公开(公告)号：CN104617173A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510092999.1

申请日：2008-11-05

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 安俊勇 ,  郭桂荣 ,  郑柱和

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0684 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了硅太阳能电池和其制造方法。所述硅太阳能电池包括：掺杂有第一导电杂质的硅半导体基板；所述基板上的掺杂有第二导电杂质的发射极层，所述第二导电杂质的极性与所述第一导电杂质的极性相反；所述基板的整个表面上的防反射层；穿过所述防反射层并连接到所述发射极层的上电极；以及连接到所述基板的下部的下电极。所述发射极层包括重掺杂有所述第二导电杂质的第一发射极层、和轻掺杂有所述第二导电杂质的第二发射极层。所述第二发射极层的表面电阻在100Ohm/sq至120Ohm/sq的范围内。

公开(公告)号：CN102593204B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201210004842.5

申请日：2012-01-09

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 辛明俊 ,  金圣辰 ,  郑柱和 ,  梁荣成 ,  权泰瑛 ,  李满 ,  郭桂荣 ,  李圣恩

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明公开了太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。一种太阳能电池，包括：第一导电类型的基板；与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区域，该发射极区域位于基板处并且具有第一方块电阻；第一重掺杂区域，其位于基板处并且具有小于第一方块电阻的第二方块电阻；多个第一电极，其位于基板上，与第一重掺杂区域的至少一部分重叠，并且连接到第一重掺杂区域的至少一部分；以及至少一个第二电极，其位于基板上并且连接到基板。

公开(公告)号：CN101878536A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200880118116.8

申请日：2008-11-05

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 安俊勇 ,  郭桂荣 ,  郑柱和

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/0684 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了硅太阳能电池和其制造方法。所述硅太阳能电池包括：掺杂有第一导电杂质的硅半导体基板；所述基板上的掺杂有第二导电杂质的发射极层，所述第二导电杂质的极性与所述第一导电杂质的极性相反；所述基板的整个表面上的防反射层；穿过所述防反射层并连接到所述发射极层的上电极；以及连接到所述基板的下部的下电极。所述发射极层包括重掺杂有所述第二导电杂质的第一发射极层、和轻掺杂有所述第二导电杂质的第二发射极层。所述第二发射极层的表面电阻在100Ohm/sq至120Ohm/sq的范围内。

公开(公告)号：CN102290453A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110168794.9

申请日：2011-06-21

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 金圣辰 ,  郭桂荣 ,  都荣九 ,  李满 ,  李圣恩 ,  梁荣成 ,  权泰瑛 ,  曺海宗 ,  崔珉浩 ,  郑柱和

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 太阳能电池。讨论了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层；连接至所述发射极层的多个第一电极；连接至所述多个第一电极的至少一个第一集电器；以及连接至所述基板的第二电极。所述发射极层和所述基板一起形成p-n结。所述多个第一电极中的每一个第一电极都具有多层结构，并且所述至少一个第一集电器具有单层结构。

公开(公告)号：CN102593204A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210004842.5

申请日：2012-01-09

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 辛明俊 ,  金圣辰 ,  郑柱和 ,  梁荣成 ,  权泰瑛 ,  李满 ,  郭桂荣 ,  李圣恩

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明公开了太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。一种太阳能电池，包括：第一导电类型的基板；与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区域，该发射极区域位于基板处并且具有第一方块电阻；第一重掺杂区域，其位于基板处并且具有小于第一方块电阻的第二方块电阻；多个第一电极，其位于基板上，与第一重掺杂区域的至少一部分重叠，并且连接到第一重掺杂区域的至少一部分；以及至少一个第二电极，其位于基板上并且连接到基板。

公开(公告)号：CN102290453B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201110168794.9

申请日：2011-06-21

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 金圣辰 ,  郭桂荣 ,  都荣九 ,  李满 ,  李圣恩 ,  梁荣成 ,  权泰瑛 ,  曺海宗 ,  崔珉浩 ,  郑柱和

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 太阳能电池。讨论了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层；连接至所述发射极层的多个第一电极；连接至所述多个第一电极的至少一个第一集电器；以及连接至所述基板的第二电极。所述发射极层和所述基板一起形成p-n结。所述多个第一电极中的每一个第一电极都具有多层结构，并且所述至少一个第一集电器具有单层结构。