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公开(公告)号：CN103575453A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310328779.5
申请日：2013-07-31
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G01L9/12
CPC classification number: G01L19/14 , G01L19/0038 , G01L19/0654 , G01L19/141 , G01L19/145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2924/16235 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及成型封装中的电容压力传感器。一种成型压力传感器封装（200，500，600，700，800）被提供。该压力传感器管芯（Pcell）（240，640，750，850）被加盖，使得Pcell具有增强的刚性以承受由模制密封物（410，510，670，745，845）产生的应力效应。Pcell盖（310，640，740，840）包括位于远离Pcell隔膜（250，635，755，855）的孔（330，650，745，845），使得Pcell可以体验到外部气体压力，而同时指引水分远离隔膜。不需要使用凝胶，并且如果需要的话，则软薄膜可以被沉积在Pcell上以保护Pcell隔膜免受过多的水分。Pcell盖可以采取例如虚拟硅晶圆（310，740）或功能ASIC（640，840）的形式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102749159B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201210118992.9
申请日：2012-04-20
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 史蒂芬·R·胡珀 , 德怀特·L·丹尼尔斯 , 詹姆斯·D·麦克唐纳 , 威廉·G·麦克唐纳 , 春林·C·夏
IPC: G01L1/18
CPC classification number: G01L9/0052 , B81B7/0041 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , G01L19/0672 , G01L19/147 , H01L2224/16225 , H01L2924/15151 , H01L2924/16152
Abstract: 本发明提供了一种具有密封结构的传感器器件。传感器器件包括传感器结构(102)，该传感器结构(102)包括具有在其上形成的感测装置的第一部分(108)，以及第二结构(106)。密封结构(104)被插入在传感器结构(102)和第二结构(106)之间，其中密封结构(104)包围传感器结构(102)的第一部分(108)。密封结构(104)建立在第一部分(108)的第一侧上的固定基准压力，并且第一部分(108)的相对侧暴露于环境压力。
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公开(公告)号：CN102749159A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210118992.9
申请日：2012-04-20
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 史蒂芬·R·胡珀 , 德怀特·L·丹尼尔斯 , 詹姆斯·D·麦克唐纳 , 威廉·G·麦克唐纳 , 春林·C·夏
IPC: G01L1/18
CPC classification number: G01L9/0052 , B81B7/0041 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , G01L19/0672 , G01L19/147 , H01L2224/16225 , H01L2924/15151 , H01L2924/16152
Abstract: 本发明提供了一种具有密封结构的传感器器件。传感器器件包括传感器结构(102)，该传感器结构(102)包括具有在其上形成的感测布置的第一部分(108)，以及第二结构(106)。密封结构(104)被插入在传感器结构(102)和第二结构(106)之间，其中密封结构(104)包围传感器结构(102)的第一部分(108)。密封结构(104)建立在第一部分(108)的第一侧上的固定基准压力，并且第一部分(108)的相对侧暴露于环境压力。
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公开(公告)号：CN101553920A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200780039476.4
申请日：2007-09-14
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L23/4951 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/06135 , H01L2224/06136 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4826 , H01L2224/48465 , H01L2224/73215 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供了一种将方型扁平无引线(QFN)封装(300，400)的尺寸减小至芯片尺寸封装的方法和设备。这样的QFN封装包括：第一半导体芯片(310，410)；多个凹进的引线(306，406，408，411)，具有模塑锁部件；以及模塑材料(340，440)，基本包围半导体芯片的所有面。半导体芯片的活性表面(314，414)被定向向着QFN封装的安装面(307，407)，以及多个键合线(330，430)设置在活性表面和安装面之间，将活性面耦合到引线。QFN封装也可包括第二半导体芯片(452)，以与第一半导体芯片类似的方式，第二半导体芯片(452)通过键合线(431，432)耦合到多个引线(408)和第一半导体芯片。
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公开(公告)号：CN101553920B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200780039476.4
申请日：2007-09-14
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L23/4951 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/06135 , H01L2224/06136 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4826 , H01L2224/48465 , H01L2224/73215 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供了一种将方型扁平无引线(QFN)封装(300，400)的尺寸减小至芯片尺寸封装的方法和设备。这样的QFN封装包括：第一半导体芯片(310，410)；多个凹进的引线(306，406，408，411)，具有模塑锁部件；以及模塑材料(340，440)，基本包围半导体芯片的所有面。半导体芯片的活性表面(314，414)被定向向着QFN封装的安装面(307，407)，以及多个键合线(330，430)设置在活性表面和安装面之间，将活性面耦合到引线。QFN封装也可包括第二半导体芯片(452)，以与第一半导体芯片类似的方式，第二半导体芯片(452)通过键合线(431，432)耦合到多个引线(408)和第一半导体芯片。
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公开(公告)号：CN101553899A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200680021842.9
申请日：2006-04-28
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 阿尔温特·S·萨利安 , 赫曼特·D·德赛 , 史蒂芬·R·胡珀 , 威廉·G·麦克唐纳
IPC: H01L21/00 , H01L21/3205 , H01L21/4763 , H01L21/44
CPC classification number: B81C1/00301 , B81B2201/0235 , B81B2207/098
Abstract: 提供一种从包括支撑层(108)和覆盖该支撑层(108)的覆盖物(132)的衬底(500)形成微机电系统(“MEMS”)器件(100)的方法。在一个示例实施例中，该方法包括切割衬底(500)从而将该衬底(500)分成第一管芯(148)和第二管芯(150)，其中该第一管芯(148)具有第一侧壁(138)，和将导电材料(182)淀积到第一侧壁(138)上从而将该覆盖物(132)耦合至支撑层(108)。
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