公开(公告)号：CN114093957A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111338866.X

申请日：2018-02-05

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 曹海宗 ,  吴东海 ,  郑柱和 ,  安俊勇

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/04

Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电区域，其位于半导体基板的前表面处并且包含第一导电类型或第二导电类型的杂质；第二导电区域，其位于半导体基板的后表面处并且包含与第一导电区域的杂质的导电类型相反的导电类型的杂质；第一电极，其位于半导体基板的前表面上并且连接到第一导电区域；以及第二电极，其位于半导体基板的后表面上并且连接到第二导电区域。第一电极和第二电极中的每一个包括金属颗粒和玻璃料。

公开(公告)号：CN102593204A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210004842.5

申请日：2012-01-09

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 辛明俊 ,  金圣辰 ,  郑柱和 ,  梁荣成 ,  权泰瑛 ,  李满 ,  郭桂荣 ,  李圣恩

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明公开了太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。一种太阳能电池，包括：第一导电类型的基板；与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区域，该发射极区域位于基板处并且具有第一方块电阻；第一重掺杂区域，其位于基板处并且具有小于第一方块电阻的第二方块电阻；多个第一电极，其位于基板上，与第一重掺杂区域的至少一部分重叠，并且连接到第一重掺杂区域的至少一部分；以及至少一个第二电极，其位于基板上并且连接到基板。

公开(公告)号：CN105655427A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201510892086.8

申请日：2015-11-30

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 河廷珉 ,  金圣辰 ,  郑柱和 ,  安俊勇 ,  崔亨旭 ,  张元宰 ,  金在声

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/04

Abstract: 公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。

公开(公告)号：CN102290453B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201110168794.9

申请日：2011-06-21

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 金圣辰 ,  郭桂荣 ,  都荣九 ,  李满 ,  李圣恩 ,  梁荣成 ,  权泰瑛 ,  曺海宗 ,  崔珉浩 ,  郑柱和

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 太阳能电池。讨论了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层；连接至所述发射极层的多个第一电极；连接至所述多个第一电极的至少一个第一集电器；以及连接至所述基板的第二电极。所述发射极层和所述基板一起形成p-n结。所述多个第一电极中的每一个第一电极都具有多层结构，并且所述至少一个第一集电器具有单层结构。

公开(公告)号：CN109037359B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN201810878741.8

申请日：2015-11-30

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 河廷珉 ,  金圣辰 ,  郑柱和 ,  安俊勇 ,  崔亨旭 ,  张元宰 ,  金在声

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 太阳能电池。公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。

公开(公告)号：CN108400173B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201810110898.6

申请日：2018-02-05

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 曹海宗 ,  吴东海 ,  郑柱和 ,  安俊勇

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/04

Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电区域，其位于半导体基板的前表面处并且包含第一导电类型或第二导电类型的杂质；第二导电区域，其位于半导体基板的后表面处并且包含与第一导电区域的杂质的导电类型相反的导电类型的杂质；第一电极，其位于半导体基板的前表面上并且连接到第一导电区域；以及第二电极，其位于半导体基板的后表面上并且连接到第二导电区域。第一电极和第二电极中的每一个包括金属颗粒和玻璃料。

公开(公告)号：CN108400173A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810110898.6

申请日：2018-02-05

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 曹海宗 ,  吴东海 ,  郑柱和 ,  安俊勇

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022425 ,  C03C4/14 ,  C03C8/10 ,  C03C8/18 ,  C03C2204/00 ,  C03C2205/00 ,  H01B1/16 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1864

Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电区域，其位于半导体基板的前表面处并且包含第一导电类型或第二导电类型的杂质；第二导电区域，其位于半导体基板的后表面处并且包含与第一导电区域的杂质的导电类型相反的导电类型的杂质；第一电极，其位于半导体基板的前表面上并且连接到第一导电区域；以及第二电极，其位于半导体基板的后表面上并且连接到第二导电区域。第一电极和第二电极中的每一个包括金属颗粒和玻璃料。

公开(公告)号：CN104617173A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510092999.1

申请日：2008-11-05

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 安俊勇 ,  郭桂荣 ,  郑柱和

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0684 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了硅太阳能电池和其制造方法。所述硅太阳能电池包括：掺杂有第一导电杂质的硅半导体基板；所述基板上的掺杂有第二导电杂质的发射极层，所述第二导电杂质的极性与所述第一导电杂质的极性相反；所述基板的整个表面上的防反射层；穿过所述防反射层并连接到所述发射极层的上电极；以及连接到所述基板的下部的下电极。所述发射极层包括重掺杂有所述第二导电杂质的第一发射极层、和轻掺杂有所述第二导电杂质的第二发射极层。所述第二发射极层的表面电阻在100Ohm/sq至120Ohm/sq的范围内。

公开(公告)号：CN102593204B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201210004842.5

申请日：2012-01-09

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 辛明俊 ,  金圣辰 ,  郑柱和 ,  梁荣成 ,  权泰瑛 ,  李满 ,  郭桂荣 ,  李圣恩

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明公开了太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。一种太阳能电池，包括：第一导电类型的基板；与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区域，该发射极区域位于基板处并且具有第一方块电阻；第一重掺杂区域，其位于基板处并且具有小于第一方块电阻的第二方块电阻；多个第一电极，其位于基板上，与第一重掺杂区域的至少一部分重叠，并且连接到第一重掺杂区域的至少一部分；以及至少一个第二电极，其位于基板上并且连接到基板。

公开(公告)号：CN102113131B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN200980129536.0

申请日：2009-06-19

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 郑柱和 ,  安俊勇 ,  郑智元 ,  朴铉定 ,  李圣恩

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/52

Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法，所述制造方法包括在基板的表面上不均匀地形成锯齿状部分、在所述基板中形成第一型半导体和第二型半导体、形成与所述第一型半导体接触的第一电极和形成与所述第二型半导体接触的第二电极。在制造太阳能电池的湿式蚀刻过程中所用的蚀刻剂基于所述蚀刻剂的总重量包含约0.5重量％～10重量％的HF、约30重量％～60重量％的HNO3和至多为约30重量％的乙酸。