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公开(公告)号：CN117178232A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202280027923.9
申请日：2022-03-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： C·M·鲁普斯 , G·L·加托比焦 , E·H·E·C·尤姆麦伦 , D·范登伯格
IPC: G03F7/20
Abstract: 本文描述了一种用于光刻设备的流体处理系统，该流体处理系统被配置成将浸没液体限制于光刻设备中的投影系统的部分与衬底的表面之间的液体限制空间，从而从投影系统投影的辐射束能够通过穿过浸没液体而照射衬底的表面，该流体处理系统包括：液体抽取构件，具有入口侧和出口侧，该液体抽取构件被布置为通过从入口侧到出口侧的流体流动而从液体限制空间抽取浸没液体；和到液体抽取构件的出口侧的另一液体供应装置，被布置为使得出口侧接收来自不同于液体限制空间的源的液体。
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公开(公告)号：CN110088686B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201780077686.6
申请日：2017-11-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·H·E·C·尤姆麦伦 , F·德布尔努 , K·库依皮尔斯 , H·H·A·雷姆彭斯 , T·W·波莱 , J·A·维埃拉萨拉斯 , J·M·邦贝克 , J·C·P·梅尔曼 , G·L·加托比焦
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种浸没式光刻设备包括：支撑台(WT)，配置成支撑具有至少一个目标部分(C)的物体(W)；投影系统(PS)，配置成将图案化的束投影至所述物体上；定位器(PW)，配置成相对于所述投影系统移动所述支撑台；液体限制结构(12)，配置成使用通过形成在所述液体限制结构中的一系列开口(60，300)进入和/或离开所述液体限制结构的流体流将液体限制至所述投影系统与所述物体和/或所述支撑台的表面之间的浸没空间；和控制器，配置成控制所述定位器使所述支撑台遵循由一系列的运动构成的路线来移动和控制所述液体限制结构，其中每一运动包括所述支撑台相对于所述液体限制结构移动，使得从不在所述液体限制结构下方移动至在所述液体限制结构下方的所述支撑台的部分在所述液体限制结构的前边缘下方穿过和从在所述液体限制结构下方移动至不在所述液体限制结构下方的所述支撑台的部分在所述液体限制结构的后边缘下方穿过，所述控制器被调适以：预测在所述浸没空间的边缘越过所述物体的边缘的所述系列的运动中的至少一个运动期间所述液体是否将被从所述浸没空间损失，和如果预测到从所述浸没空间的液体损失，则修改所述流体流，使得在被预测到液体损失的运动或被预测到液体的损失的所述运动后续的所述系列运动中的运动期间进入或离开在所述流体限制结构的前边缘处的所述系列开口中的开口的第一流体流量不同于进入或离开在所述浸没限制结构的后边缘处的所述系列开口中的开口的第二流体流量。
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公开(公告)号：CN110286567B
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN201910653552.5
申请日：2015-12-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： C·M·诺普斯 , W·T·M·斯托尔斯 , D·贝斯塞蒙斯 , G·L·加托比焦 , V·M·布兰科卡巴洛 , E·H·E·C·尤姆麦伦 , R·范德含 , F·A·范德桑德 , W·A·韦尔纳
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公开(公告)号：CN113204178A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110514017.9
申请日：2016-12-08
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·H·E·C·尤姆麦伦 , G·L·加托比焦 , J·C·P·梅尔曼 , H·H·A·雷姆彭斯 , 于淼 , C·M·诺普斯 , R·奥利斯拉格斯 , A·乌卢肯 , T·W·波莱 , P·J·W·斯普鲁伊藤伯格
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种包括流体处理结构的光刻浸没设备，包括流体处理结构，所述流体处理结构被配置成将浸没流体限制至一区域并且包括：弯液面控制特征，具有在所述流体处理结构的表面上的提取器出口；和气刀系统，所述气刀系统位于所述提取器出口的径向外部并且包括每个具有出口的通道，所述通道包括在所述表面上具有多个对应的第一出口的多个第一通道和在所述表面上在所述第一出口的径向外部具有多个对应的第二出口的多个第二通道，其中在曝光期间所述表面面向且实质上平行于衬底的顶表面，所述第一出口和第二出口布置在与所述衬底的距离大于所述提取器出口与所述衬底的距离处。
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公开(公告)号：CN107106938A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580069423.1
申请日：2015-12-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： C·M·诺普斯 , W·T·M·斯托尔斯 , D·贝斯塞蒙斯 , G·L·加托比焦 , V·M·布兰科卡巴洛 , E·H·E·C·尤姆麦伦 , R·范德含 , F·A·范德桑德 , W·A·韦尔纳
Abstract: 一种用于光刻设备的流体处理结构被配置成将浸没流体容纳至一区域，流体处理结构在空间的边界处具有：至少一个气刀开口，在从该空间沿径向向外的方向上；和至少一个气体供应开口，在相对于该空间从至少气刀开口沿径向向外的方向上。气刀开口和气体供应开口都提供基本上纯的CO2气体，以便在邻近该空间处和在该空间的径向外侧提供基本上纯的CO2气体环境。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101859072A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010162215.5
申请日：2010-04-08
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·H·E·C·尤姆麦伦 , K·斯蒂芬斯 , 兼子毅之 , G·M·M·考克恩
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 本发明公开了一种流体处理装置、浸没式光刻设备以及器件制造方法。具体地，公开了一种用于浸没式光刻设备的流体处理系统，其具有用以从浸没空间中去除浸没液体的流体去除装置，和用以去除浸没液体的液滴的液滴去除装置，其中：液滴去除装置比流体去除装置远离光学轴线，并且液滴去除装置包括面对例如被曝光的衬底和/或衬底台的多孔部件。
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公开(公告)号：CN113960889A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111222387.1
申请日：2017-11-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·H·E·C·尤姆麦伦 , F·德布尔努 , K·库依皮尔斯 , H·H·A·雷姆彭斯 , T·W·波莱 , J·A·维埃拉萨拉斯 , J·M·邦贝克 , J·C·P·梅尔曼 , G·L·加托比焦
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种流体处理结构，被配置为将浸没流体限制在光刻设备中的流体处理结构和支撑台之间的区域。流体处理结构包括：在流体处理结构的侧壁处的浸没流体供应到区域的第一液体开口；在相对侧壁处从区域去除浸没流体的第二液体开口；提取器，包括多个离散的开口；提取器径向向外的一系列第一开口；和一系列第一开口的径向向外的一系列第二开口，其中提取器、一系列第一开口系列和一系列第二开口方向朝向衬底和/或支撑台，一系列第一和第二开口中的第一组与第一腔室流体连通，并且一系列第一和第二开口中的第二组与第二腔室流体连通。
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公开(公告)号：CN108463775B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201680078829.0
申请日：2016-12-08
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·H·E·C·尤姆麦伦 , G·L·加托比焦 , J·C·P·梅尔曼 , H·H·A·雷姆彭斯 , 于淼 , C·M·诺普斯 , R·奥利斯拉格斯 , A·乌卢肯 , T·W·波莱 , P·J·W·斯普鲁伊藤伯格
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种包括流体处理结构的光刻浸没设备，包括流体处理结构，所述流体处理结构被配置成将浸没流体限制至一区域并且包括：弯液面控制特征，具有在所述流体处理结构的表面上的提取器出口；和气刀系统，所述气刀系统位于所述提取器出口的径向外部并且包括每个具有出口的通道，所述通道包括在所述表面上具有多个对应的第一出口的多个第一通道和在所述表面上在所述第一出口的径向外部具有多个对应的第二出口的多个第二通道，其中在曝光期间所述表面面向且实质上平行于衬底的顶表面，所述第一出口和第二出口布置在与所述衬底的距离大于所述提取器出口与所述衬底的距离处。
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公开(公告)号：CN106716255B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201580051801.3
申请日：2015-06-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： N·J·M·范德纽维拉尔 , V·M·布兰科卡巴洛 , C·R·德格鲁特 , R·H·J·屈斯泰 , D·M·菲利普斯 , F·A·范德桑德 , P·L·J·岗特尔 , E·H·E·C·尤姆麦伦 , Y·J·G·范德维基沃尔 , B·D·斯霍尔滕 , M·武泰 , R·F·科克斯 , J·A·维埃拉萨拉斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341 , G02B27/0043 , G03F7/2043 , G03F7/70358 , G03F7/70725 , G03F7/70858 , G03F7/70925
Abstract: 一种浸没式光刻设备具有控制器(500)，所述控制器(500)被配置用以控制衬底台(WT)沿着曝光路线移动，所述曝光路线按次序包括：进入运动(R2)，其中衬底从浸没空间(10)不与所述衬底重叠的衬底外位置移动至所述浸没空间与所述衬底至少部分地重叠的衬底上位置；转移运动(R3，R4)，其中所述衬底台在所述衬底移动至所述衬底上位置之后改变速度和/或方向且移动至少一转移时间；和曝光运动，其中扫描所述衬底且使图案化的束投影至所述衬底上，其中贯穿所述转移运动，所述浸没空间的至少一部分与所述衬底重叠，且其中所述图案化的束在所述进入运动及所述转移运动期间没有被投影至所述衬底上。
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公开(公告)号：CN108463775A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201680078829.0
申请日：2016-12-08
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·H·E·C·尤姆麦伦 , G·L·加托比焦 , J·C·P·梅尔曼 , H·H·A·雷姆彭斯 , 于淼 , C·M·诺普斯 , R·奥利斯拉格斯 , A·乌卢肯 , T·W·波莱 , P·J·W·斯普鲁伊藤伯格
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 本发明涉及一种包括流体处理结构的光刻浸没设备以及一种器件制造方法。在实施例中，流体处理结构被配置成将浸没流体限制至一区域并且包括气刀系统，所述气刀系统包括每个具有出口的通道，所述通道包括具有多个对应的第一出口的多个第一通道和具有多个对应的第二出口的多个第二通道，其中至少一个第一通道和至少一个第二通道被配置成使得流出第一出口的气体的滞止压力大于流出第二出口的气体的滞止压力，其中多个第一通道和多个第二通道混合且布置成一行，使得第一出口和第二出口形成平面图中的形状的一侧。在实施例中，流体处理结构被配置成将浸没流体限制至一区域且在使用中包括气刀，流体处理结构包括至少一个出口，其中至少一个出口被布置成使得气刀形成平面图中的形状的一侧，且至少一个出口具有被配置成允许浸没流体的液滴自气刀的径向向外的位置移动至气刀的径向向内的位置且被配置成约束浸没流体的液滴自气刀的径向向内的位置移动至气刀的径向向外的位置的几何形状。
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