公开(公告)号：CN113204178A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110514017.9

申请日：2016-12-08

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： E·H·E·C·尤姆麦伦 ,  G·L·加托比焦 ,  J·C·P·梅尔曼 ,  H·H·A·雷姆彭斯 ,  于淼 ,  C·M·诺普斯 ,  R·奥利斯拉格斯 ,  A·乌卢肯 ,  T·W·波莱 ,  P·J·W·斯普鲁伊藤伯格

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及一种包括流体处理结构的光刻浸没设备，包括流体处理结构，所述流体处理结构被配置成将浸没流体限制至一区域并且包括：弯液面控制特征，具有在所述流体处理结构的表面上的提取器出口；和气刀系统，所述气刀系统位于所述提取器出口的径向外部并且包括每个具有出口的通道，所述通道包括在所述表面上具有多个对应的第一出口的多个第一通道和在所述表面上在所述第一出口的径向外部具有多个对应的第二出口的多个第二通道，其中在曝光期间所述表面面向且实质上平行于衬底的顶表面，所述第一出口和第二出口布置在与所述衬底的距离大于所述提取器出口与所述衬底的距离处。

公开(公告)号：CN108292101A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680057802.3

申请日：2016-08-22

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： N·J·M·范德纽维拉尔 ,  V·M·布兰科卡巴洛 ,  T·A·马塔尔 ,  J·C·P·梅尔曼 ,  G·彼得斯 ,  J·T·G·M·范德万 ,  J-P·范德万 ,  P·F·范吉尔斯

IPC: G03F7/20

Abstract: 计算出在浸没光刻设备中支撑衬底的衬底支撑结构的路线以满足下列约束：在所述衬底的边缘首先接触浸没空间之后，所述衬底保持与所述浸没空间接触直至曝光所有目标部分为止；在所述衬底在扫描方向上移动的同时执行目标部分的曝光；和在曝光之间的所述衬底的所有移动在平行于其上部表面的平面中要么是曲线的，要么仅在所述扫描方向或横向方向之一上进行。为了减少衬底的边缘的缺陷，避免将浸没液体暴露到待曝光的衬底(W)的外侧。转移路线(R51)设计为超出晶片表面。

公开(公告)号：CN108604067B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201680081344.7

申请日：2016-11-02

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： D·D·J·A·范索姆恩 ,  C·H·M·伯尔蒂斯 ,  H·S·布登贝格 ,  G·L·加托比焦 ,  J·C·P·梅尔曼 ,  G·纳基布奥格卢 ,  T·W·波莱 ,  W·T·M·斯托尔斯 ,  Y·J·G·范德费韦 ,  J·P·范利斯豪特 ,  J·A·维埃拉萨拉斯 ,  A·N·兹德拉夫科夫

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种衬底台(WT)配置成支撑衬底(W)以在浸没光刻设备中进行曝光，所述衬底台包括：支撑体(30)，所述支撑体具有被配置成支撑所述衬底的支撑表面(31)；和盖环(130)，所述盖环相对于所述支撑体是固定的并且被配置成在平面视图中看围绕支撑在所述支撑表面上的所述衬底，其中所述盖环具有上表面(60)；其中所述上表面的至少一部分(61)被配置成以便在沿着所述上表面朝向所述衬底移动时改变浸没液体的弯液面(17)的稳定性。

公开(公告)号：CN110088686A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201780077686.6

申请日：2017-11-01

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： E·H·E·C·尤姆麦伦 ,  F·德布尔努 ,  K·库依皮尔斯 ,  H·H·A·雷姆彭斯 ,  T·W·波莱 ,  J·A·维埃拉萨拉斯 ,  J·M·邦贝克 ,  J·C·P·梅尔曼 ,  G·L·加托比焦

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种浸没式光刻设备包括：支撑台(WT)，配置成支撑具有至少一个目标部分(C)的物体(W)；投影系统(PS)，配置成将图案化的束投影至所述物体上；定位器(PW)，配置成相对于所述投影系统移动所述支撑台；液体限制结构(12)，配置成使用通过形成在所述液体限制结构中的一系列开口(60，300)进入和/或离开所述液体限制结构的流体流将液体限制至所述投影系统与所述物体和/或所述支撑台的表面之间的浸没空间；和控制器，配置成控制所述定位器使所述支撑台遵循由一系列的运动构成的路线来移动和控制所述液体限制结构，其中每一运动包括所述支撑台相对于所述液体限制结构移动，使得从不在所述液体限制结构下方移动至在所述液体限制结构下方的所述支撑台的部分在所述液体限制结构的前边缘下方穿过和从在所述液体限制结构下方移动至不在所述液体限制结构下方的所述支撑台的部分在所述液体限制结构的后边缘下方穿过，所述控制器被调适以：预测在所述浸没空间的边缘越过所述物体的边缘的所述系列的运动中的至少一个运动期间所述液体是否将被从所述浸没空间损失，和如果预测到从所述浸没空间的液体损失，则修改所述流体流，使得在被预测到液体损失的运动或被预测到液体的损失的所述运动后续的所述系列运动中的运动期间进入或离开在所述流体限制结构的前边缘处的所述系列开口中的开口的第一流体流量不同于进入或离开在所述浸没限制结构的后边缘处的所述系列开口中的开口的第二流体流量。

公开(公告)号：CN110088686B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201780077686.6

申请日：2017-11-01

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： E·H·E·C·尤姆麦伦 ,  F·德布尔努 ,  K·库依皮尔斯 ,  H·H·A·雷姆彭斯 ,  T·W·波莱 ,  J·A·维埃拉萨拉斯 ,  J·M·邦贝克 ,  J·C·P·梅尔曼 ,  G·L·加托比焦

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种浸没式光刻设备包括：支撑台(WT)，配置成支撑具有至少一个目标部分(C)的物体(W)；投影系统(PS)，配置成将图案化的束投影至所述物体上；定位器(PW)，配置成相对于所述投影系统移动所述支撑台；液体限制结构(12)，配置成使用通过形成在所述液体限制结构中的一系列开口(60，300)进入和/或离开所述液体限制结构的流体流将液体限制至所述投影系统与所述物体和/或所述支撑台的表面之间的浸没空间；和控制器，配置成控制所述定位器使所述支撑台遵循由一系列的运动构成的路线来移动和控制所述液体限制结构，其中每一运动包括所述支撑台相对于所述液体限制结构移动，使得从不在所述液体限制结构下方移动至在所述液体限制结构下方的所述支撑台的部分在所述液体限制结构的前边缘下方穿过和从在所述液体限制结构下方移动至不在所述液体限制结构下方的所述支撑台的部分在所述液体限制结构的后边缘下方穿过，所述控制器被调适以：预测在所述浸没空间的边缘越过所述物体的边缘的所述系列的运动中的至少一个运动期间所述液体是否将被从所述浸没空间损失，和如果预测到从所述浸没空间的液体损失，则修改所述流体流，使得在被预测到液体损失的运动或被预测到液体的损失的所述运动后续的所述系列运动中的运动期间进入或离开在所述流体限制结构的前边缘处的所述系列开口中的开口的第一流体流量不同于进入或离开在所述浸没限制结构的后边缘处的所述系列开口中的开口的第二流体流量。

公开(公告)号：CN108292101B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201680057802.3

申请日：2016-08-22

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： N·J·M·范德纽维拉尔 ,  V·M·布兰科卡巴洛 ,  T·A·马塔尔 ,  J·C·P·梅尔曼 ,  G·彼得斯 ,  J·T·G·M·范德万 ,  J-P·范德万 ,  P·F·范吉尔斯

IPC: G03F7/20

Abstract: 计算出在浸没光刻设备中支撑衬底的衬底支撑结构的路线以满足下列约束：在所述衬底的边缘首先接触浸没空间之后，所述衬底保持与所述浸没空间接触直至曝光所有目标部分为止；在所述衬底在扫描方向上移动的同时执行目标部分的曝光；和在曝光之间的所述衬底的所有移动在平行于其上部表面的平面中要么是曲线的，要么仅在所述扫描方向或横向方向之一上进行。为了减少衬底的边缘的缺陷，避免将浸没液体暴露到待曝光的衬底(W)的外侧。转移路线(R51)设计为超出晶片表面。

公开(公告)号：CN113960889A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202111222387.1

申请日：2017-11-01

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： E·H·E·C·尤姆麦伦 ,  F·德布尔努 ,  K·库依皮尔斯 ,  H·H·A·雷姆彭斯 ,  T·W·波莱 ,  J·A·维埃拉萨拉斯 ,  J·M·邦贝克 ,  J·C·P·梅尔曼 ,  G·L·加托比焦

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 一种流体处理结构，被配置为将浸没流体限制在光刻设备中的流体处理结构和支撑台之间的区域。流体处理结构包括：在流体处理结构的侧壁处的浸没流体供应到区域的第一液体开口；在相对侧壁处从区域去除浸没流体的第二液体开口；提取器，包括多个离散的开口；提取器径向向外的一系列第一开口；和一系列第一开口的径向向外的一系列第二开口，其中提取器、一系列第一开口系列和一系列第二开口方向朝向衬底和/或支撑台，一系列第一和第二开口中的第一组与第一腔室流体连通，并且一系列第一和第二开口中的第二组与第二腔室流体连通。

公开(公告)号：CN113253577A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110519796.1

申请日：2016-11-02

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： D·D·J·A·范索姆恩 ,  C·H·M·伯尔蒂斯 ,  H·S·布登贝格 ,  G·L·加托比焦 ,  J·C·P·梅尔曼 ,  G·纳基布奥格卢 ,  T·W·波莱 ,  W·T·M·斯托尔斯 ,  Y·J·G·范德费韦 ,  J·P·范利斯豪特 ,  J·A·维埃拉萨拉斯 ,  A·N·兹德拉夫科夫

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种衬底台(WT)配置成支撑衬底(W)以在浸没光刻设备中进行曝光，所述衬底台包括：支撑体(30)，所述支撑体具有被配置成支撑所述衬底的支撑表面(31)；和盖环(130)，所述盖环相对于所述支撑体是固定的并且被配置成在平面视图中看围绕支撑在所述支撑表面上的所述衬底，其中所述盖环具有上表面(60)；其中所述上表面的至少一部分(61)被配置成以便在沿所述上表面朝向所述衬底移动时改变浸没液体的弯液面(17)的稳定性。

公开(公告)号：CN108463775B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201680078829.0

申请日：2016-12-08

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： E·H·E·C·尤姆麦伦 ,  G·L·加托比焦 ,  J·C·P·梅尔曼 ,  H·H·A·雷姆彭斯 ,  于淼 ,  C·M·诺普斯 ,  R·奥利斯拉格斯 ,  A·乌卢肯 ,  T·W·波莱 ,  P·J·W·斯普鲁伊藤伯格

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种包括流体处理结构的光刻浸没设备，包括流体处理结构，所述流体处理结构被配置成将浸没流体限制至一区域并且包括：弯液面控制特征，具有在所述流体处理结构的表面上的提取器出口；和气刀系统，所述气刀系统位于所述提取器出口的径向外部并且包括每个具有出口的通道，所述通道包括在所述表面上具有多个对应的第一出口的多个第一通道和在所述表面上在所述第一出口的径向外部具有多个对应的第二出口的多个第二通道，其中在曝光期间所述表面面向且实质上平行于衬底的顶表面，所述第一出口和第二出口布置在与所述衬底的距离大于所述提取器出口与所述衬底的距离处。

公开(公告)号：CN108604067A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201680081344.7

申请日：2016-11-02

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： D·D·J·A·范索姆恩 ,  C·H·M·伯尔蒂斯 ,  H·S·布登贝格 ,  G·L·加托比焦 ,  J·C·P·梅尔曼 ,  G·纳基布奥格卢 ,  T·W·波莱 ,  W·T·M·斯托尔斯 ,  Y·J·G·范德费韦 ,  J·P·范利斯豪特 ,  J·A·维埃拉萨拉斯 ,  A·N·兹德拉夫科夫

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种衬底台(WT)配置成支撑衬底(W)以在浸没光刻设备中进行曝光，所述衬底台包括：支撑体(30)，所述支撑体具有被配置成支撑所述衬底的支撑表面(31)；和盖环(130)，所述盖环相对于所述支撑体是固定的并且被配置成在平面视图中看围绕支撑在所述支撑表面上的所述衬底，其中所述盖环具有上表面(60)；其中所述上表面的至少一部分(61)被配置成以便在沿着所述上表面朝向所述衬底移动时改变浸没液体的弯液面(17)的稳定性。