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公开(公告)号：CN107845689B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201710437172.9
申请日：2017-06-12
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：控制钝化膜，其在半导体基板的一个表面上并且由介电材料形成；以及半导体层，其在控制钝化膜上，其中，所述半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域。所述半导体基板包括扩散区域，该扩散区域包括与控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域中的至少一个，其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与第一导电区域对应并且具有低于第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度，其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与第二导电区域对应并且具有低于第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN102290453A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110168794.9
申请日：2011-06-21
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/068 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 太阳能电池。讨论了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层；连接至所述发射极层的多个第一电极；连接至所述多个第一电极的至少一个第一集电器；以及连接至所述基板的第二电极。所述发射极层和所述基板一起形成p-n结。所述多个第一电极中的每一个第一电极都具有多层结构，并且所述至少一个第一集电器具有单层结构。
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公开(公告)号：CN105304749B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201510315716.5
申请日：2015-06-10
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/02167 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。讨论了一种制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成隧穿层；在该隧穿层上形成半导体层，其中，形成该半导体层的步骤包括沉积半导体材料；以及形成连接到所述半导体层的电极。在高于室温的温度和低于大气压力的压力下形成所述隧穿层。
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公开(公告)号：CN103515477B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310168313.3
申请日：2013-05-09
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1864 , H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种制造太阳能电池及其掺杂层的方法。根据本发明的实施方式的制造太阳能电池的掺杂层的方法包括：向基板离子注入掺杂物；以及进行热处理以活化掺杂物。在用于活化的热处理中，在第一气体气氛下以低于第一温度的温度形成抗外扩散膜之后以第一温度对基板进行热处理。
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公开(公告)号：CN115380390A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202080099559.8
申请日：2020-11-27
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0368 , H01L31/0224 , H01L31/02 , H01L31/0328 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本实施例的太阳能电池可以通过在由多晶半导体层构成的导电型区域形成包括金属和粘合物质的电极，提高太阳能电池的电特性，简化制造工艺。更具体地，太阳能电池包括半导体基板，由多晶半导体层构成的导电型区域位于半导体基板的一面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107845689A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710437172.9
申请日：2017-06-12
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：控制钝化膜，其在半导体基板的一个表面上并且由介电材料形成；以及半导体层，其在控制钝化膜上，其中，所述半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域。所述半导体基板包括扩散区域，该扩散区域包括与控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域中的至少一个，其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与第一导电区域对应并且具有低于第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度，其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与第二导电区域对应并且具有低于第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN106252458B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201610596438.X
申请日：2016-06-08
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: H01L31/1868 , H01L21/02131 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02337 , H01L31/02167 , H01L31/0682 , H01L31/1864 , Y02E10/547
Abstract: 公开了一种制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤：在包括基区的半导体基板之上使用绝缘膜形成保护膜，该基区具有第一导电类型并且由晶体硅形成。所述形成的步骤包括在包括具有卤素元素的卤素气体的气体环境下在600摄氏度或更高的热处理温度下执行热处理工艺。
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公开(公告)号：CN102593204A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210004842.5
申请日：2012-01-09
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 本发明公开了太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。一种太阳能电池，包括：第一导电类型的基板；与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区域，该发射极区域位于基板处并且具有第一方块电阻；第一重掺杂区域，其位于基板处并且具有小于第一方块电阻的第二方块电阻；多个第一电极，其位于基板上，与第一重掺杂区域的至少一部分重叠，并且连接到第一重掺杂区域的至少一部分；以及至少一个第二电极，其位于基板上并且连接到基板。
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公开(公告)号：CN106252458A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610596438.X
申请日：2016-06-08
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: H01L31/1868 , H01L21/02131 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02337 , H01L31/02167 , H01L31/0682 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , H01L31/18 , H01L21/02318
Abstract: 公开了一种制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤：在包括基区的半导体基板之上使用绝缘膜形成保护膜，该基区具有第一导电类型并且由晶体硅形成。所述形成的步骤包括在包括具有卤素元素的卤素气体的气体环境下在600摄氏度或更高的热处理温度下执行热处理工艺。
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公开(公告)号：CN102593204B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201210004842.5
申请日：2012-01-09
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 本发明公开了太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。一种太阳能电池，包括：第一导电类型的基板；与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区域，该发射极区域位于基板处并且具有第一方块电阻；第一重掺杂区域，其位于基板处并且具有小于第一方块电阻的第二方块电阻；多个第一电极，其位于基板上，与第一重掺杂区域的至少一部分重叠，并且连接到第一重掺杂区域的至少一部分；以及至少一个第二电极，其位于基板上并且连接到基板。
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