发明公开
- 专利标题: 一种用于离子注入机的离子源的起弧腔室结构及其工作方法
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申请号: CN202211738220.5申请日: 2022-12-31
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公开(公告)号: CN116031124A公开(公告)日: 2023-04-28
- 发明人: 黄才钧 , 李轩 , 夏世伟 , 李勇军 , 张长勇 , 张彦彬
- 申请人: 北京凯世通半导体有限公司 , 上海凯世通半导体股份有限公司
- 申请人地址: 北京市大兴区荣华街道亦庄经济技术开发区地盛西路1号数码庄园A2座3层;
- 专利权人: 北京凯世通半导体有限公司,上海凯世通半导体股份有限公司
- 当前专利权人: 北京凯世通半导体有限公司,上海凯世通半导体股份有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市大兴区荣华街道亦庄经济技术开发区地盛西路1号数码庄园A2座3层;
- 主分类号: H01J37/16
- IPC分类号: H01J37/16 ; H01J37/08 ; H01J37/317
摘要:
本发明提供一种用于离子注入机的离子源的起弧腔室结构及其工作方法,其适用于离子注入机的离子源,所述离子注入机的离子源包括灯丝组件、阴极组件、半圆筒型起弧腔室组件、工艺气体通入组件、反射极组件;半圆筒型起弧腔室组件采用半圆筒型腔室设计,反射极组件采用悬空的反射极设计。本发明的用于离子注入机的离子源的起弧腔室结构为半圆筒型起弧腔室,简化了离子源的组装和保养流程;本发明采用优化的灯丝和阴极组件,有效地延长了离子源的使用寿命,大大提高了离子注入机的产能。发明通过全新的研发设计,降低了离子源的能耗,提高了离子萃取的效率和束流的强度,进而提高了工艺产品的良率。