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公开(公告)号：CN104282782B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410319160.2
申请日：2014-07-04
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/028 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1824 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明讨论了一种太阳能电池及其制造方法，所述太阳能电池包括半导体基板、在该半导体基板的一个表面上形成的隧穿层、在该隧穿层表面上形成的第一导电半导体层，和在该隧穿层表面上形成的第二导电半导体层。分离部将该第一与第二导电半导体层相互分离，所述分离部在与该第一与第二导电半导体层之间边界的至少一部分对应的位置处在该隧穿层表面上形成。
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公开(公告)号：CN105304749A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510315716.5
申请日：2015-06-10
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/02167 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/042
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。讨论了一种制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成隧穿层；在该隧穿层上形成半导体层，其中，形成该半导体层的步骤包括沉积半导体材料；以及形成连接到所述半导体层的电极。在高于室温的温度和低于大气压力的压力下形成所述隧穿层。
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公开(公告)号：CN105304749B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201510315716.5
申请日：2015-06-10
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/02167 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。讨论了一种制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成隧穿层；在该隧穿层上形成半导体层，其中，形成该半导体层的步骤包括沉积半导体材料；以及形成连接到所述半导体层的电极。在高于室温的温度和低于大气压力的压力下形成所述隧穿层。
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公开(公告)号：CN102456755A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110391311.1
申请日：2011-10-18
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/02
CPC classification number: H01L31/0288 , H01L31/02168 , H01L31/03682 , H01L31/068 , Y02E10/546 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供了用于太阳能电池的半导体基板以及太阳能电池。一种太阳能电池包括p-型的多晶硅半导体基板、n-型的并且与该多晶硅半导体基板形成p-n结的发射区、连接至发射区的第一电极、以及连接至多晶硅半导体基板的第二电极，其中，该多晶硅半导体基板具有大体上为7.2×1015/cm3至3.5×1016/cm3的纯p-型杂质浓度。
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公开(公告)号：CN102456755B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201110391311.1
申请日：2011-10-18
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0288 , H01L31/0368 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/0288 , H01L31/02168 , H01L31/03682 , H01L31/068 , Y02E10/546 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供了用于太阳能电池的半导体基板以及太阳能电池。一种太阳能电池包括p-型的多晶硅半导体基板、n-型的并且与该多晶硅半导体基板形成p-n结的发射区、连接至发射区的第一电极、以及连接至多晶硅半导体基板的第二电极，其中，该多晶硅半导体基板具有大体上为7.2×1015/cm3至3.5×1016/cm3的纯p-型杂质浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104282782A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410319160.2
申请日：2014-07-04
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/028 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1824 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明讨论了一种太阳能电池及其制造方法，所述太阳能电池包括半导体基板、在该半导体基板的一个表面上形成的隧穿层、在该隧穿层表面上形成的第一导电半导体层，和在该隧穿层表面上形成的第二导电半导体层。分离部将该第一与第二导电半导体层相互分离，所述分离部在与该第一与第二导电半导体层之间边界的至少一部分对应的位置处在该隧穿层表面上形成。
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公开(公告)号：CN102903768A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210262809.2
申请日：2012-07-26
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/035272 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：第一导电类型的衬底；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的并且与所述衬底一起地形成p-n结的发射极区；位于所述发射极区上的抗反射层；电连接到所述发射极区的前电极部；和电连接到所述衬底的背电极部。所述衬底包括由单晶硅形成的第一区域和由多晶硅形成的第二区域。位于第一区域中的抗反射层的厚度小于位于第二区域中的抗反射层的厚度。
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公开(公告)号：CN102203953B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN200980143278.1
申请日：2009-09-07
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/1864 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 公开了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；位于所述基板上的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的射极层；电连接到所述射极层的第一电极；位于所述基板上的钝化层；位于所述钝化层上的第二电极导电层，所述第二电极导电层包括穿过所述钝化层而电连接到所述基板的至少一个第二电极；以及电连接到所述第二电极导电层的第二电极集流器。
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公开(公告)号：CN102903768B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210262809.2
申请日：2012-07-26
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/035272 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：第一导电类型的衬底；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的并且与所述衬底一起地形成p-n结的发射极区；位于所述发射极区上的抗反射层；电连接到所述发射极区的前电极部；和电连接到所述衬底的背电极部。所述衬底包括由单晶硅形成的第一区域和由多晶硅形成的第二区域。位于第一区域中的抗反射层的厚度小于位于第二区域中的抗反射层的厚度。
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公开(公告)号：CN102203953A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980143278.1
申请日：2009-09-07
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/1864 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 公开了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；位于所述基板上的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的射极层；电连接到所述射极层的第一电极；位于所述基板上的钝化层；位于所述钝化层上的第二电极导电层，所述第二电极导电层包括穿过所述钝化层而电连接到所述基板的至少一个第二电极；以及电连接到所述第二电极导电层的第二电极集流器。
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