可打磨的微电极阵列及其封装和使用方法

    公开(公告)号:CN109030600A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201810854287.2

    申请日:2018-07-30

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: G01N27/327 B81B1/006 B81B7/0032

    Abstract: 本发明公开了一种可打磨的微电极阵列及其封装和使用方法,属于传感器领域。微电极阵列包括电极引出电路板和微电极簇,电极引出电路板的上表面中心设有若干个相互绝缘的电极触点组成的触点阵列,电极引出电路板的上表面沿周向边缘分布有若干个相互绝缘的外部触点,每个电极触点通过内部导线最多与1个外部触点相连;微电极簇由多根相互绝缘分离的微电极组成,通过环氧树脂封装固定在电极引出电路板的上表面;每根微电极呈线形,末端通过固定件固定于一个电极触点上且微电极与电极触点构成电连接,尖端延伸至环氧树脂封装的上表面。本发明可以实现微电极的高效利用,提高使用效率和便捷度,在微电极研究领域有着较好的实用价值。

    一种纳米级谐振光子器件硅衬底刻蚀集成制备工艺

    公开(公告)号:CN105217561A

    公开(公告)日:2016-01-06

    申请号:CN201510533190.8

    申请日:2015-08-27

    Inventor: 王国建

    Abstract: 本发明公开了一种纳米级谐振光子器件硅衬底刻蚀集成制备工艺,选用硅衬底晶片为实现载体,在顶层硅器件层的上表面沉积一层复合氧化物薄膜层;在复合氧化物薄膜层上表面旋涂一层电子束光刻胶层;采用电子束曝光技术在电子束光刻胶层上定义纳米光子器件结构;采用离子束轰击技术将纳米光子器件结构转移到复合氧化物薄膜层;将复合氧化物薄膜层按照纳米光子结构刻穿至硅衬底晶片的上表面;采用各项同性硅刻蚀技术,从硅衬底晶片的下表面向上剥离硅衬底晶片,形成一个凹形空腔结构;采用氧气等离子灰化方法去除残余的电子束光刻胶层;在第一环状层及第二环状层的各表面沉积一层薄膜即完成该制备工艺。

    一种三维微机械弹簧及其制造方法

    公开(公告)号:CN105645346A

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201610034380.X

    申请日:2016-01-19

    Applicant: 东南大学

    CPC classification number: B81B1/006 B81C1/00103 B81C1/00373

    Abstract: 本发明提供了一种三维微机械弹簧及其制造方法,该弹簧构包括支撑材料(1),黏附材料层(2),第一弹簧端(3),弹簧线(4),第二弹簧端(5);其中,支撑材料(1)包括相对设置的两个端面和将两个端面连接的主体;支撑材料(1)作为弹簧的载体,在靠近其任一端面的位置的外表面覆盖一圈黏附材料层(2),在黏附材料层(2)表面覆盖一圈弹簧金属作为第一弹簧端(3);第二弹簧端(5)套在支撑材料(1)上,第一弹簧端(3)和第二弹簧端(5)之间通过由自由缠绕在支撑材料(1)主体的弹簧线(4)连接在一起。本发明一致性好,成本低。

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