 , G03F7/70433
Abstract: 本发明提供一种掩模板、曝光系统和曝光方法，属于显示技术领域。曝光系统包括掩膜板和主反射结构，掩膜板包括透光区域和不透光区域，透光区域的图形与第一基板的待曝光区域的图形相对应，不透光区域上设置有用于反射曝光光线的反射区域，反射区域的图形与第二基板的待曝光区域的图形相对应；在曝光光线照射掩膜板，穿过掩膜板的透光区域对第一基板进行曝光时，掩膜板的反射区域反射曝光光线至主反射结构，主反射结构将反射区域反射来的光线再反射至第二基板的待曝光区域对第二基板进行曝光。本发明能够解决对具有不同构图图案的基板，需要用不同的掩膜板进行曝光；并且每次曝光过程中，照射在掩模板不透光区域的曝光光线没有被利用的问题。
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公开(公告)号：CN102741746A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180007634.4
申请日：2011-02-15
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 平子贵浩
IPC: G03F1/00 , G02F1/1337 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/52 , G02F1/1303 , G02F1/133788 , G03F1/00 , G03F1/50
Abstract: 本发明提供能够削减运行成本或使设备缩小化的光掩模、曝光装置以及液晶显示面板的制造方法。本发明的光掩模的特征在于，用于按基板面内的每个曝光区域使取向膜曝光，上述光掩模对入射到光掩模的主面的光进行透射和反射，使透射的光向曝光区域的一方照射，使反射的光向曝光区域的另一方照射。
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公开(公告)号：CN109307989A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201810847468.2
申请日：2018-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/2022 , G03F1/24 , G03F1/52 , G03F7/2004 , G03F7/203 , G03F7/70466 , G03F7/70558 , G03F7/7065
Abstract: 一种光刻工艺方法，包括：形成一抗蚀剂层于一基板上；执行一第一曝光工艺以将一第一光罩的一第一子区域的一第一图案成像至一次场中的一抗蚀剂层；执行一第二曝光工艺以将第一光罩的一第二子区域的一第二图案成像至次场中的上述抗蚀剂层；以及执行一第三曝光工艺以将一第二光罩的第一子区域的一第三图案成像至次场中的抗蚀剂层。其中，第二图案以及第三图案与第一图案相同；以及第一曝光工艺、第二曝光工艺以及第三曝光工艺共同于次场中的抗蚀剂层上形成第一图案的一潜像(latent image)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104755909A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201380052647.2
申请日：2013-08-28
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： 张强 , 刘燕维 , 阿卜杜勒拉赫曼(阿波)·塞兹吉内尔
IPC: G01N21/33 , H01L21/027
CPC classification number: G01J1/00 , G01J1/4257 , G02B5/0833 , G02B5/0891 , G03F1/24 , G03F1/50 , G03F1/52 , G03F1/84 , G21K7/00
Abstract: 本发明揭示一种用于测量极紫外光EUV检验系统的波前像差的测试结构。所述测试结构包含：衬底，其由对EUV光实质上无反射性的材料形成；及多层ML堆叠部分(例如柱)，其形成于所述衬底上且包括具有不同折射率以反射EUV光的多个交替层对。所述对具有等于或小于15的计数。
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公开(公告)号：CN102414787B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201080019238.9
申请日：2010-07-21
Applicant: WI-A株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种激光反射掩模以及其制造方法，更详细地说，涉及下述的激光反射掩模以及其制造方法，其在激光束的反射区域形成预定深度的反射膜填充凹槽的基板上部依次重复层叠具有不同反射率的反射膜之后，通过进行化学机械研磨(Chemical？Mechanical？Polishing，CMP)工序，或者通过进行利用激光束照射或者蚀刻溶液的剥离(Lift-off)工序，除了填充在反射膜填充凹槽中的部分以外，对层叠在其他区域上的反射膜进行去除，从而形成填充在凹槽中的反射膜图案，使得掩模的制造工序变为容易，同时可以形成精确的图案。
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公开(公告)号：CN102243444B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201010175938.9
申请日：2010-05-14
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司
CPC classification number: G03F7/7015 , G03F1/14 , G03F1/38 , G03F1/50 , G03F1/52 , G03F7/70275 , G03F7/70283 , G03F7/70466
Abstract: 本发明提供一种曝光设备、掩膜板及曝光方法，涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域，能够利用一块掩膜板对两层光刻胶进行曝光，减少了制造成本，提高了生产效率。该设备包括：承载基板的载台；在载台上方，与载台平行地设有掩膜板；掩膜板与载台之间设有透镜装置；第一照明光源，射出的光线从掩膜板的上方垂直射到掩膜板的上表面，穿过掩膜板，经由透镜装置射到载台；在掩膜板的下表面上，掩膜板的光吸收区域中设有光反射区域；在透镜装置中设有光反射装置；第二照明光源，射出的光线通过透镜装置中的光反射装置被垂直地反射到掩膜板的下表面，被掩膜板下表面的光反射区域反射，经由透镜装置射到载台。本发明用于光刻胶层曝光。
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公开(公告)号：CN105431388A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201480045062.2
申请日：2014-07-22
Applicant: 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司
CPC classification number: C03B19/1461 , C03B19/1453 , C03B2201/075 , C03B2201/12 , C03B2201/23 , C03B2201/42 , C03C3/00 , C03C3/06 , C03C4/0085 , C03C2201/12 , C03C2201/23 , C03C2201/42 , C03C2203/46 , C03C2203/52 , C03C2204/00 , G03F1/52 , G03F1/60
Abstract: 存在于掺杂Ti的石英玻璃中的Ti3+离子导致该玻璃的棕色着色，由此使得玻璃的检测变得困难。已知通过足够高含量的OH基团确保Ti-掺杂石英玻璃中的Ti3+离子减少，有利于Ti4+离子，由此发生伴随着氢向外扩散的内氧化，或在低OH基团含量时，在玻璃化前需要氧气处理，所述氧气处理需要高处理温度和专用耐腐蚀炉并因此昂贵。为提供成本有利的生产在小于120重量ppm的羟基含量的同时在400纳米至1000纳米波长范围内具有至少70%的内透射率（10毫米样品厚度）的Ti-掺杂石英玻璃的方法，由基于火焰水解灰料沉积法出发本发明建议，在玻璃化之前对所述TiO2-SiO2灰料体施以包括用氮氧化物处理的调整处理。如此制得的Ti-掺杂石英玻璃的特征为Ti3+/Ti4+的比率
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公开(公告)号：CN104934370A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510030677.4
申请日：2015-01-21
Applicant: 三星显示有限公司
CPC classification number: H01L51/0011 , G03F1/52 , G03F7/20 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种掩模、形成有机层图案的方法和制造显示器的方法。一种用于形成有机层图案的掩模包括具有第一基板和在第一基板上的反射层的光掩模以及在光掩模上并与光掩模分隔开的供体基板，供体基板包括第二基板和在第二基板上的吸收部，其中，光掩模包括被构造为将入射到光掩模的光反射的反射部和被构造为将光会聚并传输到供体基板的光会聚部。
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