公开(公告)号：CN108292101A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680057802.3

申请日：2016-08-22

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： N·J·M·范德纽维拉尔 ,  V·M·布兰科卡巴洛 ,  T·A·马塔尔 ,  J·C·P·梅尔曼 ,  G·彼得斯 ,  J·T·G·M·范德万 ,  J-P·范德万 ,  P·F·范吉尔斯

IPC: G03F7/20

Abstract: 计算出在浸没光刻设备中支撑衬底的衬底支撑结构的路线以满足下列约束：在所述衬底的边缘首先接触浸没空间之后，所述衬底保持与所述浸没空间接触直至曝光所有目标部分为止；在所述衬底在扫描方向上移动的同时执行目标部分的曝光；和在曝光之间的所述衬底的所有移动在平行于其上部表面的平面中要么是曲线的，要么仅在所述扫描方向或横向方向之一上进行。为了减少衬底的边缘的缺陷，避免将浸没液体暴露到待曝光的衬底(W)的外侧。转移路线(R51)设计为超出晶片表面。

公开(公告)号：CN108292101B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201680057802.3

申请日：2016-08-22

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： N·J·M·范德纽维拉尔 ,  V·M·布兰科卡巴洛 ,  T·A·马塔尔 ,  J·C·P·梅尔曼 ,  G·彼得斯 ,  J·T·G·M·范德万 ,  J-P·范德万 ,  P·F·范吉尔斯

IPC: G03F7/20

Abstract: 计算出在浸没光刻设备中支撑衬底的衬底支撑结构的路线以满足下列约束：在所述衬底的边缘首先接触浸没空间之后，所述衬底保持与所述浸没空间接触直至曝光所有目标部分为止；在所述衬底在扫描方向上移动的同时执行目标部分的曝光；和在曝光之间的所述衬底的所有移动在平行于其上部表面的平面中要么是曲线的，要么仅在所述扫描方向或横向方向之一上进行。为了减少衬底的边缘的缺陷，避免将浸没液体暴露到待曝光的衬底(W)的外侧。转移路线(R51)设计为超出晶片表面。

公开(公告)号：CN101563653A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200780047176.0

申请日：2007-12-18

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： A·J·布里克 ,  D·J·P·A·弗兰肯 ,  J·H·G·弗兰森 ,  J·T·G·M·范德万 ,  M·普特 ,  T·P·A·德维特

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/707 ,  H01L21/683

Abstract: 一种光刻设备包括：照射系统，构造且设置以调节辐射束；和支撑件，构造且设置以支撑图案形成装置。所述图案形成装置能够将图案在其横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束。所述设备还包括：衬底台，构造且设置以保持衬底；和投影系统，构造且设置以将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。所述衬底台包括：多个突出部，构造且设置以支撑衬底的底部截面的对应部分；和致动器，构造且设置以在衬底中激发冲击波。