公开(公告)号：CN106252458B

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201610596438.X

申请日：2016-06-08

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 梁荣成 ,  权炯镇 ,  金忠义 ,  崔政勋

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L31/1868 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02337 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547

Abstract: 公开了一种制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤：在包括基区的半导体基板之上使用绝缘膜形成保护膜，该基区具有第一导电类型并且由晶体硅形成。所述形成的步骤包括在包括具有卤素元素的卤素气体的气体环境下在600摄氏度或更高的热处理温度下执行热处理工艺。

公开(公告)号：CN106252458A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610596438.X

申请日：2016-06-08

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 梁荣成 ,  权炯镇 ,  金忠义 ,  崔政勋

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L31/1868 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02337 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02318

Abstract: 公开了一种制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤：在包括基区的半导体基板之上使用绝缘膜形成保护膜，该基区具有第一导电类型并且由晶体硅形成。所述形成的步骤包括在包括具有卤素元素的卤素气体的气体环境下在600摄氏度或更高的热处理温度下执行热处理工艺。