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公开(公告)号：CN118706288A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411204343.X
申请日：2024-08-30
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 , 北京凯世通半导体有限公司 , 上海临港凯世通半导体有限公司
摘要： 一种无线晶圆测温装置以及应用其的测温方法，晶圆测温装置包括：单片测温晶圆；温度采集模块；其中，温度采集模块包括：温度探头，固定在测温晶圆的测温面上；数据处理单元，固定在测温晶圆上并通过数据传输线与温度探头耦接；防护盖板，固定在测温晶圆上，防护盖板遮盖温度探头、数据处理单元和数据传输线，且暴露测温晶圆上的其余位置。本发明实施例的防护盖板能够对温度采集模块起到保护作用，降低在执行工艺条件时的工艺氛围对温度采集模块所产生的不良影响，而且，防护盖板暴露测温晶圆上未设置有温度采集模块的位置，也有利于提高通过无线晶圆测温装置所获取的晶圆温度信息的准确性。
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公开(公告)号：CN118398460A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202311525124.7
申请日：2023-11-15
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 , 北京凯世通半导体有限公司 , 上海临港凯世通半导体有限公司
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/317
摘要： 本专利申请公开了一种离子注入设备的快速灭弧装置，所述离子注入设备包括离子源引出电极和引出电源，所述快速灭弧装置包括：常闭的高压开关，用于连接所述离子源引出电极和所述离子源引出电源；电流传感器，用于对所述离子源引出电源和所述高压开关之间的高压输出线进行电流采样；及高压开关控制器，用于接收来自所述电流传感器的电流采样结果，并当所述电流采样结果超过判定阈值时，控制所述高压开关断开达指定灭弧时间。
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公开(公告)号：CN109148247B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201710712878.1
申请日：2017-08-18
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/32 , H01J37/244 , H01L21/265
摘要： 本发明公开了一种离子注入设备及方法，该离子注入设备包括离子源、一与该真空腔相连通的掺杂气体供应装置、一氢气供应装置，和偏转元件，用于从至少部分束流中分离出掺杂源离子束流和氢离子束流；位于掺杂源离子束流传输路径上的掺杂源离子束流检测装置和/或位于氢离子束流传输路径上的氢离子束流检测装置，该掺杂源离子束流检测装置用于检测掺杂源离子束流的电流，该氢离子束流检测装置用于检测氢离子束流的电流。通过偏转，可以通过采样部分或者全部束流，从而得知束流中氢和掺杂源元素的比例，并且通过检测结果来调整气态掺杂源和/或氢气的供应量，由此获得较为理想的束流参数。
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公开(公告)号：CN111863576B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201910340903.7
申请日：2019-04-25
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 , 上海临港凯世通半导体有限公司
IPC分类号： H01J37/304 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种离子束能量控制装置。其包括：入口端和出口端，所述入口端供离子束射入，所述出口端供离子束射出；若干电极对，每个电极对分别包括相对设置的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均为棒状，所述第一电极和所述第二电极之间的空间供离子束通过；所述若干电极对中至少一电极对形成第一电极群，施加至所述第一电极群的电压使得离子束向第一方向偏转；所述若干电极对中至少一电极对形成第二电极群，施加至所述第二电极群的电压使得离子束向第二方向偏转，所述第二方向与所述第一方向反向。本发明的离子束能量控制装置在电极形状、电极布局、束流调节等方面均具有较多优点。
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公开(公告)号：CN116504698A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210058549.0
申请日：2022-01-19
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 , 北京凯世通半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/68 , H01L23/544
摘要： 一种半导体晶圆对准装置、对准方法以及对准系统，半导体晶圆对准装置包括腔室，腔室中设置有对准标记，对准方法包括：在腔室中放置晶圆，对准标记设置在晶圆边缘以外；从晶圆和对准标记的背面发射照明光，从而第一待测图像中的晶圆图像的中心和边缘的明亮对比度较高，晶圆的图像的边缘和对准标记的清晰度较高；从而第一待测图像中的晶圆的图像和对准标记的图像的形成质量好，易于精准获取晶圆中心位置与基准坐标系的基准点的第一位置偏差；晶圆的边缘设置有缺口，第一待测图像中具有清晰的缺口图像，依据清晰的缺口图像，精准的获得缺口的位置与晶圆中心位置的连线，获取缺口的位置和晶圆中心位置的连线与基准方向的夹角，提高了晶圆的检测精度。
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公开(公告)号：CN116504666A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210058893.X
申请日：2022-01-19
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 , 北京凯世通半导体有限公司
摘要： 一种半导体晶圆位置检测装置、检测方法以及检测系统，半导体晶圆位置检测装置包括腔室，腔室中设置有对准标记，检测方法包括：在腔室中放置晶圆，对准标记设置在晶圆边缘以外，照明光从正面照射在晶圆边缘和对准标记上，晶圆中心区域是暗的，边缘区域是亮的，从而晶圆的图像的边缘和对准标记的清晰度较高，从而第一待测图像中的晶圆的图像和对准标记的图像的形成质量好，易于精准获取晶圆中心位置与基准坐标系的基准点的第一位置偏差；晶圆的边缘设置有缺口，第一待测图像中具有清晰的缺口图像，依据清晰的缺口图像，精准的获得缺口的位置与晶圆中心位置的连线，获取缺口的位置和晶圆中心位置的连线与基准方向的夹角，提高了晶圆的检测精度。
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公开(公告)号：CN108431928B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201580085589.2
申请日：2015-12-31
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/225
摘要： 一种FinFET的掺杂方法，该FinFET包括衬底(1)和位于衬底(1)上平行间隔设置的Fin(21,22)，每根Fin(21,22)包括顶面、相对的第一侧壁和第二侧壁，掺杂方法包括：在每根Fin(21,22)的表面形成电介质层(31,32)，该电介质层(31,32)覆盖Fin(21,22)的顶面、第一侧壁和第二侧壁；分别自该第一侧壁侧和第二侧壁侧对Fin(21,22)进行掺杂元素的注入；热处理使得掺杂元素扩散至Fin(21,22)中并被激活，其中该电介质层(31,32)的厚度至少为1nm，掺杂元素的注入能量为2keV以下。通过不直接将掺杂元素注入至Fin(21,22)中，而是在Fin(21,22)的顶部和侧壁覆盖电介质层(31,32)来阻挡掺杂元素直接进入Fin(21,22)，并通过热处理来形成对Fin(21,22)的掺杂从而对顶部和侧壁的掺杂剂量进行控制，并保护Fin(21,22)不受离子的直接轰击。
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公开(公告)号：CN116053102A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211736624.0
申请日：2022-12-31
申请人： 北京凯世通半导体有限公司 , 上海凯世通半导体股份有限公司
IPC分类号： H01J37/02 , H01J37/317 , H01L21/265
摘要： 本发明提供一种用于等离子枪的气路结构，所述用于等离子枪的气路结构适用于离子喷枪，于等离子枪的气路结构包括缓冲储气罐，缓冲储气罐的管径为直径2英寸；气路的所有管线固定在氙气主回路固定面盘上；连结气瓶和主路气管的管路形状为猪尾巴型。本发明用于等离子枪的气路结构在气盘的供气管路气体质量流量控制器进气口添加储气装置，有效的解决了钢瓶供气不稳定的问题，等离子枪发射电流稳定，电子中和彻底，大大提升器件良率。
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公开(公告)号：CN116031124A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211738220.5
申请日：2022-12-31
申请人： 北京凯世通半导体有限公司 , 上海凯世通半导体股份有限公司
IPC分类号： H01J37/16 , H01J37/08 , H01J37/317
摘要： 本发明提供一种用于离子注入机的离子源的起弧腔室结构及其工作方法，其适用于离子注入机的离子源，所述离子注入机的离子源包括灯丝组件、阴极组件、半圆筒型起弧腔室组件、工艺气体通入组件、反射极组件；半圆筒型起弧腔室组件采用半圆筒型腔室设计，反射极组件采用悬空的反射极设计。本发明的用于离子注入机的离子源的起弧腔室结构为半圆筒型起弧腔室，简化了离子源的组装和保养流程；本发明采用优化的灯丝和阴极组件，有效地延长了离子源的使用寿命，大大提高了离子注入机的产能。发明通过全新的研发设计，降低了离子源的能耗，提高了离子萃取的效率和束流的强度，进而提高了工艺产品的良率。
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公开(公告)号：CN116013751A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211736063.4
申请日：2022-12-31
申请人： 北京凯世通半导体有限公司 , 上海凯世通半导体股份有限公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种离子喷枪的绝缘结构，所述离子喷枪的绝缘结构适用于离子喷枪，离子喷枪有两个独立相同的弧腔，分别是上弧腔和下弧腔；两个矩形喷口结构的相对上下排列，两个矩形喷口结构覆盖在上弧腔和下弧腔上；上弧腔和下弧腔独立产生等离子体，吸附在束流周围，中和晶圆表面的电荷；两个矩形喷口结构的每个的两个小孔上下排列，安装在离子喷枪弧腔上，两个小孔之间距离16mm。本发明离子喷枪的绝缘结构，设计成本低，维护成本低，增加绝缘子对其起到了支撑作用，能够解决其变形程度导致短路，使用寿命大大提高，节约维护成本。
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